一种压接式IGBT发射极引出结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种压接式IGBT发射极引出结构，属于电力电子技术领域。包括发射极、密封法兰和瓷环，所述密封法兰内缘同心焊接在发射极的外缘，所述密封法兰外缘同心焊接在瓷环的下端面，所述瓷环上穿设门极引出管，所述门极引出管上设有辅助引出插片；所述瓷环内壁嵌设复合金属引出带，所述复合金属引出带顶端与门极引出管连接，所述复合金属引出带底端与密封法兰连接。所述复合金属引出带包括由内向外布置的金属化层、内镀镍层、钎焊银层和外镀镍层。本申请结构简单，装配便捷，降低了各部件因焊接不牢、尺寸不一致而带来风险，提高了产品性能的稳定性。性能的稳定性。性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种压接式IGBT发射极引出结构


[0001]本技术涉及一种压接式IGBT发射极引出结构，属于电力电子


技术介绍

[0002]随着绝缘栅双极晶体管——IGBT，应用领域的不断拓展，近年来取得了快速发展，已成为当前电力电子器件的主流产品，千安级以上的大功率IGBT已成为轻型直流输电、轨道交通、新能源等大功率变流领域的首选。
[0003]分体式IGBT门极引线部位，装配繁琐，且增加各部件之间因焊接不牢、尺寸不一致带来的风险，从而降低了产品性能稳定性。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种压接式IGBT发射极引出结构，简化装配步骤，提高产品性能的稳定性。
[0005]本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种压接式IGBT发射极引出结构，包括发射极、密封法兰和瓷环，所述密封法兰内缘同心焊接在发射极的外缘，所述密封法兰外缘同心焊接在瓷环的下端面，所述瓷环上穿设门极引出管，所述门极引出管上设有辅助引出插片；所述瓷环内壁嵌设复合金属引出带，所述复合金属引出带顶端与门极引出管连接，所述复合金属引出带底端与密封法兰连接。
[0006]所述复合金属引出带包括由内向外布置的金属化层、内镀镍层、钎焊银层和外镀镍层。
[0007]所述复合金属引出带为L型结构件。
[0008]现有技术相比，本技术的优点在于：一种压接式IGBT发射极引出结构，陶瓷内壁嵌设复合金属引出带，复合金属引出带顶端与门极引出管连接，复合金属引出带底端与密封法兰连接，保证密封法兰到门极引出管的导通。本申请结构简单，装配便捷，降低了各部件因焊接不牢、尺寸不一致而带来风险，提高了产品性能的稳定性。
附图说明
[0009]图1为本技术实施例一种压接式IGBT发射极引出结构的示意图；
[0010]图2为图1中A的局部放大图；
[0011]图3为图1中复合金属引出带的示意图；
[0012]图中1发射极、2瓷环、3门极引出管、4辅助引出插片、5复合金属引出带、5.1金属化层、5.2内镀镍层、5.3钎焊银层、5.4外镀镍层、6密封法兰。
具体实施方式
[0013]以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。
[0014]如图1、2所示，本实施例中的一种压接式IGBT发射极引出结构，包括发射极1、密封
法兰6和瓷环2，密封法兰6内缘同心焊接在发射极1的外缘，密封法兰6外缘同心焊接在瓷环2的下端面。瓷环2上穿设水平布置的门极引出管3，两者通过焊接固定连接。门极引出管3上插设辅助引出插片4。瓷环2内壁嵌设复合金属引出带5，复合金属引出带5顶端与门极引出管连接，复合金属引出带5底端与密封法兰连接，复合金属引出带5的宽度建议为10mm左右。
[0015]如图3所示，复合金属引出带5为L型结构件，复合金属引出带5包括由内向外布置的金属化层5.1、内镀镍层5.2、钎焊银层5.3和外镀镍层5.4。金属化层是一种钼锰金属混合物制成件，其主要作用是在高温下与瓷环烧结渗透。内镀镍层和外镀镍层的作用是保证可焊性，保证密封法兰到门极引出管的导通；钎焊银层的作用是增加导电性。另外，外镀镍层5.4还可以对该复合金属引出带的表面进行防氧化处理，并保证外观的一致性。
[0016]本申请结构简单，装配便捷，降低了各部件因焊接不牢、尺寸不一致而带来风险，提高了产品性能的稳定性。
[0017]除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压接式IGBT发射极引出结构，其特征在于：包括发射极、密封法兰和瓷环，所述密封法兰内缘同心焊接在发射极的外缘，所述密封法兰外缘同心焊接在瓷环的下端面，所述瓷环上穿设门极引出管，所述门极引出管上设有辅助引出插片；所述瓷环内壁嵌设复合金属引出带，所述复合金属引出带顶端与门极引出管连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国贤，徐宏伟，张琼，
申请(专利权)人：江阴市赛英电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：