本发明专利技术公开一种铝型材真空浇注温控装置，包括设置在真空密闭浇注室内的浇注温度传感器，浇注温度传感器的信号输出端通过传输线依次连接温度控制器和PLC控制器，所述浇注温度传感器选用红外测温传感器，有效消除温度检测过程中出现的时滞性，使装置对温度测量灵敏度更高，且测量更加直接、准确；红外测温传感器与所述温度控制器之间还设置有信号调理模块，所述信号调理模块包括稳幅降噪调理电路和信号放大滤波处理电路，设置信号调理模块来对红外温度检测信号进行处理，消除环境噪声对红外测温传感器产生的影响，保证温度检测信号输出精确、稳定，进而极大地提升了铝型材真空浇注温控精度，改善浇注品质。改善浇注品质。改善浇注品质。
【技术实现步骤摘要】
一种铝型材真空浇注温控装置
[0001]本专利技术涉及铝型材浇注生产设备
，特别是涉及一种铝型材真空浇注温控装置。
技术介绍
[0002]真空浇注以及真空冷却得到的铝合金门窗，其内的杂质含量少、浇注裂纹、银纹几乎没有，也不受收到环境气流以及温度变化的影响，得到的铝合金门窗较常温常压环境中的强度高，而且耐候性能以及抗腐蚀性能较强。例如申请号为 201711484971.8、名称为“门窗铝型材真空浇注控制系统”的中国专利技术专利，借助PLC控制器以及连接在其上的真空压力控制器以及温度控制器，实现对真空密闭浇注室、真空无尘密闭冷却室以及铝合金型材喷涂以及固化烘干室进行温度、真空度控制。但是在实际使用过程中，由于真空密闭浇注室环境温度变化频繁而且温差大，传统的铂热型温度探头在对真空密闭浇注室内温度测量过程中信号输出时滞性较高，且受温漂影响严重，导致测量温度与实际环境温度偏差较大，从而造成铝型材真空浇注温控精度低，影响浇注效果。
[0003]所以本专利技术提供一种新的方案来解决此问题。
技术实现思路
[0004]针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本专利技术之目的在于提供一种铝型材真空浇注温控装置。
[0005]其解决的技术方案是：一种铝型材真空浇注温控装置，包括设置在真空密闭浇注室内的浇注温度传感器，浇注温度传感器的信号输出端通过传输线依次连接温度控制器和PLC控制器，所述浇注温度传感器选用红外测温传感器，所述红外测温传感器与所述温度控制器之间还设置有信号调理模块，所述信号调理模块包括稳幅降噪调理电路和信号放大滤波处理电路，所述稳幅降噪调理电路的输入端连接所述红外测温传感器的信号输出端，所述红外测温传感器的输出端连接所述信号放大滤波处理电路的输入端，所述信号放大滤波处理电路的输出端连接所述温度控制器。
[0006]进一步的，所述稳幅降噪调理电路包括三极管VT1，三极管VT1的集电极连接所述红外测温传感器的信号输出端，并通过电阻R1连接三极管VT1的基极和稳压二极管DZ1的阴极，稳压二极管DZ1的阳极接地，三极管VT1的发射极连接MOS管Q1的漏极，并通过电阻R2接地，MOS管Q1的栅极连接电感L1和电容C1的一端，电感L1的另一端接地，MOS管Q1的源极通过电阻R4连接运放器AR1的反相输入端和电容C2的一端，运放器AR1的输出端连接电容C1和C2的另一端，并通过电阻R3接地，运放器AR1的同相输入端通过并联的电阻R5与电容C3接地。
[0007]进一步的，所述放大滤波处理电路包括运放器AR2、三极管VT2和RLC滤波器，运放器AR2的同相输入端连接所述稳幅降噪调理电路的输出端，运放器AR2的反相输入端连接三极管VT2的发射极，运放器AR2的输出端连接三极管VT2的基极、电阻R6的一端和稳压二极管DZ2的阴极，电阻R6的另一端和稳压二极管DZ2的阳极并联接地，三极管VT2的集电极通过所
述RLC滤波器连接所述温度控制器。
[0008]进一步的，所述RLC滤波器包括电阻R7、R8、电容C4和电感L2，电阻R7和电容C4的一端连接三极管VT2的集电极，电阻R7和电容C4的另一端连接电感L2的一端和所述温度控制器，电感L2的另一端通过电阻R8接地。
[0009]通过以上技术方案，本专利技术的有益效果为：1.本专利技术将浇注温度传感器选用为红外测温传感器来对真空密闭浇注室内的环境温度进行检测，有效消除温度检测过程中出现的时滞性，使装置对温度测量灵敏度更高，且测量更加直接、准确；2.设置信号调理模块来对红外温度检测信号进行处理，消除环境噪声对红外测温传感器产生的影响，保证温度检测信号输出精确、稳定，进而极大地提升了铝型材真空浇注温控精度，改善浇注品质。
附图说明
[0010]图1为本专利技术的稳幅降噪调理电路原理图。
[0011]图2为本专利技术的信号放大滤波处理电路原理图。
具体实施方式
[0012]有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图1至附图2对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。
[0013]下面将参照附图描述本专利技术的各示例性的实施例。
[0014]一种铝型材真空浇注温控装置，包括设置在真空密闭浇注室内的浇注温度传感器，浇注温度传感器的信号输出端通过传输线依次连接温度控制器和PLC控制器，浇注温度传感器选用红外测温传感器，利用红外测温原理可以消除温度检测过程中出现的时滞性，使装置对温度测量灵敏度更高，且测量更加直接、准确。
[0015]红外测温传感器与所述温度控制器之间还设置有信号调理模块，所述信号调理模块包括稳幅降噪调理电路和信号放大滤波处理电路，所述稳幅降噪调理电路的输入端连接所述红外测温传感器的信号输出端，所述红外测温传感器的输出端连接所述信号放大滤波处理电路的输入端，所述信号放大滤波处理电路的输出端连接所述温度控制器。
[0016]如图1所示，稳幅降噪调理电路包括三极管VT1，三极管VT1的集电极连接所述红外测温传感器的信号输出端，并通过电阻R1连接三极管VT1的基极和稳压二极管DZ1的阴极，稳压二极管DZ1的阳极接地，三极管VT1的发射极连接MOS管Q1的漏极，并通过电阻R2接地，MOS管Q1的栅极连接电感L1和电容C1的一端，电感L1的另一端接地，MOS管Q1的源极通过电阻R4连接运放器AR1的反相输入端和电容C2的一端，运放器AR1的输出端连接电容C1和C2的另一端，并通过电阻R3接地，运放器AR1的同相输入端通过并联的电阻R5与电容C3接地。
[0017]其中，三极管VT1对红外测温传感器的检测信号进行前置放大，并采用稳压二极管DZ1作为调节管对三极管VT1的基极信号进行稳幅处理，保证信号放大输出幅值的稳定性；然后再由MOS管Q1对检测信号进行放大调节处理，利用MOS管Q1自身良好的温度特性可以有效改善检测信号输出波形，同时采用运放器AR1对MOS管Q1的输出信号进行采样反馈，通过
运放器AR1来驱动MOS管Q1栅极设置的LC降噪单元工作，利用闭环反馈原理对检测信号进行降噪处理，极大地降低了检测信号中夹杂的高频噪声，同时保证了检测信号输出的稳定性。
[0018]放大滤波处理电路对稳幅降噪调理电路的输出信号进一步处理，如图2所示，放大滤波处理电路的具体结构包括运放器AR2、三极管VT2和RLC滤波器，运放器AR2的同相输入端连接所述稳幅降噪调理电路的输出端，运放器AR2的反相输入端连接三极管VT2的发射极，运放器AR2的输出端连接三极管VT2的基极、电阻R6的一端和稳压二极管DZ2的阴极，电阻R6的另一端和稳压二极管DZ2的阳极并联接地，三极管VT2的集电极通过所述RLC滤波器连接所述温度控制器。
[0019]其中，RLC滤波器包括电阻R7、R8、电容C4和电感L2，电阻R7和电容C4的一端连接三极管VT2的集电极，电阻R7和电容C4的另一端连接电感L2的一端和所述温度控制器，电感L2的另一端通过电阻R8接地。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铝型材真空浇注温控装置，包括设置在真空密闭浇注室内的浇注温度传感器，浇注温度传感器的信号输出端通过传输线依次连接温度控制器和PLC控制器，其特征在于：所述浇注温度传感器选用红外测温传感器，所述红外测温传感器与所述温度控制器之间还设置有信号调理模块，所述信号调理模块包括稳幅降噪调理电路和信号放大滤波处理电路，所述稳幅降噪调理电路的输入端连接所述红外测温传感器的信号输出端，所述红外测温传感器的输出端连接所述信号放大滤波处理电路的输入端，所述信号放大滤波处理电路的输出端连接所述温度控制器。2.根据权利要求1所述的铝型材真空浇注温控装置，其特征在于：所述稳幅降噪调理电路包括三极管VT1，三极管VT1的集电极连接所述红外测温传感器的信号输出端，并通过电阻R1连接三极管VT1的基极和稳压二极管DZ1的阴极，稳压二极管DZ1的阳极接地，三极管VT1的发射极连接MOS管Q1的漏极，并通过电阻R2接地，MOS管Q1的栅极连接电感L1和电容C1的一端，电感L1的另一端接地，MOS管Q1的源极通过电阻R4连...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔志杰，王勇军，许辉，
申请(专利权)人：河南天子铝业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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