一种硅光电倍增管探测器制造技术

一种硅光电倍增管探测器，其特征在于，该探测器至少包括：密封盒、晶体阵列、硅光电倍增管模块；所述晶体阵列、所述硅光电倍增管模块放置在所述密封盒中，所述晶体阵列下方放置在所述密封盒的底部，所述硅光电倍增管模块放置在所述晶体阵列的上方；所述硅光电倍增管模块包括：黑色硅光电倍增管板、黑色信号放大板、电源板，其中，所述硅光电倍增管板、所述信号放大板、所述电源板从下到上依次连接，所述硅光电倍增管板放置在所述晶体阵列的上方，所述硅光电倍增管板与所述信号放大板间设有多对第一接插件、所述信号放大板与所述电源板间设有多对第二接插件。该探测器主要用于正电子发射断层成像装置(PET)上，结构简单、安装方便。安装方便。安装方便。

【技术实现步骤摘要】
一种硅光电倍增管探测器


[0001]本技术涉及探测器
，特别是涉及一种硅光电倍增管探测器测试装置。

技术介绍

[0002]正电子发射断层成像装置(PET，Positron Emission Tomography)是继X射线断层成像和磁共振成像技术之后，将计算机断层技术应用于核医学领域比较先进的临床检查影像技术，是目前唯一可在活体上显示生物分子代谢、受体及神经介质活动的新型影像技术，现已广泛用于多种疾病的诊断与鉴别诊断、病情判断、疗效评价、脏器功能研究和新药开发等方面。
[0003]PET扫描仪有探测器、前端电子学、检查床、计算机以及其他辅助部分组成，探测器是PET的核心零部件，是PET的“眼睛”。一部PET扫描仪的位置分辨率、时间分辨率和灵敏度等技术指标主要取决于它所使用的探测器，即PET扫描仪最后提供图像的质量和实用性评价首先取决于探测器。
[0004]探测器主要有晶体阵列和光电转换器件组成，晶体阵列主要用于吸收γ光子，产生荧光，光电转换器件主要作用是吸收荧光，经过光电转换，并放大产生脉冲电流信号。
[0005]现在用于PET的光电转换器主要有两种，一种是普通光电倍增管，另一种是SIPM(硅光电倍增管)。
[0006]SIPM探测器主要由晶体阵列、SIPM芯片、读出电路、密封盒组成，SIPM芯片与晶体阵列的晶体条一一对应，SIPM探测器具有空间分辨率高、能量分辨率高、时间分辨率高、抗磁性等特点，是用在PET扫描仪中性能优良的探测器，是未来探测器的发展趋势。
[0007]为了便于研发基于SIPM探测器的PET，开发了一种SIPM探测器。

技术实现思路

[0008]本技术的目的在于提供一种SIPM探测器，主要用于正电子发射断层成像装置(PET)上，该探测器结构简单、安装方便。
[0009]为实现上述目的，一种SIPM探测器，其特征在于，该探测器至少包括：密封盒、晶体阵列、硅光电倍增管模块；所述晶体阵列、所述硅光电倍增管模块放置在所述密封盒中，所述晶体阵列下方放置在所述密封盒的底部，所述硅光电倍增管模块放置在所述晶体阵列的上方；所述硅光电倍增管模块包括：黑色硅光电倍增管板、黑色信号放大板、电源板，其中，所述硅光电倍增管板、所述信号放大板、所述电源板从下到上依次连接，所述硅光电倍增管板放置在所述晶体阵列的上方，所述硅光电倍增管板与所述信号放大板间设有多对第一接插件、所述信号放大板与所述电源板间设有多对第二接插件。
[0010]所述密封盒包括避可见光、对γ光衰减较弱的盖板及避可见光、对γ光衰减较强的盒体，其中，所述盖板粘接在所述盒体的下口。
[0011]所述晶体阵列包括多根晶体条，其中，所述多根晶体条间涂有反射层，所述晶体阵
列的底面及四个侧面包裹有铝箔反射层。
[0012]所述硅光电倍增管板下方贴有多个硅光电倍增管芯片，所述多个硅光电倍增管芯片分别与多根晶体条一一对应。
[0013]所述电源板上方设有电源接口与数据输出接口。
[0014]所述多对第一接插件为四对，每对第一接插件包括一个第一接插件公座及一个第一接插件母座，所述第一接插件母座贴在所述硅光电倍增管板上方，所述第一接插件公座贴在所述信号放大板下方；所述多对第二接插件为四对，每对第二接插件包括一个第二接插件公座及一个第二接插件母座，所述第二接插件母座贴在所述信号放大板上方，所述第二接插件公座贴在所述电源板下方。
[0015]所述晶体阵列与硅光电倍增管芯片接触位置涂有硅油。
[0016]所述晶体阵列与所述硅光电倍增管芯片放置在避可见光、对γ光衰减较弱的避光盒中，所述避光盒位于密封盒内，并与硅光电倍增管板、信号放大板形成一个封闭体。
[0017]所述盒体内放置有工字形顶块，其中，所述顶块下方放置在所述电源板上。
[0018]有益效果
[0019]本技术中SIPM探测器具有空间分辨率高、能量分辨率高、时间分辨率高、抗磁性等特点，是用在PET扫描仪中性能优良的探测器。同时本技术具有结构简单、安装方便等特点。
附图说明
[0020]图1为SIPM探测器的结构示意图；
[0021]图2为SIPM探测器的俯视图。
具体实施方式
[0022]下面结合实施例对本技术做进一步说明，但本技术并不限于以下实施例。
[0023]本技术提供的SIPM探测器的一个具体实施方式的结构示意图如图1所示。图中所示装置的组成主要包括盖板01、盒体02、晶体条03、晶体阵列04、避光盒05、硅油06、SIPM芯片07、SIPM板08、第一接插件母座09、第一接插件公座10、信号放大板11、第二接插件母座12、第二接插件公座13、电源板14、顶块15。
[0024]密封盒主要有盖板01、盒体02组成。盖板01放置在盒体02的下口，并通过涂胶粘接的方式与盒体02相连，且要保证密封盒的下端避光。γ光从盖板01进入晶体条03，所以盖板01的材质为避可见光、对γ光衰减较弱的材质，盒体02为避可见光、对γ光衰减较强的材质。
[0025]晶体阵列04为有多根一样的晶体条03组成的晶体阵列，晶体条03间涂有反射层，晶体阵列的底面及四个侧面包裹有铝箔等反射材质。
[0026]SIPM模块从下到上依次为SIPM板08、信号放大板11、电源板14，SIPM板08与信号放大板11通过多对第一接插件相连，信号放大板11与电源板14通过多对第二接插件相连，为了保证连接牢固，第一接插件、第二接插件分别设计了4对，一对接插件包括一个接插件公座及一个接插件母座。SIPM板08下方贴有SIPM芯片07，上方贴有第一接插件母座09；信号放
大板11下方贴有第一接插件公座10与第一接插件母座09相连，上方贴有第二接插件母座12；电源板14下方贴有第二接插件公座13与第二接插件母座12相连，上方有数据输出接口16与电源接口17，如图2所示。
[0027]晶体阵列04与SIPM芯片07通过硅油06进行光学耦合，减少光反射损失，并要求多根晶体条03与多个SIPM芯片07一一对应。
[0028]晶体阵列04与SIPM芯片07耦合后，放进避光盒05中，并放置在密封盒里，并与SIPM板08、信号放大板11形成一个封闭体，进行避光。避光盒06的材质为避可见光、对γ光衰减较弱的材质，SIPM板08及信号放大板11为了避光，为黑色。
[0029]顶块15放置在盒体02里，下方放置在电源板14上。
[0030]SIPM探测器的具体工作过程如下：
[0031]γ光透过盖板01到达晶体条03被晶体条03吸收产生荧光，荧光入射到SIPM芯片07上被SIPM芯片07吸收，进行光电转换并放大形成脉冲信号，通过SIPM板08的电阻网络进行处理变成四路信号，信号通过第一接插件母座09和第一接插件公座10传输到信号放大板11上被进一步放大，信号放大后再通过第二接插件母座12和第二接插件公座13传输到电源板1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅光电倍增管探测器，其特征在于，该探测器至少包括：密封盒、晶体阵列、硅光电倍增管模块；所述晶体阵列、所述硅光电倍增管模块放置在所述密封盒中，所述晶体阵列下方放置在所述密封盒的底部，所述硅光电倍增管模块放置在所述晶体阵列的上方；所述硅光电倍增管模块包括：黑色硅光电倍增管板、黑色信号放大板、电源板，其中，所述硅光电倍增管板放置在所述晶体阵列的上方，所述硅光电倍增管板与所述信号放大板间设有多对第一接插件，所述信号放大板与所述电源板间设有多对第二接插件，及所述硅光电倍增管板、所述信号放大板、所述电源板从下到上依次分别通过多对第一接插件和多对第二接插件连接。2.如权利要求1所述的硅光电倍增管探测器，其特征在于，所述密封盒包括避可见光、对γ光衰减较弱的盖板及避可见光、对γ光衰减较强的盒体，其中，所述盖板粘接在所述盒体的下口。3.如权利要求1所述的硅光电倍增管探测器，其特征在于，所述晶体阵列包括多根晶体条，其中，所述多根晶体条间涂有反射层，所述晶体阵列的底面及四个侧面包裹有铝箔反射层。4.如权利要求1所述的硅光电倍增管探测器，其特征在于，所述硅光电倍增管板下方贴有多个硅光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小平，李景涛，宋山山，严李李，牛绍龙，李海慧，
申请(专利权)人：北京大基康明医疗设备有限公司，
类型：新型
国别省市：