【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。
技术介绍
[0002]金属互连结构是半导体器件中不可或缺的结构，用于实现有源区与有源区之间的互连、晶体管和晶体管之间的互连、或者不同层金属线之间的互连，完成信号的传输和控制。因此，在半导体制造过程中，金属互连结构的形成对半导体器件的性能以及半导体制造成本有着很大的影响。为了增加器件的密度，在集成电路中的半导体器件的尺寸已经被不断减小，为了实现各个半导体器件的电连接，通常需要多层互连结构。
[0003]一般的，在半导体器件制造过程的后端互连工艺中，第一层导电层(M1)需要与下层的有源器件结构(包含源漏区域和栅极结构区域)之间形成电学连接。因此，在形成第一层导电层之前，通常需要预先形成半导体器件的局部互连结构(Local Interconnect)。所述局部互连结构包含：与下层的源漏区之间电连接的第零层导电层(M0)、以及与栅极结构之间电连接的第零层栅导电层(M0G)。
[0004]然而，现...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面；位于第一开口内的导电结构，所述导电结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，所述导电结构与所述器件结构电连接；位于第一介质层和导电结构上的停止层；位于停止层上的第二介质层；位于第二介质层内和停止层内的第二开口，所述第二开口暴露出所述导电层顶部表面以及部分所述阻挡层侧壁表面；位于暴露出的阻挡层表面的增强层；位于第二开口内的电连接层，所述电连接层位于导电层表面和增强层表面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于阻挡层表面的还原层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括金属氮化物，所述金属氮化物包括氮化钛或氮化钽；所述还原层的材料包括金属氮化物，所述还原层材料的金属元素的原子百分比浓度大于所述阻挡层材料的金属元素的原子百分比浓度。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述还原层的材料包括富钛的氮化钛或富钽的氮化钽。5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述还原层的厚度与阻挡层厚度的比例范围为大于2:3。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述增强层的材料包括金属，所述金属包括钴、铯、钌、铷和钼中的一种或多种。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述增强层的厚度与阻挡层厚度的比例范围为大于2:3。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电连接层的材料包括金属，所述金属包括钨。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料与第二介质层的材料不同。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料包括氮化硅。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括：位于基底上的第三介质层，所述器件结构位于所述第三介质层内；所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构。12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述基底上还具有鳍部结构。13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构；在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面；在第一开口内形成导电结构，所述导电结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的阻挡层以及位于阻挡层表面的导电层，所述导电结构与所述器件结构电连接；
在第一介质层和导电结构上形成停止层；在停止层上形成第二介质层；在第二介质层内和停止层内形成第二开口，所述第二开口暴露出所述导电层顶部表面以及部分所述阻挡层侧壁表面；在暴露出的阻挡层表面形成增强层；形成增强层之后，采用选择性沉积工艺在第二开口内形成电连接层，所述电连接层在增强...
【专利技术属性】
技术研发人员：张田田，张浩，荆学珍，郭雯，于海龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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