封装结构及封装结构的形成方法技术

一种封装结构及封装结构的形成方法，结构包括：第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面上的第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一连接层电连接；第二晶片，所述第二晶片具有相对的第五面和第六面，所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定；位于第一再布线层上形成第一焊接层。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。节省面积。节省面积。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及封装结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，是制造芯片的最后一环。
[0003]封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片固定在引线框架上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘外接出去；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。
[0004]然而，现有的封装方法工艺较为复杂，良率也有待提升，需要提升封装工艺以改善良率和简化流程。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种封装结构和封装结构的形成方法，以提升封装工艺以改善良率和简化流程。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装结构，包括：第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面上的第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一连接层电连接；第二晶片，所述第二晶片具有相对的第五面和第六面，所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定；位于第一再布线层上形成第一焊接层。
[0007]可选的，所述第一晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自第一晶片第一面至第二面贯穿所述第一晶片；所述第二晶片与所述第二连接层电连接。
[0008]可选的，所述第一再布线层还位于第一晶片第一面上，所述第一再布线层与所述第二连接层电连接。
[0009]可选的，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。
[0010]可选的，还包括：位于所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面之间的第一粘结层。
[0011]可选的，还包括：与钝化层第四面暴露出的第一连接层电连接的第一半封装结构；与第一焊接层电连接的第二半封装结构。
[0012]相应地，本专利技术技术方案还提供一种封装结构的形成方法，包括：提供基板；提供第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；将所述第一晶片固定于基板上，所述第一晶片的第二面固定于基板表面；在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层
的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；在钝化层第三面上形成第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一连接层电连接；形成所述第一再布线层之后，去除所述基板，暴露出所述第一晶片的第二面；提供第二晶片，所述第二晶片具有相对的第五面和第六面；将所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定；将所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定之后，在第一再布线层上形成第一焊接层。
[0013]可选的，所述第一晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自第一晶片第一面至第二面贯穿所述第一晶片；所述第二晶片与所述第二连接层电连接。
[0014]可选的，所述第一再布线层还位于第一晶片第一面上，所述第一再布线层与所述第二连接层电连接。
[0015]可选的，所述第一再布线层的形成方法包括：在第一晶片第一面上和钝化层第三面上形成再布线材料层；在再布线材料层上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述再布线材料层，直至暴露出所述钝化层第三面表面，形成与所述第一连接层和第二连接层电连接的第一再布线层。
[0016]可选的，所述第一焊接层的形成方法包括：在第一再布线层侧壁表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层上和第一再布线层上形成第一牺牲层；在第一牺牲层内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述第一再布线层顶部表面；在第一凹槽内形成初始焊接层；去除所述第一牺牲层；去除所述第一牺牲层之后，对所述焊接材料层进行流平处理，形成位于第一再布线层上和第一绝缘层上的第一焊接层。
[0017]可选的，在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层的方法包括：在基板表面和第一晶片表面形成钝化材料层，所述钝化材料层的厚度大于所述第一晶片厚度；对所述钝化材料层进行刻蚀，形成位于第一晶片侧壁的钝化层，所述钝化层内具有若干开口，所述开口底部暴露出所述基板表面；在所述开口内和钝化层表面形成连接材料层；平坦化所述连接材料层，直至暴露出钝化层表面，形成所述第一连接层。
[0018]可选的，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。
[0019]可选的，去除所述基板的方法包括：平坦化所述基板，直至暴露出第一晶片第二面和钝化层第四面；平坦化所述基板的工艺包括化学机械研磨工艺。
[0020]可选的，将所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定的方法包括：在所述第一晶片的第二面形成第一粘结层；将所述第二晶片设置于第一粘结层上。
[0021]可选的，将所述第一晶片固定于基板上的方法包括：在基板上形成第二粘结层；将所述第一晶片设置于第二粘结层上。
[0022]可选的，还包括：提供第一半封装结构；将所述第一半封装结构与钝化层第四面暴露出的第一连接层电连接；提供第二半封装结构；将所述第二半封装结构与第一焊接层电连接。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0024]本专利技术的技术方案，通过在钝化层内形成第一连接层，在钝化层第三面上的第一再布线层，第一再布线层上形成第一焊接层，将第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二
面相固定。所述钝化层第四面第一连接层用于后续与第一半封装结构电连接，所述第一焊接层用于后续与第二半封装结构电连接。所述第二晶片和第一焊接层位于所述钝化层两面，因此所述封装结构的连接灵活性较高，可使多个半封装结构堆叠连接在一起，从而能够减小封装结构的面积，提升单位面积内封装结构的数量，进而能够增加单个芯片的存储能量，提升芯片的工作速率。
附图说明
[0025]图1至图3是一实施例中封装结构形成过程的示意图；
[0026]图4至图10是本专利技术实施例中封装结构形成过程的示意图。
具体实施方式
[0027]如
技术介绍
所述，现有的封装方法工艺较为复杂，良率也有待提升，需要提升封装工艺以改善良率和简化流程。现结合具体的实施例进行分析说明。
[0028]图1至图3是一实施例中封装结构形成过程的示意图。
[0029]请参考图1，提供载板100；在载板100上形成粘合层101；提供晶片102，所述晶片102包括功能面和非功能面；固定所述晶片102的功能面于粘合层101上。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面上的第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一连接层电连接；第二晶片，所述第二晶片具有相对的第五面和第六面，所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定；位于第一再布线层上形成第一焊接层。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自第一晶片第一面至第二面贯穿所述第一晶片；所述第二晶片与所述第二连接层电连接。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一再布线层还位于第一晶片第一面上，所述第一再布线层与所述第二连接层电连接。4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面之间的第一粘结层。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：与钝化层第四面暴露出的第一连接层电连接的第一半封装结构；与第一焊接层电连接的第二半封装结构。7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板；提供第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；将所述第一晶片固定于基板上，所述第一晶片的第二面固定于基板表面；在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；在钝化层第三面上形成第一再布线层，所述第一再布线层与所述第一连接层电连接；形成所述第一再布线层之后，去除所述基板，暴露出所述第一晶片的第二面；提供第二晶片，所述第二晶片具有相对的第五面和第六面；将所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定；将所述第二晶片的第五面与所述第一晶片的第二面相固定之后，在第一再布线层上形成第一焊接层。8.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自第一晶片第一面至第二面贯穿所述第一晶片；所述第二晶片与所述第二连接层电连接。9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一再布线层还位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘在福，曾昭孔，郭瑞亮，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：