封装结构及封装结构的形成方法技术

一种封装结构及封装结构的形成方法，结构包括：晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于钝化层第四面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第一连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。积。积。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及封装结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，是制造芯片的最后一环。
[0003]封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片固定在引线框架上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘外接出去；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。
[0004]然而，现有的封装方法工艺较为复杂，良率也有待提升，需要提升封装工艺以改善良率和简化流程。

技术实现思路

[0005]封装结构及封装结构的形成方法以提升封装工艺以改善良率和简化流程。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装结构，包括：晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于钝化层第四面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第一连接层电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自晶片第一面至第二面贯穿所述晶片。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构还位于晶片第一面上，所述第一连接结构与所述第二连接层电连接；所述第二电连接结构还位于晶片第二面上，所述第二连接结构与所述第二连接层电连接。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。5.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：与第一电连接结构电连接的第一半封装结构；与第二电连接结构电连接的第二半封装结构。7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板；提供晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；将所述晶片固定于基板上，所述晶片的第二面固定于基板表面；在晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；在钝化层第三面上形成第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；形成所述第一电连接结构之后，去除所述基板；去除所述基板之后，在钝化层第四面上形成第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第一连接层电连接。8.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述晶片内还具有第二连接层，所述第二连接层自晶片第一面至第二面贯穿所述晶片。9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一电连接结构还位于晶片第一面上，所述第一连接结构与所述第二连接层电连接；所述第二电连接结构还位于晶片第二面上，所述第二连接结构与所述第二连接层电连接。
10.如权利要求9所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第一连接结构的形成方法包括：在晶片第一面上和钝化层第三面上形成再布线材料层；在再布线材料层上形成图形化层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘在福，曾昭孔，郭瑞亮，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：