【技术实现步骤摘要】
一种Mini LED COG线路结构及其制作方法
[0001]本专利技术属于显示
,具体涉及一种Mini LED COG线路结构及其制作方法。
技术介绍
[0002]随着科学技术的不断发展,消费者对显示行业的要求越来越高。日益发展的Mini LED和Micro LED等新型显示技术,随着Mini LED和Micro LED显示技术向更高像素密度产品升级,当Mini LED背光进入极致控光超高分区阶段,Micro LED进入十微米级甚至纳米级的区间时,COG(Chip on Glass,是指将LED芯片直接固晶到玻璃基板,利用TFT(薄膜晶体管)驱动实现Micro LED显示)的优势将愈专利技术显。
[0003]COG的核心基础工艺是基于玻璃基板上采用镀厚金属工艺,在玻璃上制作超精细的金属集成电路。但是在现阶段,镀膜的膜层厚度和金属膜叠加的工艺存在巨大问题,在各个膜层间的附着力难以控制,且存在膜层与厚金属层之间脱落附着力差的问题。
[0004]针对镀厚金属层的附着力差和叠加厚度效率低的问题,现有技术提出的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述Mini LED COG线路结构包括承载基板,所述承载基板上依次设置:打底层、第一过渡膜层、第一金属层、第二过渡膜层、绝缘层、第一感光保护层、第三过渡膜层、第二金属层、绝缘保护层和第二感光保护层。2.根据权利要求1所述的Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述打底层的厚度为0.01~10μm;所述打底层的材料选择但不限于氮化硅、二氧化硅、钼、钛或镍中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述第一过渡膜层的厚度为0.01~10μm;所述第一过渡膜层的材料包括但不限于钼铌合金、钼铜合金、钛铜合金、镍铜合金中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述第一金属层的厚度为0.1~100μm;所述第一金属层的材料包括但不限于银、金、铜、钼铌合金、钼铜合金、钛铜合金、镍铜合金的一种或多种。5.根据权利要求1所述的Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述第二过渡膜层的厚度为0.1~10μm;所述第二过渡膜层的材料包括但不限于钼铌合金、钼铜合金、钛铜合金、镍铜合金中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的Mini LED COG线路结构,其特征在于,所述第三过渡层厚度为0.1~10μm;所述第三过渡层的材料包括但不限于银、金、铜、钼铌、钼铜、钛铜、镍铜合金中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞良,戴志强,赵颖,王新翠,夏大映,王胜,
申请(专利权)人:芜湖长信科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。