一种抗浪涌SiCMOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种抗浪涌SiC MOSFET器件包括衬底，所述衬底的上表面自下而上依次具有外延层、P+源区、N+源区、钝化层和氧化硅，所述N+源区、所述P+源区和所述外延层中具有沟槽，且所述沟槽依次贯通所述N+源区和所述P+源区并延伸至所述外延层中，所述沟槽的侧壁自外而内依次具有栅介质层和栅极，所述钝化层位于所述栅极和所述N+源区的上表面，所述氧化硅位于所述钝化层、所述N+源区和所述P+源区的上表面，所述衬底的上表面和所述氧化硅的下表面分别具有漏极电极和源极电极；本发明专利技术通过保护结构与欧姆接触金属和肖特基接触金属之间的配合下，从而有效的提高器件的抗浪涌能力。件的抗浪涌能力。件的抗浪涌能力。

【技术实现步骤摘要】
一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体而言，涉及一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]SiC金属氧化物半导体场效应管(SiC Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，SiC MOSFET)具有低导通电阻、开关速度快、耐高温等特点，在高压变频、新能源汽车、轨道交通等领域具有巨大的应用优势。由于SiC材料是宽禁带半导体材料中唯一可以直接通过热氧化形成生成SiO2的材料，这一优点简化了SiC MOSFET的制造工艺，使得SiC MOSFET受到极大关注。
[0003]浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。由于目前SiC MOSFET器件的抗浪涌能力较差，SiC MOSFET器件导通电流直接流向沟槽，造成沟槽区域产生巨大能量导致较高的结温，容易导致SiC MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗浪涌SiC MOSFET器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底的上表面自下而上依次具有外延层、P+源区、N+源区、钝化层和氧化硅，所述N+源区、所述P+源区和所述外延层中具有沟槽，且所述沟槽依次贯通所述N+源区和所述P+源区并延伸至所述外延层中，所述沟槽的侧壁自外而内依次具有栅介质层和栅极，所述钝化层位于所述栅极和所述N+源区的上表面，所述氧化硅位于所述钝化层、所述N+源区和所述P+源区的上表面，所述衬底的上表面和所述氧化硅的下表面分别具有漏极电极和源极电极；其中，所述衬底和所述外延层中具有保护结构，所述保护结构包括在所述衬底的上表面自下而上依次布置的下缓冲层和上缓冲层，所述栅介质层和所述栅极的下表面具有肖特基接触金属，所述肖特基接触金属的下表面具有两个相对的欧姆接触金属，两个所述欧姆接触金属之间具有间隙，每个所述欧姆接触金属均延伸至所述外延层中并与所述外延层接触。2.根据权利要求1所述的一种抗浪涌SiC MOSFET器件，其特征在于，所述保护结构与所述间隙呈线性布置。3.根据权利要求1所述的一种抗浪涌SiC MOSFET器件，其特征在于，所述下缓冲层的掺杂物质为氮离子或磷离子中的一种，所述上缓冲层的掺杂物质为氧化陶瓷。4.根据权利要求3所述的一种抗浪涌SiC MOSFET器件，其特征在于，所述下缓冲层的厚度范围为1.0μm～1.3μm，所述下缓冲层的掺杂浓度范围为1
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10
21
cm
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10
22
cm

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉珍，王丕龙，秦鹏海，
申请(专利权)人：深圳佳恩功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：