一种太阳能电池的制作方法技术

本申请提供了一种太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池领域。所述方法包括：在目标硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层，并对所述非晶硅层进行磷掺杂，得到多晶硅层的第二掺杂部分；在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层；在所述多晶硅层的第二掺杂部分上创建掺杂区域，向所述掺杂区域喷含磷液体，并进行固化，得到含磷固化部分；对设置有所述含磷固化部分的硅片进行热氧化，形成所述多晶硅层的第一掺杂部分，其中，所述第一掺杂部分中磷元素的掺杂浓度高于所述第二掺杂部分中磷元素的掺杂浓度；在所述多晶硅层上形成第一减反层；对所述第一掺杂部分所在的位置用金属浆料进行金属化，并烧结形成第一电极；在所述第二表面上形成第二电极。面上形成第二电极。面上形成第二电极。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制作方法


[0001]本申请涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳能电池的制作方法。

技术介绍

[0002]目前，基于N型硅基底的太阳能电池属于太阳能电池领域的主流研究方向。为提高电池效率，现有技术中往往会在太阳能电池的表面制备一层隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，形成钝化接触结构。
[0003]然而，现有技术中基于N型硅基底的太阳能电池表面上设置的电极直接与多晶硅层接触，这种结构会产生较大的接触复合损失，导致太阳能电池的光电转换效率偏低。
[0004]因此，亟需一种能够提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的方案。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种太阳能电池的制作方法，能够用于解决如何提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的技术问题。
[0006]一方面，提供一种太阳能电池的制作方法，包括：
[0007]在目标硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层，并对所述非晶硅层进行磷掺杂，得到多晶硅层的第二掺杂部分；
[0008]在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层；
[0009]在所述多晶硅层的第二掺杂部分上创建掺杂区域，向所述掺杂区域喷含磷液体，并进行固化，得到含磷固化部分；
[0010]对设置有所述含磷固化部分的硅片进行热氧化，形成所述多晶硅层的第一掺杂部分，其中，所述第一掺杂部分中磷元素的掺杂浓度高于所述第二掺杂部分中磷元素的掺杂浓度；
[0011]在所述多晶硅层上形成第一减反层；
[0012]对所述第一掺杂部分所在的位置用金属浆料进行金属化，并烧结形成第一电极；
[0013]在所述第二表面上形成第二电极。
[0014]可选地，在一个实施例中，在硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层之前，所述制作方法还包括：
[0015]对硅片原料进行制绒处理得到具有陷光结构的硅片；
[0016]用碱性液体对所述硅片的第一表面进行抛光处理，形成具有塔基的目标硅片。
[0017]可选地，在一个实施例中，所述制作方法还包括：
[0018]在形成多晶硅层的第二掺杂部分之后，在所述第二掺杂部分上形成第一保护层；
[0019]在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层之后，在所述p型发射极层上形成第二保护层；
[0020]在形成第一掺杂部分之后，去除含磷液体的残留物，并去除所述第一保护层和第二保护层。
[0021]可选地，在一个实施例中，所述第一保护层包括磷硅玻璃层，所述第二保护层包括硼硅玻璃层。
[0022]可选地，在一个实施例中，所述制作方法还包括：
[0023]在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层之后，在所述p型发射极层上形成钝化层和/或第二减反层。
[0024]可选地，在一个实施例中，所述含磷液体包括含磷液态蜡。
[0025]可选地，在一个实施例中，所述对设置有所述含磷固化部分的硅片进行热氧化，形成所述多晶硅层的第一掺杂部分包括：对设置有所述含磷固化部分的硅片在氮气气氛下的管式炉管中进行800
‑
1000度的高温热氧化，时间在10
‑
30分钟，形成所述多晶硅层的第一掺杂部分。
[0026]可选地，在一个实施例中，所述第一掺杂部分的第一目标表面与所述第一电极的第一表面相接触，所述第一电极的第一表面的面积小于或等于，所述第一掺杂部分的第一目标表面的面积。
[0027]可选地，在一个实施例中，所述第一掺杂部分和所述第一电极沿朝向目标硅片的方向在所述目标硅片上的垂直投影重合，或者，所述第一电极沿朝向目标硅片的方向在所述目标硅片上的垂直投影位于所述第一掺杂部分沿朝向目标硅片的方向在所述目标硅片上的垂直投影的范围内。
[0028]可选地，在一个实施例中，所述第一掺杂部分和所述第二掺杂部分平齐，或者，所述第一掺杂部分沿朝向所述第一电极的方向相对于所述第二掺杂部分凸出。
[0029]本申请带来的有益效果如下：
[0030]本申请实施例提供的制作方法，通过在目标硅片的第一表面形成隧穿层和多晶硅层，所述多晶硅层包括第一掺杂部分和第二掺杂部分，所述第一掺杂部分中磷元素的掺杂浓度高于所述第二掺杂部分中磷元素的掺杂浓度，第一电极形成于所述第一掺杂部分所在的位置，如此，第一电极可与第一掺杂部分接触，而非与第二掺杂部分接触，由于第二掺杂部分相较于第一掺杂部分磷元素的浓度更高，因而第一电极与第一掺杂部分接触的电阻更小，如此可提高太阳能电池的转换效率。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0032]图1是本申请实施例提供的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图；
[0033]图2是本申请实施例提供的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图；
[0034]图3是本申请实施例提供的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图；
[0035]图4是本申请实施例提供的一种太阳能电池的制作方法的流程图。
[0036]附图标记：
[0037]100—N型硅片；101—第一隧穿层；102—多晶硅层；1021—第一掺杂部分；1022—第二掺杂部分；103—第一减反层；104—第一电极；105—p型发射极层；106—第二减反层；
107—第二电极。
具体实施方式
[0038]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0039]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0040]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0041]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：在目标硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层，并对所述非晶硅层进行磷掺杂，得到多晶硅层的第二掺杂部分；在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层；在所述多晶硅层的第二掺杂部分上创建掺杂区域，向所述掺杂区域喷含磷液体，并进行固化，得到含磷固化部分；对设置有所述含磷固化部分的硅片进行热氧化，形成所述多晶硅层的第一掺杂部分，其中，所述第一掺杂部分中磷元素的掺杂浓度高于所述第二掺杂部分中磷元素的掺杂浓度；在所述多晶硅层上形成第一减反层；对所述第一掺杂部分所在的位置用金属浆料进行金属化，并烧结形成第一电极；在所述第二表面上形成第二电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在硅片的第一表面形成隧穿层和非晶硅层之前，所述制作方法还包括：对硅片原料进行制绒处理得到具有陷光结构的硅片；用碱性液体对所述硅片的第一表面进行抛光处理，形成具有塔基的目标硅片。3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在形成多晶硅层的第二掺杂部分之后，在所述第二掺杂部分上形成第一保护层；在所述目标硅片的第二表面形成p型发射极层之后，在所述p型发射极层上形成第二保护层；在形成第一掺杂部分之后，去除含磷液体的残留物，并去除所述第一保护层和第二保护层。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一保护层包括磷硅玻璃层，所述第二保护层包括硼硅玻璃层。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：翟康淇，徐聪，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：