半导体制造装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时能够以高精度进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造装置具备：腔室；保持器，设置在腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面的凹部、设置在凹部的第1孔、及设置在凹部的第2孔；第1气体通路，连接于第1孔；第2气体通路，连接于第2孔；第1阀，设置在第1气体通路上；第2阀，设置在第2气体通路上；第1气体供给配管，向凹部供给第1气体；以及气体排出配管，从凹部排出气体；第1气体通路及第2气体通路连接于第1气体供给配管，或第1气体通路及第2气体通路连接于气体排出配管。接于气体排出配管。接于气体排出配管。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请][0002]本申请享有以日本专利申请2021
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99777号(申请日：2021年6月15日)及日本专利申请2021
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205698号(申请日：2021年12月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照所述基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]随着半导体装置的微细化，期望在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时，以高精度进行加工。例如，在制造三维半导体存储器时，期望以较高的加工精度形成高纵横比的存储器孔。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式提供一种在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时能够以高精度进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
[0006]实施方式的半导体制造装置具备：腔室；保持器，设置在所述腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面凹部、设置在所述凹部的第1孔、及设置在所述凹部的第2孔；第1气体通路，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，具备：腔室；保持器，设置在所述腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面的凹部、设置在所述凹部的第1孔、及设置在所述凹部的第2孔；第1气体通路，连接于所述第1孔；第2气体通路，连接于所述第2孔；第1阀，设置在所述第1气体通路上；第2阀，设置在所述第2气体通路上；第1气体供给配管，向所述凹部供给第1气体；以及气体排出配管，从所述凹部排出气体；所述第1气体通路及所述第2气体通路连接于所述第1气体供给配管，或所述第1气体通路及所述第2气体通路连接于所述气体排出配管。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，还具备控制电路，所述控制电路能够独立地控制所述第1阀的开闭和所述第2阀的开闭。3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述保持器包含静电吸盘。4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第1气体通路及所述第2气体通路连接于所述第1气体供给配管，且所述第1气体通路及所述第2气体通路连接于所述气体排出配管。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，还具备：第1主阀，设置在所述第1气体通路及所述第2气体通路与所述第1气体供给配管之间；及第2主阀，设置在所述第1气体通路及所述第2气体通路与所述气体排出配管之间。6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第1阀及所述第2阀是流量控制阀或压力控制阀。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第1阀及所述第2阀设置在所述保持器中。8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述保持器还包含设置在所述凹部的第3孔，且所述半导体制造装置还具备：第3气体通路，连接于所述第3孔；及第3阀，设置在所述第3气体通路上；所述第1气体通路、所述第2气体通路及所述第3气体通路连接于所述第1气体供给配管，或所述第1气体通路、所述第2气体通路及所述第3气体通路连接于所述气体排出配管。9.根据权利要求1所述的半导体制造装置，还具备第2气体供给配管，所述第2气体供给配管向所述凹部供给与第1气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李武，今村翼，板垣雄翔，赵珉吉，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：