一种碳化硅芯片封装结构制造技术

本发明专利技术涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。片进行高压封装。片进行高压封装。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅芯片封装结构


[0001]本专利技术涉及高压碳化硅芯片封装
，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构。

技术介绍

[0002]为满足可再生能源的大规模开发和利用，传统电网正向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网方向发展，电力电子装置在智能电网建设、柔性交流输电系统高压输电、新能源接入等各个领域都发挥着重要作用，这无疑对高压、大容量、高频、耐高温的电力电子器件提出了更高的需求。目前电力系统的大功率电力电子装置绝大多数都是采用硅电力电子器件，如绝缘栅双极型晶体管、晶体闸流管、可关断晶闸管等，来实现电能的控制和转换，由于硅电力电子器件受制于材料本身在耐压、工作温度等物理特性的限制，因此要想从根本上提高大功率电力电子装备的可靠性和稳定性，降低系统的总体损耗，提高能源的控制转换效率，需要研究开发更高耐压、更低功耗和耐高温的新型电力电子器件。
[0003]碳化硅器件可以打破传统硅基器件的物理极限，具有电压等级高、通流能力大、损耗小、散热快等优点，可广泛应用于固态变压器、固态断路器等新型电力电子装备以及传统的柔性交流输电系统和直流输电装备。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片(1)和第二子芯片(2)，所述第一子芯片(1)与所述第二子芯片(2)之间设有芯片绝缘层(3)，所述第一子芯片(1)与所述第二子芯片(2)之间通过芯片导电件(4)串联，所述芯片导电件(4)贯穿所述芯片绝缘层(3)设置；印刷线路层，平行设于所述芯片本体的一侧，所述第一子芯片(1)与所述印刷线路层之间连接有发射极引出端子(12)，所述印刷线路层上连接有发射极端子；复合绝缘层，平行设于所述芯片本体背离所述印刷线路层的一侧，所述复合绝缘层朝向所述芯片本体的一面设有复合导电层，所述第二子芯片(2)与所述复合导电层之间连接有连接导电件，所述复合导电层上连接有集电极端子(27)。2.根据权利要求1所述的碳化硅芯片封装结构，其特征在于，芯片绝缘层(3)朝向第一子芯片(1)的一面上设有至少两个第一均压环(5)，全部所述第一均压环(5)由内向外依次套设，任意相邻两个所述第一均压环之间具有间距，最内侧的所述第一均压环(5)内设置有第一导电板(6)，多个所述第一均压环(5)之间以及最内侧的所述第一均压环(5)与所述第一导电板(6)之间均连接有均压电容(7)，所述第一导电板(6)上设有第一安装孔(8)，所述第一子芯片(1)设于所述第一安装孔(8)内，且所述第一子芯片(1)与所述第一导电板(6)电气连接。3.根据权利要求2所述的碳化硅芯片封装结构，其特征在于，芯片绝缘层(3)朝向第二子芯片(2)的一面上设有至少一个第二均压环(9)，所述第二均压环(9)与所述第一均压环(5)在沿垂直于芯片本体的方向上交错设置，最内侧的所述第二均压环(9)内设有第二导电板(10)，所述芯片导电件贯穿所述第二导电板(10)设置。4.根据权利要求3所述的碳化硅芯片封装结构，其特征在于，所述复合绝缘层包括：第一绝缘层(14)，其朝向所述印刷线路层一面设有第一复合导电层，其另一面设有第二复合导电层(18)，所述第一复合导电层包括第三均压环(16)和设于所述第三均压环内的第三导电板，所述第三均...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，代安琪，周扬，马慧远，陈巍，
申请(专利权)人：国家电网有限公司国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：