温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施方式提供一种在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时能够以高精度进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造装置具备：腔室；保持器，设置在腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面的凹部、设置在凹部的第1孔、及设置在凹...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。