【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于边缘环高度管理的双升降机构的半导体处理室
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]一些半导体处理室利用边缘环，其通常为环形形状并且在中间具有圆形开口，其尺寸略大于或略小于配置半导体处理室来处理的晶片的直径。通常提供这种边缘环以管理或更好地控制在晶片处理期间可能出现的位于边缘的不均匀性。
[0003]半导体处理室对诸如半导体晶片(“衬底”、“晶片”和“半导体晶片”在本文中可以互换使用)的衬底进行处理。衬底处理的示例包括沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他工艺。可将工艺气体混合物供应至处理室以处理衬底。等离子体可用于点燃气体以增强化学反应。
[0004]在处理期间将衬底布置在衬底支撑件或晶片支撑件上。边缘环可以放置在衬底的最外边缘周围和附近。边缘环可用于将等离子体成形或聚焦到衬底上。在操作期间，衬底和边缘环的暴露表面被等离子体蚀刻。结果，边缘环磨损并...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，其包括：半导体处理室；位于所述半导体处理室内的晶片支撑表面；和一个或多个双升降机构，每个双升降机构包括：具有第一接触表面的第一升降器结构，具有第二接触表面的第二升降器结构，公共凸缘结构，以及一个或多个致动器，其中：每个双升降机构的所述一个或多个致动器均安装到该双升降机构的所述公共凸缘结构；每个双升降机构的所述一个或多个致动器配置成是能致动的，以便：使该双升降机构的所述第一升降器结构沿垂直于所述晶片支撑表面的第一轴平移，使得该第一升降器结构的所述第一接触表面在第一高度和第二高度之间移动，使该双升降机构的所述第二升降器结构沿所述第一轴平移，使得该第二升降器结构的所述第二接触表面在第三高度和第四高度之间移动，并且使该双升降机构的所述第二升降器结构能至少部分地沿着所述第一轴平移，而不同时使该双升降机构的所述第一升降器结构沿着所述第一轴平移；所述晶片支撑表面具有外周边，并且每个双升降机构被定位成使得其所述第一升降器结构和所述第二升降器结构定位在所述外周边之外。2.根据权利要求1所述的装置，其还包括上边缘环和下边缘环，其中：当沿所述第一轴观察时，所述上边缘环与所述下边缘环重叠，所述上边缘环与所述下边缘环同心，所述上边缘环的内径大于所述晶片支撑表面的外径，当致动每个双升降机构以使其所述第一接触表面处于所述第一高度时，该双升降机构的所述第一升降器结构的所述第一接触表面与所述下边缘环接触，并且当致动每个双升降机构以使其所述第二接触表面处于所述第四高度时该双升降机构的所述第二升降器结构的所述第二接触表面与所述上边缘环接触。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一高度和所述第二高度之间的第一距离小于所述第三高度和所述第四高度之间的第二距离。4.根据权利要求1所述的装置，其中，每个双升降机构通过其所述公共凸缘结构连接至所述半导体处理室。5.根据权利要求1所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构的所述一个或多个致动器包括第一致动器和第二致动器，该双升降机构的所述第一致动器被配置为所述第一升降器结构当被致动时沿着所述第一轴平移，该双升降机构的所述第二致动器被配置为所述第二升降器结构当被致动时沿着所述第一轴平移，该双升降机构的所述公共凸缘结构具有第一侧，所述第一侧具有延伸穿过其中的第一
孔和延伸穿过其中的第二孔，该双升降机构的所述公共凸缘结构的所述第一侧与所述半导体处理室的一部分配合，该双升降机构的所述第一致动器被定位于该双升降机构的所述公共凸缘结构的所述第一孔内，并且该双升降机构的所述第二致动器被定位于该双升降机构的所述公共凸缘结构的第二孔内。6.根据权利要求5所述的装置，其中，对于每个双升降机构：该双升降机构的所述第一致动器是机电致动器，并且该双升降机构的所述第二致动器是气动致动器。7.根据权利要求5所述的装置，其中，对于每个双升降机构，该双升降机构的所述第一致动器是由电动马达驱动的螺杆致动器。8.根据权利要求5所述的装置，其中，沿环绕所述晶片支撑表面的圆布置有三个双升降机构。9.根据权利要求8所述的装置，其中，每个双升降机构被定位成使得该双升降机构的所述第一升降器结构和该双升降机构的所述第二升降器结构都位于与所述圆同心并且具有环形径向宽度的环形区域内，所述环形径向宽度小于外接该双升降机构的所述第一升降器结构和该双升降机构的所述第二...
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