稳压电路模块、存储器存储装置及电压控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种稳压电路模块、存储器存储装置及电压控制方法。所述方法包括：由驱动电路根据输入电压产生输出电压；根据所述输出电压产生反馈电压；由稳压电路根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压；由补偿电路对所述稳压电路的输出进行补偿；以及根据开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路。因此，可提高稳压电路模块运作在不同的负载条件下的工作效能。下的工作效能。下的工作效能。

【技术实现步骤摘要】
稳压电路模块、存储器存储装置及电压控制方法


[0001]本专利技术涉及一种电压控制技术，尤其涉及一种稳压电路模块、存储器存储装置及电压控制方法。

技术介绍

[0002]随着存储器控制芯片的体积越来越小，低压差稳压器(low dropout regulator,Capless LDO)等稳压电路模块逐渐被应用于存储器控制芯片的封装结构中。一般来说，各式稳压电路模块所使用的电性参数在出厂前就会被预先设置，以满足大多数的使用需求。但是，实务上，当稳压电路模块运作在不同的负载条件下时，稳压电路模块的工作效能不易维持稳定。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种稳压电路模块、存储器存储装置及电压控制方法，可有效提高稳压电路模块运作在不同的负载条件下的工作效能。
[0004]本专利技术的范例实施例提供一种稳压电路模块，其包括驱动电路、反馈电路、稳压电路、补偿电路及开关电路。所述反馈电路连接至所述驱动电路。所述稳压电路连接至所述驱动电路与所述反馈电路。所述补偿电路连接至所述驱动电路与所述稳压电路。所述开关电路连接至所述驱动电路、所述稳压电路及所述补偿电路。所述驱动电路用以根据输入电压产生输出电压。所述反馈电路用以根据所述输出电压产生反馈电压。所述稳压电路用以根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压。所述补偿电路用以对所述稳压电路的输出进行补偿。所述开关电路用以根据所述开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路，且所述开关电路的所述输入偏压受所述稳压电路的所述输出影响。
[0005]在本专利技术的一范例实施例中，所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，启动所述补偿电路；以及在轻载模式下，关闭所述补偿电路。
[0006]在本专利技术的一范例实施例中，所述开关电路根据所述所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：响应于所述开关电路的所述输入偏压符合临界条件，启动所述补偿电路；以及响应于所述开关电路的所述输入偏压不符合所述临界条件，关闭所述补偿电路。
[0007]在本专利技术的一范例实施例中，所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，将所述补偿电路导通至所述稳压电路的输出端；以及在轻载模式下，将所述补偿电路从所述稳压电路的所述输出端断开。
[0008]在本专利技术的一范例实施例中，在重载模式下，所述驱动电路的驱动电压同时受所述稳压电路与所述补偿电路控制，并且在轻载模式下，所述驱动电路的驱动电压受所述稳压电路控制且不受所述补偿电路控制。
[0009]在本专利技术的一范例实施例中，所述开关电路包括晶体管元件，所述晶体管元件的
第一端连接至所述稳压电路的输出端，所述晶体管元件的第二端连接至所述补偿电路，且所述晶体管元件的第三端连接至所述输出电压。
[0010]在本专利技术的一范例实施例中，所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：根据所述第一端与所述第三端之间的电压差是否达到临界值，启动或关闭所述补偿电路。
[0011]在本专利技术的一范例实施例中，所述晶体管元件包括P型金属
‑
氧化物
‑
半导体场效晶体管。
[0012]在本专利技术的一范例实施例中，所述稳压电路包括误差放大器。所述误差放大器用以比较参考电压与所述反馈电压并根据比较结果调整所述输出电压。
[0013]在本专利技术的一范例实施例中，所述补偿电路用以补偿所述稳压电路的高频响应。所述稳压电路更包括信号放大器，所述信号放大器连接在所述驱动电路的输出端与所述误差放大器的输出端之间。所述信号放大器用以补偿所述稳压电路的低频响应。
[0014]在本专利技术的一范例实施例中，所述补偿电路包括阻抗元件与电容元件。所述阻抗元件串接在所述开关电路与所述电容元件之间。
[0015]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块、存储器控制电路单元及稳压电路模块。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述稳压电路模块连接至所述连接接口单元、所述可复写式非易失性存储器模块及所述存储器控制电路单元的至少其中之一。所述稳压电路模块用以：由驱动电路根据输入电压产生输出电压；根据所述输出电压产生反馈电压；由稳压电路根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压；由补偿电路对所述稳压电路的输出进行补偿；以及根据开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路，且所述开关电路的所述输入偏压受所述稳压电路的所述输出影响。
[0016]本专利技术的范例实施例另提供一种电压控制方法，其用于存储器存储装置。所述电压控制方法包括：由驱动电路根据输入电压产生输出电压；根据所述输出电压产生反馈电压；由稳压电路根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压；由补偿电路对所述稳压电路的输出进行补偿；以及根据开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路，且所述开关电路的所述输入偏压受所述稳压电路的所述输出影响。
[0017]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的步骤包括：在重载模式下，启动所述补偿电路；以及在轻载模式下，关闭所述补偿电路。
[0018]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的步骤包括：响应于所述开关电路的所述输入偏压符合临界条件，启动所述补偿电路；以及响应于所述开关电路的所述输入偏压不符合所述临界条件，关闭所述补偿电路。
[0019]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述输出电压启动或关闭所述补偿电路的步骤包括：在重载模式下，将所述补偿电路导通至所述稳压电路的输出端；以及在轻载模式下，将所述补偿电路从所述稳压电路的所述输出端断开。
[0020]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器存储装置包括所述开关电路，所述开关电路用以根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路，所述开关电路包括晶体管元件，所述晶体管元件的第一端连接至所述稳压电路的输出端，所述晶体管元件的
第二端连接至所述补偿电路，且所述晶体管元件的第三端连接至所述输出电压。
[0021]在本专利技术的一范例实施例中，根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的步骤包括：由所述晶体管元件根据所述第一端与所述第三端之间的电压差是否达到临界值，启动或关闭所述补偿电路。
[0022]在本专利技术的一范例实施例中，由所述稳压电路根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压的步骤包括：比较参考电压与所述反馈电压并根据比较结果调整所述输出电压。
[0023]在本专利技术的一范例实施例中，所述补偿电路用以补偿所述稳压电路的高频响应，且所述电压控制方法更包括：由信号放大器补偿所述稳压电路的低频响应，其中所述信号放大器连接至所述驱动电路的输出端与所述稳压电路的输出端之间。
[0024]基于上述，在驱动电路根据输入电压产生输出电压后，反馈电路可根据所述输出电压产生反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稳压电路模块，其特征在于，包括：驱动电路；反馈电路，连接至所述驱动电路；稳压电路，连接至所述驱动电路与所述反馈电路；补偿电路；以及开关电路，连接至所述驱动电路、所述稳压电路及所述补偿电路，其中所述驱动电路用以根据输入电压产生输出电压，所述反馈电路用以根据所述输出电压产生反馈电压，所述稳压电路用以根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压，所述补偿电路用以对所述稳压电路的输出进行补偿，并且所述开关电路用以根据所述开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路，且所述开关电路的所述输入偏压受所述稳压电路的所述输出影响。2.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，启动所述补偿电路；以及在轻载模式下，关闭所述补偿电路。3.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述开关电路根据所述所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：响应于所述开关电路的所述输入偏压符合临界条件，启动所述补偿电路；以及响应于所述开关电路的所述输入偏压不符合所述临界条件，关闭所述补偿电路。4.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，将所述补偿电路导通至所述稳压电路的输出端；以及在轻载模式下，将所述补偿电路从所述稳压电路的所述输出端断开。5.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中在重载模式下，所述驱动电路的驱动电压同时受所述稳压电路与所述补偿电路控制，并且在轻载模式下，所述驱动电路的驱动电压受所述稳压电路控制且不受所述补偿电路控制。6.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述开关电路包括晶体管元件，所述晶体管元件的第一端连接至所述稳压电路的输出端，所述晶体管元件的第二端连接至所述补偿电路，且所述晶体管元件的第三端连接至所述输出电压。7.根据权利要求6所述的稳压电路模块，其中所述开关电路根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：根据所述第一端与所述第三端之间的电压差是否达到临界值，启动或关闭所述补偿电路。8.根据权利要求6所述的稳压电路模块，其中所述晶体管元件包括P型金属
‑
氧化物
‑
半导体场效晶体管。9.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述稳压电路包括误差放大器，并且所述误差放大器用以比较参考电压与所述反馈电压并根据比较结果调整所述输出电
压。10.根据权利要求9所述的稳压电路模块，其中所述补偿电路用以补偿所述稳压电路的高频响应，所述稳压电路更包括信号放大器，所述信号放大器连接在所述驱动电路的输出端与所述误差放大器的输出端之间，并且所述信号放大器用以补偿所述稳压电路的低频响应。11.根据权利要求1所述的稳压电路模块，其中所述补偿电路包括阻抗元件与电容元件，且所述阻抗元件串接在所述开关电路与所述电容元件之间。12.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块；存储器控制电路单元；以及稳压电路模块，连接至所述连接接口单元、所述可复写式非易失性存储器模块及所述存储器控制电路单元的至少其中之一，其中所述稳压电路模块用以：由驱动电路根据输入电压产生输出电压；根据所述输出电压产生反馈电压；由稳压电路根据所述反馈电压控制所述驱动电路调整所述输出电压；由补偿电路对所述稳压电路的输出进行补偿；以及根据开关电路的输入偏压启动或关闭所述补偿电路，且所述开关电路的所述输入偏压受所述稳压电路的所述输出影响。13.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中所述稳压电路模块根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，启动所述补偿电路；以及在轻载模式下，关闭所述补偿电路。14.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中所述稳压电路模块根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：响应于所述开关电路的所述输入偏压符合临界条件，启动所述补偿电路；以及响应于所述开关电路的所述输入偏压不符合所述临界条件，关闭所述补偿电路。15.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中所述稳压电路模块根据所述开关电路的所述输入偏压启动或关闭所述补偿电路的操作包括：在重载模式下，将所述补偿电路导通至所述稳压电路的输出端；以及在轻载模式下，将所述补偿电路从所述稳压电路的所述输出端断开。16.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中在重载模式下，所述驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾博智，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：