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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底,所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构;位于衬底上的第一介质层,所述第一介质层内具有若干第一开口,所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面;位于第一开口内的导电结构,所述导电结构包括位于第一开口侧壁...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底,所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构;位于衬底上的第一介质层,所述第一介质层内具有若干第一开口,所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面;位于第一开口内的导电结构,所述导电结构包括位于第一开口侧壁...