一种低功耗记忆启动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗记忆启动电路，包括低压差线性稳压器、第一PNP三极管、NPN三极管、延迟电容C1、第二PNP三极管、电阻R1和电阻R2，低压差线性稳压器的输出端口连接控制器的供电端口；第一PNP三极管的发射极连接上电端口，第一PNP三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；NPN三极管的集电极连接第一PNP三极管的控制端，NPN三极管的发射极接地，NPN三极管的控制端连接控制器的模式控制端口；延迟电容C1，第一PNP三极管的控制端通过延迟电容C1接地。通过在上电时通过低功耗的低压差线性稳压器对控制器持续供电，控制器对断电前的工作状态进行检索回复，成本较低，且由于控制器可完全关断，故耗电量较低。故耗电量较低。故耗电量较低。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗记忆启动电路


[0001]本技术涉及记忆启动电路
，尤其涉及一种低功耗记忆启动电路。

技术介绍

[0002]由于新能源和移动储能的快速发展，大量的电器设备都有设计低功耗模式来降低能源的消耗，提高产品的续航能力。
[0003]然而现有的进入低功耗模式方式各有缺点，一种为机械断电，这种不利于自动化低功耗控制，重新上电后不能直接根据掉电前的工作状态工作，只能重新利用机械开关进行工作；另一种为MCU控制进入低功耗模式，这种虽然能记忆掉电前的工作状态，但由于需要大量的低功耗控制电路和低功耗LDO，成本较高，且控制复杂，软件工作量大，MCU需要一直处于通电状态，功耗偏高，一般处于10ua以上。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种低功耗记忆启动电路，旨在解决现有技术中，成本较高且功耗较高的问题。
[0005]本技术实施例提供了一种低功耗记忆启动电路，用于连接控制器，包括：
[0006]低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输出端口连接所述控制器的供电端口，为所述控制器提供稳定的供电电压；
[0007]第一PNP三极管，所述第一PNP三极管的发射极连接上电端口，所述第一PNP三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；
[0008]NPN三极管，NPN三极管的集电极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的控制端连接所述控制器的模式控制端口；
[0009]延迟电容C1，所述第一PNP三极管的控制端通过所述延迟电容C1接地；
[0010]第二PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述PNP三极管的集电极接地，所述第二PNP三极管的控制端连接上电端口；
[0011]电阻R1和电阻R2，所述电阻R1设置于所述第一PNP三极管的控制端和其发射极之间，所述电阻R2一端连接所述第一PNP三极管的控制端，所述电阻R2另一端连接所述延迟电容C1。
[0012]可选的，所述上电端口与所述第一PNP三极管的发射极之间设置有第一滤波模块。
[0013]可选的，所述第一滤波模块包括第一电容和第二电容，且所述第一电容和第二电容并联后分别连接上电端口和接地。
[0014]可选的，所述低压差线性稳压器的输入端口设置有第二滤波模块。
[0015]可选的，所述低压差线性稳压器的输出端口设置上有第三滤波模块。
[0016]可选的，所述第二滤波模块包括第三电容，所述第三电容分别连接所述低压差线性稳压器的输入端口和接地。
[0017]可选的，所述第三滤波模块包括第四电容和第五电容，所述第四电容和第五电容
并联后分别连接所述低压差线性稳压器的输出端口和接地。
[0018]可选的，二极管和电阻R3，所述二极管的阳极通过所述电阻R3连接所述第二PNP三极管的发射极，所述二极管的阴极连接所述延迟电容C1和所述第一PNP三极管的控制端。
[0019]可选的，所述控制器的模式控制端口和所述NPN三极管的控制端之间设置电阻R4。
[0020]可选的，电阻R5和电阻R6，所述电阻R5设置于所述第二PNP三极管的控制端和集电极之间，所述电阻R6设置于所述NPN三极管的控制端和其发射极之间。
[0021]本技术通过在上电时通过低功耗的低压差线性稳压器对控制器持续供电，控制器对断电前的工作状态进行检索回复，成本较低，且由于控制器可完全关断，故耗电量较低。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本技术实施例提供的低功耗记忆启动电路的电路图。
[0024]说明：
[0025]T1、第一PNP三极管；T2、NPN三极管：T3、第二PNP三极管；U1、低压差线性稳压器。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0028]还应当理解，在此本技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术。如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0029]还应当进一步理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0030]请参阅图1，一种低功耗记忆启动电路，用于连接控制器，包括：
[0031]低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输出端口连接所述控制器的供电端口，为所述控制器提供稳定的供电电压；
[0032]第一PNP三极管，所述第一PNP三极管的发射极连接上电端口，所述第一PNP三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；
[0033]NPN三极管，NPN三极管的集电极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的控制端连接所述控制器的模式控制端口；
[0034]延迟电容C1，所述第一PNP三极管的控制端通过所述延迟电容C1接地；
[0035]第二PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述PNP三极管的集电极接地，所述第二PNP三极管的控制端连接上电端口；
[0036]电阻R1和电阻R2，所述电阻R1设置于所述第一PNP三极管的控制端和其发射极之间，所述电阻R2一端连接所述第一PNP三极管的控制端，所述电阻R2另一端连接所述延迟电容C1，在上电端口上电后，将会通过电阻R1和电阻R2对延迟电容C1进行充电，具体的充电时间为t＝(R1+R2)*C1。
[0037]在本实施例中，第一PNP三极管在上电端口上电后导通，并使得低压差线性稳压器的输出端口为控制器的供电端口持续提供供电电压，与此同时，控制器由于是断电状态，故其模式控制端口为低电平，NPN三极管处于截止状态，且第二PNP三极管亦处于截止状态，故连接第一PNP三极管的控制端的延迟电容C1会持续充电；
[0038]在延迟电容C1充电期间，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗记忆启动电路，用于连接控制器，其特征在于，包括：低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输出端口连接所述控制器的供电端口，为所述控制器提供稳定的供电电压；第一PNP三极管，所述第一PNP三极管的发射极连接上电端口，所述第一PNP三极管的集电极连接低压差线性稳压器的输入端口；NPN三极管，NPN三极管的集电极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的控制端连接所述控制器的模式控制端口；延迟电容C1，所述第一PNP三极管的控制端通过所述延迟电容C1接地；第二PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接所述第一PNP三极管的控制端，所述PNP三极管的集电极接地，所述第二PNP三极管的控制端连接上电端口；电阻R1和电阻R2，所述电阻R1设置于所述第一PNP三极管的控制端和其发射极之间，所述电阻R2一端连接所述第一PNP三极管的控制端，所述电阻R2另一端连接所述延迟电容C1。2.根据权利要求1所述的低功耗记忆启动电路，其特征在于：所述上电端口与所述第一PNP三极管的发射极之间设置有第一滤波模块。3.根据权利要求2所述的低功耗记忆启动电路，其特征在于：所述第一滤波模块包括第一电容和第二电容，且所述第一电容和第二电容并联后分别连接上电端口...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志杰，宋志超，
申请(专利权)人：深圳市振邦智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：