使用外延横向过生长技术移除器件的方法技术

III族氮化物层的外延横向过生长(ELO)用于覆盖沉积在衬底上的生长限制掩模，其中III族氮化物ELO层以小于500的低V/III比率生长，导致与低速垂直生长相比其具有高速横向生长。III族氮化物ELO层包含超过1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用外延横向过生长技术移除器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求根据美国专利有以下共同未决和共同转让申请的权益：
[0003]美国临时申请序列号63/011,698，由Takeshi Kamikawa、Masahiro Araki和Srinivas Gandrothula于2020年4月17日提交，标题为“METHOD FOR REMOVING A DEVICE USING AN EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH TECHNIQUE”，代理人案卷号G&C 30794.0762USP1(UC 2020
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1)；
[0004]该申请在此引用并入本文。
[0005]本申请与以下共同未决和共同转让的申请相关：
[0006]由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2019年10月24日提交的美国技术专利申请第16/608,071号，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”，代理人案卷号为30794.0653USWO(UC 2017
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1)，该申请要求共同待决和共同转让的PCT国际专利No.PCT/US18/31393的权益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”，代理人案卷号为30794.0653WOU1(UC 2017
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2)，申请要求共同待决和共同转让的美国临时专利申请第62/502,205的权益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”，代理人案卷号为30794.0653USP1(UC 2017
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1)；
[0007]由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2020年2月20日提交的美国技术专利申请第16/642,298号，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE”，代理人案卷号为30794.0659USWO(UC 2018
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086
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2)，该申请要求共同未决和共同转让的PCT国际专利No.PCT/US18/51375的权益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE”，代理人案卷号为30794.0659WOU1(UC 2018
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086
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2)，该申请要求共同未决和共同转让的美国临时专利申请第62/559,378号的权益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的，标题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE”，代理人案卷号为30794.0659USP1(UC 2018
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086
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1)；
[0008]由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2020年9月4日提交的美国技术专利申请第16/978,493号，标题为“METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH”，代理人案卷号为30794.0680USWO(UC 2018
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2)，该申请要求共同未决和共同转让的PCT国际专利申请第PCT/US19/25187号的权益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2019年4月1日提交的，标题为“METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH”，代理人案卷号为30794.0680WOU1(UC 2018
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2)；该申请要求共同未决和共同转让的美国临时专利申请第62/650,487号的权
益，由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年3月30日提交的，标题为“METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES BY USING LATERAL OVERGROWTH”，代理人案卷号为G&C 30794.0680USP1(UC 2018
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1)；
[0009]Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2020年10月16日提交的美国技术专利申请第17/048,383号，标题为“METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES”，代理人的案卷号为30794.0681USWO(UC 2018
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2)，该申请要求共同未决和共同转让的PCT国际专利申请第PCT/US19/32936号的权益，由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2019年5月17日提交的，标题为“METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES”，代理人案卷号为30794.0681WOU1(UC 2018
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605
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2)；该申请要求共同未决和共同转让的美国临时专利申请第62/672,913号的权益，由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2018年5月17日提交的，标题为“METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES”，代本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：使用外延横向过生长(ELO)技术从衬底移除一个或多个器件，通过：用生长限制掩模在衬底上生长一个或多个着色层和器件层；形成包括所述着色层和所述器件层的条；从所述衬底上移除所述条；以及从所述条上消除至少一个着色层的至少一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是III族氮化物基衬底、异体衬底或异质衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述着色层的厚度小于约18μm。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述着色层直接生长在所述生长限制掩模上。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述着色层的相邻的着色层彼此聚结。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述着色层中的至少一个包括空隙。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述着色层的相邻的着色层彼此聚结之前，停止所述着色层的生长。8.一种器件，根据权利要求1所述的方法制造。9.一种方法，包括：执行III族氮化物层的外延横向过生长(ELO)，以覆盖沉积在衬底上的生长限制掩模，其中：III族氮化物层以小于500的低V/III比率生长，导致与低速垂直生长相比其具有高速横向生长；III族氮化物层包含超过1
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‑3的大量杂质，这导致III族氮化物层包括着色层；由于大量的杂质，所述着色层吸收来自有源区域的光；以及当生长在III族氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：神川刚，荒木正弘，S甘德罗图拉，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：