【技术实现步骤摘要】
铁电开关器件、制备方法、控制方法及三维存储器
[0001]本公开涉集成电路领域,尤其涉及一种铁电开关器件、制备方法、控制方法及三维存储器。
技术介绍
[0002]随着微电子技术的发展,集成电路上晶体管的特征尺寸不断趋近于物理极限,如果进一步减小器件尺寸,就会存在严重的漏电问题。而基于电
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机械耦合的功能器件由于具有机械的“开”和“关”特性,因此就有效避免了“关”状态下漏电的问题。同时,相对于传统的半导体器件,微机电器件还存在开关比大、功耗低、结构及工艺简单等优点,这在开发高密度、低功耗、高稳定性的存储器、晶体管以及逻辑器件方面,具有巨大的发展潜力和应用价值。
技术实现思路
[0003]本公开实施例所要解决的技术问题是,提供一种铁电开关器件、制备方法、控制方法及三维存储器。
[0004]本公开实施例提供了一种铁电开关器件,其包括:铁电层;第一电极及第二电极,设置在所述铁电层上且沿第一方向排布,所述第一电极包括第一桥,所述第二电极包括第二桥;层间绝缘层,至少覆盖所述第一桥及所述第二桥;第一导电层,设置在所述层间绝缘层上,且与所述第一桥对应;第二导电层,设置在所述层间绝缘层上,且与所述第二桥对应;第一信号输送端及第二信号输送端,设置在所述第一导电层上;第三信号输送端及第四信号输送端,设置在所述第二导电层上;第一裂纹,自所述铁电层沿垂直所述铁电层的方向延伸并贯穿所述第一桥、所述层间绝缘层、及所述第一信号输送端与第二信号输送端之间的所述第一导电层;第二裂纹,自所述铁电层沿垂直所述铁电层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铁电开关器件,其特征在于,包括:铁电层;第一电极及第二电极,设置在所述铁电层上且沿第一方向排布,所述第一电极包括第一桥,所述第二电极包括第二桥;层间绝缘层,至少覆盖所述第一桥及所述第二桥;第一导电层,设置在所述层间绝缘层上,且与所述第一桥对应;第二导电层,设置在所述层间绝缘层上,且与所述第二桥对应;第一信号输送端及第二信号输送端,设置在所述第一导电层上;第三信号输送端及第四信号输送端,设置在所述第二导电层上;第一裂纹,自所述铁电层沿垂直所述铁电层的方向延伸并贯穿所述第一桥、所述层间绝缘层、及所述第一信号输送端与第二信号输送端之间的所述第一导电层;第二裂纹,自所述铁电层沿垂直所述铁电层的方向延伸并贯穿所述第二桥、所述层间绝缘层、及所述第三信号输送端与第四信号输送端之间的所述第二导电层。2.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述第一裂纹未贯穿或贯穿所述铁电层,和/或,所述第二裂纹贯穿或未贯穿所述铁电层。3.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述第一电极及所述第二电极以第一间隙为中心对称设置。4.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述第一电极还包括第一主体,所述第一主体被分为两部分,分别与所述第一桥的两端连接,在所述第一方向上,所述第一主体的宽度大于所述第一桥的宽度;所述第二电极还包括第二主体,所述第二主体被分为两部分,分别与所述第二桥的两端连接,在所述第一方向上,所述第二主体的宽度大于所述第二桥的宽度。5.根据权利要求4所述的铁电开关器件,其特征在于,在所述第一方向上,所述第一主体与所述第二主体之间的第一间隙的宽度大于所述第一桥与所述第二桥之间的第一间隙的宽度。6.根据权利要求4所述的铁电开关器件,其特征在于,所述层间绝缘层覆盖所述第一主体及所述第二主体的部分表面,在位于所述第一桥其中一端且未被所述层间绝缘层覆盖的所述第一主体的表面设置有第一导电端子,在位于所述第二桥其中一端且未被所述层间绝缘层覆盖的所述第二主体的表面设置有第二导电端子。7.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述层间绝缘层还覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的铁电层区域。8.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述层间绝缘层包括:第一绝缘层,至少设置在所述第一桥上,所述第一导电层设置在所述第一绝缘层上;第二绝缘层,至少设置在所述第二桥上,所述第二导电层设置在所述第二绝缘层上,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层彼此独立。9.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,所述第一导电层及所述第二导电层沿所述第一方向排布,且所述第一导电层及所述第二导电层均沿第二方向延伸;所述第一信号输送端与所述第二信号输送端沿第二方向排布,所述第一裂纹沿所述第一方向延伸并贯穿所述第一导电层;所述第三信号输送端与所述第四信号输送端沿所述第二方向排
布,所述第二裂纹沿所述第一方向延伸并贯穿所述第二导电层;所述第一方向与所述第二方向相交。10.根据权利要求1所述的铁电开关器件,其特征在于,在所述第一桥在所述铁电层上的正投影区域,所述第一桥的正投影覆盖所述第一导...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗强,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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