Wee1抑制剂及其用途制造技术

技术编号:35770228 阅读:18 留言:0更新日期:2022-12-01 14:11
本发明专利技术提供了一类式I所示的具有Wee1抑制作用的新化合物及其在制备药物中的用途。作用的新化合物及其在制备药物中的用途。作用的新化合物及其在制备药物中的用途。

【技术实现步骤摘要】
Wee1抑制剂及其用途


[0001]本专利技术涉及一类具有Wee1抑制作用的新化合物及其在制备药物中的用途。

技术介绍

[0002]细胞周期是一个高度调节和控制的过程,目的在于使细胞仅按照特定的刺激和适当的条件进行增殖。正常的细胞周期会依次经历G1期、S期(DNA合成期)、G2期和M期(细胞分裂期)。在G1

S转换、S期、G2

M转换等期间具有数个周期阻滞检查点,用于维持基因组的完整性,并在进入有丝分裂前为修复损伤性DNA提供时间。
[0003]Wee1蛋白是一种酪氨酸激酶,它是G2

M细胞周期检查点的一个关键组成部分,可以阻止细胞DNA损伤进入有丝分裂。CDK1(Cyclin

dependent kinase 1)通过Wee1磷酸化其酪氨酸15而维持在无活性状态,然后CDK1在苏氨酸14被髓磷脂转录因子(MYT1)磷酸化。因此Wee1是G2

M转变中进入有丝分裂的负调节器,起着重要的监测作用。Wee1在很多恶性肿瘤中过表达,比如肝癌、乳腺癌、恶性胶质瘤、黑色素瘤、成人和儿童脑瘤。其中部分肿瘤细胞G1检查点异常,如果抑制Wee1活性会导致G2期检查点故障,导致没有修复的损伤DNA的细胞最终分裂致死。因此Wee1抑制剂在抗癌治疗中有关键作用,目前已成为抗癌药物的研发热点。
[0004]目前已有小分子Wee1抑制剂报道(WO2007126128、WO2004007499等),但尚未有Wee1抑制剂上市。目前研发进度最快的化合物是AZD

1775,已经进入临床II期实验,但临床实验中不良反应发生率较高,还需要开发新的活性更好、安全性更高的Wee1抑制剂药物。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种式I所示的化合物、或其氘代化合物、或其立体异构体、或其药学上可接受的盐:
[0006][0007]其中,
[0008]R1选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OR
11


C
0~4
亚烷基

NR
12
R
12

[0009]R
11
选自

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;
[0010]每个R
12
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;
[0011]C环选自C环选自
[0012]X1、X2、X4分别独立选自N或CR4;
[0013]X3选自N或CR3;
[0014]X5选自O、S或NR4;
[0015]X6选自CR4或N;
[0016]X8选自CR4R4、O;
[0017]X7选自S、NR4;R2选自
[0018]R
21
、R
22
分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OR
24


C
0~4
亚烷基

NR
24
R
24

[0019]每个R
24
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;
[0020]或者,R
21
、R
22
与相连原子一起形成3~8元碳环基、4~8元杂环烷基、
[0021]R
23
选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

C(O)R
25


C
0~4
亚烷基

C(O)NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

C(O)OR
25


C
0~4
亚烷基

S(O)2R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)(NH)R
25

‑本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.式I所示的化合物、或其氘代化合物、或其立体异构体、或其药学上可接受的盐:其中,R1选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OR
11


C
0~4
亚烷基

NR
12
R
12
;R
11
选自

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;每个R
12
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;C环选自C环选自X1、X2、X4分别独立选自N或CR4;X3选自N或CR3;X5选自O、S或NR4;X6选自CR4或N;X8选自CR4R4、O;X7选自S、NR4;X9选自CR4R4;R2选自R
21
、R
22
分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OR
24


C
0~4
亚烷基

NR
24
R
24
;每个R
24
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;
或者,R
21
、R
22
与相连原子一起形成3~8元碳环基、4~8元杂环烷基、R
23
选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

C(O)R
25


C
0~4
亚烷基

C(O)NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

C(O)OR
25


C
0~4
亚烷基

S(O)2R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)(NH)R
25


C
0~4
亚烷基

S(NH)2R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)2NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

S(O)(NH)NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

S(NH)2NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

OR
25


C
0~4
亚烷基

OC(O)R
25


C
0~4
亚烷基

OS(O)2R
25


C
0~4
亚烷基

OS(O)R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
C(O)R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
S(O)2R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
S(O)R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
S(O)(NH)R
25


C
0~4
亚烷基

NR
25
S(NH)2R
25
;每个R
25
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;或者,R
23
、R3与相连原子一起形成4~8元碳环基、4~8元杂环烷基;R3选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、羟基取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

N(C
1~6
烷基)(C
1~6
烷基);每个R4分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

N(C
1~6
烷基)(C
1~6
烷基);R5选自氢、

C
1~6
烷基;A环选自A环选自A环选自表示单键或双键;
Y1、Y2、Y3、Y4分别独立选自N或CR
Y
;每个R
Y
分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

N(C
1~6
烷基)(C
1~6
烷基);B环选自3~12元碳环基、4~12元杂环烷基;所述碳环基、杂环烷基可进一步被一个、两个、三个、四个或五个R
B
取代;每个R
B
分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OR
B1


C
0~4
亚烷基

OC(O)R
B1


C
0~4
亚烷基

SR
B1


C
0~4
亚烷基

S(O)2R
B1


C
0~4
亚烷基

S(O)R
B1


C
0~4
亚烷基

S(O)2NR
B1
R
B1


C
0~4
亚烷基

S(O)NR
B1
R
B1


C
0~4
亚烷基

C(O)R
B1


C
0~4
亚烷基

C(O)OR
B1


C
0~4
亚烷基

C(O)NR
B1
R
B1


C
0~4
亚烷基

NR
B1
R
B1


C
0~4
亚烷基

NR
B1
C(O)R
B1
、3~12元碳环基、4~12元杂环烷基;所述碳环基、杂环烷基可进一步被一个、两个、三个、四个或五个R
B1
取代;或者,两个独立的R
B
与相连原子一起形成每个R
B1
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基;R6、R7、R8、R9分别独立选自氢、卤素、氰基、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

N(C
1~6
烷基)(C
1~6
烷基);或者,R6、R7与相连原子一起形成3~8元碳环基、4~8元杂环烷基;或者,R8、R9与相连原子一起形成3~8元碳环基、4~8元杂环烷基;Y5、Y6分别独立选自化学键、

C
0~4
亚烷基

O



C
0~4
亚烷基

S



C
0~4
亚烷基

NR
Y51

、CR
Y51
R
Y51
;每个R
Y51
分别独立选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

N(C
1~6
烷基)(C
1~6
烷基);Y7选自O、S或NR
Y71
;R
Y71
选自氢、

C
1~6
烷基、

C
2~6
烯基、

C
2~6
炔基、卤素取代的

C
1~6
烷基、卤素取代的

C
2~6
烯基、卤素取代的

C
2~6
炔基、

C
0~4
亚烷基

OH、

C
0~4
亚烷基

O(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基

NH2、

C
0~4
亚烷基

NH(C
1~6
烷基)、

C
0~4
亚烷基
...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋利唐海马晓慧周水平蔡金勇董利明宋壮
申请(专利权)人:江苏天士力帝益药业有限公司
类型:发明
国别省市:

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