一种新型太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池制造领域，特别是涉及一种新型太阳能电池及其制作方法，通过在n型基体硅的正面进行硼掺杂，得到硼掺杂层；在所述n型基体硅的背面依次设置遂穿氧化层及多晶硅层；对所述多晶硅层表面进行磷扩散形成低掺杂n+多晶硅层；对所述低掺杂n+多晶硅层的金属区进行激光重掺，形成位于所述金属区的n++多晶硅层，得到光伏前置物；通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物；在经过酸洗与碱洗的光伏前置物的正面依次设置氧化铝层与正面氮化物钝化层，并在背面设置背面氮化物钝化层，得到硅片成品；在所述硅片成品的表面设置正面电极及背面电极。本发明专利技术增加了接触性，又降低了非金属区域表面的少子复合，提高转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造领域，特别是涉及一种新型太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着topcon电池产能不断的扩张，其中由于双面电池相对perc电池具有较高的转化效率及双面率，可有效降低电站的LCOE，电池组件越来越受到市场终端的青睐。但是目前topcon电池效率方面仍存在一些问题，尤其电池背面因引入多晶硅层而导致的接触性及复合性问题对效率影响较大，所以开发高效且稳定的背接触性电池显得尤为迫切。
[0003]现阶段，topcon电池引入多晶硅后，只是通过重磷掺杂形成N+层，形成一个良好的背接触层，接触性能够稳定的控制，但由于非接触区域高掺杂量会提供较多的复合中心，对效率提升会有较大瓶颈。
[0004]因此，如何提供一种兼具良好的背面接触性能，同时较低的复合中心的电池方案，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种新型太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中良好的背面接触性能与较低的复合中心不可兼得的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种新型太阳能电池的制作方法，包括：
[0007]在n型基体硅的正面进行硼掺杂，得到硼掺杂层；
[0008]在所述n型基体硅的背面依次设置遂穿氧化层及多晶硅层；
[0009]对所述多晶硅层表面进行磷扩散形成低掺杂n+多晶硅层；
[0010]对所述低掺杂n+多晶硅层的金属区进行激光重掺，形成位于所述金属区的n++多晶硅层，得到光伏前置物；
[0011]通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物；
[0012]在经过酸洗与碱洗的光伏前置物的正面依次设置氧化铝层与正面氮化物钝化层，并在背面设置背面氮化物钝化层，得到硅片成品；
[0013]在所述硅片成品的表面设置正面电极及背面电极，得到太阳能电池成品。
[0014]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物包括：
[0015]在所述n++多晶硅层表面覆盖掩膜层，再对所述光伏前置物进行酸洗与碱洗，去除反应副产物；
[0016]在去除所述反应副产物后，去除所述掩膜层。
[0017]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述在所述n++多晶硅层表面覆盖掩膜层包括：
[0018]对所述n++多晶硅层表面进行氧化，得到氧化掩膜层；
[0019]相应地，所述对所述光伏前置物进行酸洗与碱洗，去除反应副产物；在去除所述反应副产物后，去除所述掩膜层包括：
[0020]先对所述光伏前置物进行酸洗，再进行碱洗，去除所述反应副产物。
[0021]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述正面氮化物钝化层与所述背面氮化物钝化层同时设置。
[0022]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述对所述多晶硅层表面进行磷扩散形成低掺杂n+多晶硅层包括：
[0023]对所述多晶硅层表面依次进行初沉积、升温推进及后沉积。
[0024]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述初沉积的沉积时间的范围为300秒至600秒，沉积温度的范围为780摄氏度至800摄氏度，包括端点值。
[0025]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述升温推进的温度范围为880摄氏度至900摄氏度，包括端点值。
[0026]可选地，在所述的新型太阳能电池的制作方法中，所述后沉积的沉积时间的范围为200秒至400秒，沉积温度的范围为780摄氏度至800摄氏度，包括端点值。
[0027]一种新型太阳能电池，所述新型太阳能电池为通过上述任一种所述的新型太阳能电池的制作方法制作的太阳能电池。
[0028]可选地，在所述的新型太阳能电池中，所述新型太阳能电池的低掺杂n+多晶硅层的方阻的范围为60欧姆至80欧姆，所述n++多晶硅层的方阻的范围为20欧姆至40欧姆，包括端点值。
[0029]本专利技术所提供的新型太阳能电池的制作方法，通过在n型基体硅的正面进行硼掺杂，得到硼掺杂层；在所述n型基体硅的背面依次设置遂穿氧化层及多晶硅层；对所述多晶硅层表面进行磷扩散形成低掺杂n+多晶硅层；对所述低掺杂n+多晶硅层的金属区进行激光重掺，形成位于所述金属区的n++多晶硅层，得到光伏前置物；通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物；在经过酸洗与碱洗的光伏前置物的正面依次设置氧化铝层与正面氮化物钝化层，并在背面设置背面氮化物钝化层，得到硅片成品；在所述硅片成品的表面设置正面电极及背面电极，得到太阳能电池成品。
[0030]本专利技术仅在金属电极接触的部分区域，也即所述金属区进行了高浓度的掺杂，而在电极以外的区域进行了低浓度掺杂，这样选择性掺杂结构既降低了多晶硅和电极的接触电阻，从而增加了接触性，又降低了非金属区域表面的少子复合，提高了少子寿命与el良率，使得太阳能电池的短路电流及开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。本专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的新型太阳能电池。
附图说明
[0031]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术提供的新型太阳能电池的制作方法的一种具体实施方式的流程示意图；
[0033]图2为本专利技术提供的新型太阳能电池的制作方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
[0034]图3为本专利技术提供的新型太阳能电池的的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0035]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]本专利技术的核心是提供一种新型太阳能电池的制作方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，包括：
[0037]S101：在n型基体硅的正面进行硼掺杂，得到硼掺杂层。
[0038]在本步骤之前，还可对所述n型基体硅制绒，在所述n型基体硅表面形成纳米级别的绒面。所述硼掺杂层即为本电池中的P+层。
[0039]在得到P+层之后，还可对所述n型基体硅的背面进行酸洗，去除设置所述硼掺杂层过程中产生的BSG(硼硅玻璃)，然后对背面进行碱抛光，以便提升后续背面的外延层的生长质量。
[0040]S102：在所述n型基体硅的背面依次设置遂穿氧化层及多晶硅层。
[0041]所述多晶硅层的厚度范围为80纳米至130纳米，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：在n型基体硅的正面进行硼掺杂，得到硼掺杂层；在所述n型基体硅的背面依次设置遂穿氧化层及多晶硅层；对所述多晶硅层表面进行磷扩散形成低掺杂n+多晶硅层；对所述低掺杂n+多晶硅层的金属区进行激光重掺，形成位于所述金属区的n++多晶硅层，得到光伏前置物；通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物；在经过酸洗与碱洗的光伏前置物的正面依次设置氧化铝层与正面氮化物钝化层，并在背面设置背面氮化物钝化层，得到硅片成品；在所述硅片成品的表面设置正面电极及背面电极，得到太阳能电池成品。2.如权利要求1所述的新型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述通过酸洗与碱洗去除所述光伏前置物表面的反应副产物包括：在所述n++多晶硅层表面覆盖掩膜层，再对所述光伏前置物进行酸洗与碱洗，去除反应副产物；在去除所述反应副产物后，去除所述掩膜层。3.如权利要求2所述的新型太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述n++多晶硅层表面覆盖掩膜层包括：对所述n++多晶硅层表面进行氧化，得到氧化掩膜层；相应地，所述对所述光伏前置物进行酸洗与碱洗，去除反应副产物；在去除所述反应副产物后，去除所述掩膜层包括：先对所述光伏前置物进行酸洗，再进行碱洗，去除所述反...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明明，郁寅珑，白玉磐，付少剑，蒋红洁，许明艳，鲁涛，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：