半导体材料特性表征测试方法及其系统技术方案

本发明专利技术公开了半导体材料特性表征测试方法及其系统，其中，系统中的第一信号源和第二信号源的输出端分别连接到合路模块的输入端，合路模块的输出端通过待测器件连接到第二信号源的输入端。当待测器件处于旁路状态、第一信号源处于关闭状态及第二信号源处于开启状态，第二信号源获取第一输入信号，并根据第一输入信号确定环境校准参数；当待测器件从旁路状态切换至接通状态、第一信号源处于开启状态及第二信号源处于开启状态，第二信号源获取第二输入信号；第二信号源根据环境校准参数和第二输入信号确定待测器件的特性参数。基于此，能够准确表征GaN材料在实际业务场景中的trapping特性，使得GaN材料特性指标完全可以量化。量化。量化。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料特性表征测试方法及其系统


[0001]本专利技术实施例涉及通信
，特别是涉及一种半导体材料特性表征测试方法及其系统。

技术介绍

[0002]GaN(Gallium nitride，氮化镓)材料以其独特的性能优势，是目前通信领域功率放大器的首选材料。但是GaN材料存在天然的缺陷，在电应力变化时会产生电流塌缩和恢复效应，即trapping效应，不同的trapping特性对系统的影响差异较大。传统方案对trapping特性的表征主要在材料方面，与系统应用无直接对应关系，对材料的改进、器件的选型以及系统优化均存在制约。
[0003]GaN外延生长中自身存在及HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)器件制造中会引入缺陷和陷阱，由于缺陷的存在，会对不同能量状态的电子俘获或者释放，造成功放管在打开
‑
关闭过程，或者大信号
‑
小信号切换过程，电子被失配晶格捕获而导致的静态电流、增益、相位出现爬坡或者下降的现象，这些现象都叫做GaN功放的trap本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料特性表征测试系统，其特征在于，包括：第一信号源，用于为待测器件提供激励信号；第二信号源，用于为所述待测器件提供特性提取信号；合路模块，用于合成所述激励信号和所述特性提取信号得到合路信号，所述第一信号源和所述第二信号源的输出端分别连接到所述合路模块的输入端，所述合路模块的输出端通过所述待测器件连接到所述第二信号源的输入端，以由所述第二信号源根据所述合路信号对所述待测器件进行特性分析。2.根据权利要求1所述的半导体材料特性表征测试系统，其特征在于，还包括驱动模块，所述驱动模块连接于所述合路模块和所述待测器件之间。3.根据权利要求1所述的半导体材料特性表征测试系统，其特征在于，还包括衰减模块，所述衰减模块连接于所述待测器件和所述第二信号源之间。4.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体材料特性表征测试系统，其特征在于，所述第一信号源为信号发生器。5.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体材料特性表征测试系统，其特征在于，所述第二信号源为矢量网络分析仪。6.一种电子设备，其特征在于，包括有如权利要求1至5任意一项所述的半导体材料特性表征测试系统。7.一种半导体材料特性表征测试方法，应用于半导体材料特性表征测试系统，所述半导体材料特性表征测试系统包括第一信号源、第二信号源和合路模块，所述第一信号源和所述第二信号源的输出端分别连接到所述合路模块的输入端，所述合路模块的输出端通过待测器件连接到所述第二信号源的输入端；所述测试方法包括：当所述待测器件处于旁路状态、所述第一信号源处于关闭状态及所述第二信号源处于开启状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朋军，施嵘，卫东，刘海军，宋林东，李刚，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：