一种发光二极管及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管及显示装置，其中发光二极管包括外延结构，该外延结构具有出光面及与所述出光面相对的背面，所述出光面包括边缘区域以及被所述边缘区域环绕的中间区域，所述边缘区域覆盖有绝缘层，其中，所述中间区域的面积占所述出光面面积的60％～99％。绝缘层在出光面上的宽度介于5μm～20μm，由此能够保证发光二极管足够的出光率，同时还可以适当增加绝缘层的厚度，以增强对发光二极管的侧壁保护，防止出现IR漏电，影响器件的性能。影响器件的性能。影响器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及显示装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种发光二极管及显示装置。

技术介绍

[0002]LED以发光效率高、使用寿命长、安全可靠和环保节能的特点受到广泛的重视。为了尽可能保护LED不受外界因素的损伤，在LED的出光面及侧壁上通常形成有绝缘保护层，该绝缘保护层覆盖除电极结构之外的全部出光面，或者同时覆盖部分电极结构。然而，为了保证LED的出光性能并且不会发生漏电现象，对上述绝缘保护层的要求非常严格，当绝缘保护层厚度小于时，绝缘保护层不会遮光不影响LED的出光效率，但是LED的漏电严重；如果绝缘保护层的厚度增加，例如增加到以上时，严重影响LED出光，使其亮度明显降低。
[0003]因此，急需一种能够保证LED芯片不发生漏电同时还能提高其出光效率的方案。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中LED存在的上述问题及不足，本专利技术提供一种发光二极管及显示装置，发光二极管包括外延结构，该外延结构具有出光面及与所述出光面相对的背面，所述出光面包括边缘区域以及被所述边缘区域环绕的中间区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括外延结构，所述外延结构具有出光面及与所述出光面相对的背面，所述出光面包括边缘区域以及被所述边缘区域环绕的中间区域，所述边缘区域覆盖有第一绝缘层，其中，所述中间区域的面积占所述出光面的面积的60％～99％。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层在所述出光面上的宽度介于5μm～20μm。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述出光面具有粗化结构，具有所述粗化结构的区域为粗化区域。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，，所述粗化区域的面积占所述出光面的面积的0～100％。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化区域位于所述中间区域。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化区域位于所述中间区域以及部分所述边缘区域，并且所述边缘区域中的所述粗化结构紧邻所述中间区域分布。7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化区域位于所述中间区域以及所述边缘区域。8.根据权利要求1所述的发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾月华，柯韦帆，郭荣妍，郭桓邵，彭钰仁，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：