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本发明提供了一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种抗浪涌SiC MOSFET器件包括衬底，所述衬底的上表面自下而上依次具有外延层、P+源区、N+源区、钝化层和氧化硅，所述N+源区、所述P+源区和所述外...
该专利属于深圳佳恩功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳佳恩功率半导体有限公司授权不得商用。

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