微发光二极管布局结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构及其制作方法，其中该用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构包含多个显示单元在一透明基底排列成一单元阵列、多个微发光二极管设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出被该边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。二极管正下方的该边缘区域上。二极管正下方的该边缘区域上。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管布局结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种微发光二极管(micro LED)的布局结构，更具体言之，其涉及一种用于扩增实境(Augmented Reality,AR)与混合实境(Mixed Reality,MR)的微发光二极管布局结构及其相关制作工艺。

技术介绍

[0002]微发光二极管(micro LED)是近年发展兴起的显示器技术，其特征为微型化LED阵列结构，具有自发光显示特性，每一像素都能单独驱动，具有高亮度、高对比、低耗电、高分辨率及高色彩饱和度等特性。相较于同是自发光的有机发光二极管(OLED)显示器，微发光二极管更具有效率高、寿命长、环境耐受性佳等优势。微发光二极管独特的低功耗、高亮度特性让它非常适合运用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、扩增实境(Augmented Reality,AR)/虚拟实境(Virtual Reality,VR)、显示器及电视等领域，已被视为是继过渡的次毫米发光二极管(mini LED)后最具发展潜力的下世代新型显示技术。
[0003]基于上述微发光二极管低功耗与高分辨率的特性与优点，目前业界正致力于研究与开发新的微发光二极管结构与相关制作工艺，以期能将其应用在小尺寸穿戴装置与扩增/混合实境(AR/MR,Mixed Reality)装置方面，例如具备扩增/混合实境功能的智能眼镜(smart glass)。然而，目前要将微发光二极管应用在扩增/混合实境的穿戴式装置上还有许多需要克服的技术瓶颈，例如巨量转移(mass transfer)的技术挑战、透光率的改善、微发光二极管镜片、以及与现有CMOS制作工艺的整合性等等。

技术实现思路

[0004]致力于研究与开发微发光二极管(micro LED)在扩增(AR)/混合实境(MR)方面的应用，本专利技术于此提出了一种新颖的微发光二极管布局结构，其特点在于将微发光二极管设计成排列在每个显示单元的边缘并空出中间的透光区域，以此达到较高的透光率并同时兼具高分辨率与高光效的显示品质。
[0005]本专利技术的其一面向在于提出一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，包含一透明基底，该透明基底上界定有多个显示单元排列成一单元阵列、多个微发光二极管，设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出为边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路，设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
[0006]本专利技术的另一面向在于提出一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法，其步骤包含提供一基底，其中该基底上界定有多个显示单元排列成一单元阵列，每个该显示单元包含边缘区域与为该边缘区域所围绕的透光区域、在该基底上的每个显示单元的该边缘区域上形成像素驱动电路与第一透光层、以及在该些边缘区域的该第一透光层上设置多个微发光二极管，该些微发光二极管与下方的该像素驱动电路连接。
[0007]本专利技术的这类目的与其他目的在阅者读过下文中以多种图示与绘图来描述的优选实施例的细节说明后应可变得更为明了显见。
附图说明
[0008]本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本专利技术实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本专利技术一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中：
[0009]图1为一搭载本专利技术具有微发光二极管布局结构的镜片的智能眼镜的示意图；
[0010]图2为本专利技术优选实施例一具有微发光二极管的显示单元的示意图；
[0011]图3为本专利技术优选实施例一具有微发光二极管的单元阵列的示意图；
[0012]图4为本专利技术另一实施例一具有微发光二极管的单元阵列的示意图；
[0013]图5为本专利技术又一实施例一具有微发光二极管的单元阵列的示意图；以及
[0014]图6至图10为本专利技术优选实施例一微发光二极管布局结构的制作流程示意图。
[0015]需注意本说明书中的所有图示都为图例性质，为了清楚与方便图示说明之故，图示中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现，一般而言，图中相同的参考符号会用来标示修改后或不同实施例中对应或类似的元件特征。
[0016]主要元件符号说明
[0017]100 智能眼镜
[0018]102 镜片
[0019]102a 中间区域
[0020]102b 周边区域
[0021]104 镜架
[0022]106 镜腿
[0023]108 单元阵列
[0024]109 间距
[0025]110 显示单元
[0026]110a 透光区域
[0027]110b 边缘区域
[0028]114微发光二极管
[0029]116 迷你阵列
[0030]120 基底
[0031]122 第一透光层
[0032]124 像素驱动电路
[0033]126 金属互连结构
[0034]128 第二透光层
[0035]130,132 凹槽
[0036]134 透镜层
[0037]136,138 微透镜结构
[0038]140 保护层
具体实施方式
[0039]现在下文将详细说明本专利技术的示例性实施例，其会参照附图示出所描述的特征以
便阅者理解并实现技术效果。阅者将可理解文中的描述仅通过例示的方式来进行，而非意欲要限制本案。本案的各种实施例和实施例中彼此不冲突的各种特征可以以各种方式来加以组合或重新设置。在不脱离本专利技术的精神与范畴的情况下，对本案的修改、等同物或改进对于本领域技术人员来说是可以理解的，并且旨在包含在本案的范围内。
[0040]阅者应能容易理解，本案中的「在
…
上」、「在
…
之上」和「在
…
上方」的含义应当以广义的方式被解读，以使得「在
…
上」不仅表示「直接在」某物「上」而且还包括在某物「上」且其间有居间特征或层的含义，并且「在
…
之上」或「在
…
上方」不仅表示「在」某物「之上」或「上方」的含义，而且还可以包括其「在」某物「之上」或「上方」且其间没有居间特征或层(即，直接在某物上)的含义。
[0041]此外，诸如「在
…
之下」、「在
…
下方」、「下部」、「在
…
之上」、「上部」等空间相关术语在本文中为了描述方便可以用于描述一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系，如在附图中示出的。
[0042]如本文中使用的，术语「基底」是指向其上增加后续材料的材料。可以对基底自身进行图案化。增加在基底的顶部上的材料可以被图案化或可以保持不被图案化。此外，基底可以包括广泛的半导体材料，例如硅、锗、砷化镓、磷化铟等。或者，基底可以由诸如玻璃、塑胶或蓝宝石晶片的非导电材料制成。
[0043]现在请参照图1，其为一搭载本专利技术具有微发光二极管(micro LED)布局结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，包含：透明基底，该透明基底上界定有多个显示单元排列成单元阵列；多个微发光二极管，设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出为边缘区域所围绕的透光区域；以及像素驱动电路，设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。2.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中该些微发光二极管围住整个该透光区域。3.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中该些显示单元彼此邻接。4.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中该些显示单元彼此间隔一间距。5.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中每四个该些微发光二极管排列成一个正方形的迷你阵列，该些迷你阵列彼此间隔设置在每个该显示单元的该边缘区域上。6.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中该透明基底为镜片，该镜片具有周边区域以及被该周边区域围绕的中间区域，该单元阵列设置在该中间区域上。7.如权利要求6所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，还包含发光二极管驱动电路以及逻辑电路设置在该周边区域上并与该像素驱动电路连接。8.如权利要求1所述的用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，其中该些微发光二极管包含红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的微发光二极管，每个该微发光二极管作为子像素，每一组红(R)、绿(G)、蓝(B)的该些微发光二极管构成像素。9.一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构的制作方法，包含：提供基底，其中该基底上界定有多个显示单元排列成单元阵列，每个该显示单元包含边缘区域与为该边缘区域所围绕的透光区域；在该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志飙，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：