切晶粘晶膜及其制造方法、以及半导体封装及其制造方法技术

技术编号:35766091 阅读:22 留言:0更新日期:2022-12-01 14:02
一种切晶粘晶膜,其为具有切晶膜和层积于该切晶膜上的粘晶膜的切晶粘晶膜,其中,上述粘晶膜包含沸点为100℃以上且小于150℃并且蒸气压为50mmHg以下的有机溶剂,上述粘晶膜中的有机溶剂量满足下述(a)。(a)将1.0g粘晶膜在4℃下浸渍于丙酮10.0mL中24小时,此时被提取到该丙酮中的有机溶剂浓度为800μg以下。到该丙酮中的有机溶剂浓度为800μg以下。到该丙酮中的有机溶剂浓度为800μg以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切晶粘晶膜及其制造方法、以及半导体封装及其制造方法


[0001]本专利技术涉及切晶粘晶膜及其制造方法、以及半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来,正在普及将半导体芯片多层层积而成的堆栈型MCP(Multi Chip Package,多芯片封装),其搭载于移动电话、便携式音响设备用的内存封装等。另外,随着移动电话等的多功能化,封装的高密度化、高集成化也不断推进。与之相伴,半导体芯片的多层层积化正在发展。
[0003]这种内存封装的制造过程中的配线基板与半导体芯片的粘接、以及半导体芯片间的粘接使用粘晶膜(膜状粘接剂),使用不易因树脂流动或树脂爬升等而对半导体芯片或线焊盘等其他构件造成污染的粘晶膜。
[0004]关于粘晶膜,通常将粘晶膜的一个面贴附至半导体晶片,使另一个面与切晶膜密合,以切晶膜为基底将半导体晶片连同粘晶膜一起单片化(切晶)而制作半导体芯片,使用粘晶装置上的拾取筒夹(pickup collet)将半导体芯片连同粘晶膜一起从切晶膜剥离(拾取),接着将半导体芯片热压接(粘晶)至配线基板上,由此借由粘晶膜将半导体芯片搭载于配线基板上。具有切晶膜和设置于该切晶膜上的粘晶膜的层积膜被称为切晶粘晶膜。
[0005]作为这种切晶粘晶膜的一例,例如专利文献1中记载了一种由粘晶膜与切晶带层积而成的切晶粘晶膜,上述粘晶膜由含有固化性化合物、固化剂和聚酰亚胺颗粒的固化性树脂组合物构成,上述切晶带由UV固化型的丙烯酸系粘合剂构成。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2011

082480号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]若使用粘晶膜的半导体芯片的多层层积化进行,则半导体封装内部结构的致密性进一步变高,需要使粘晶膜的厚度精度更高。例如,若粘晶膜厚于设计值,则在基于设计值的规定安装条件下将半导体芯片安装于配线基板上时,容易发生树脂的溢出(渗出)。本专利技术人对这种粘晶膜的厚膜化的原因进行了研究,结果可知,粘晶膜形成用的清漆中使用的有机溶剂的挥发性产生影响。粘晶膜通常将粘晶膜形成用的清漆涂布至脱模膜上并将涂膜干燥而形成。在工业上,使用多功能涂布机等涂布机,由相同的清漆以几米~几十米的长度规模形成粘晶膜。这种情况下,清漆中使用的有机溶剂通常采用在不产生粘晶膜固化的比较低的温度区域容易干燥除去的有机溶剂。因此,从涂布开始至涂布结束,有机溶剂容易经时性地挥发,清漆中的成分浓度经时地变浓。其结果,形成的粘晶膜在长度方向上缓慢地厚膜化。
[0011]另外,本专利技术人在该研究中还可知,清漆中的成分浓度上升所导致的厚膜化具有
也会损坏粘晶膜表面的平滑性的倾向。即,具有越接近涂布结束时刻则粘晶膜表面平滑性越差的倾向,该平滑性的降低还与粘晶工序中的空隙产生有关。表面平滑性伴随着厚膜化降低的原因尚未确定,但认为原因之一在于,产生溶剂挥发的部分的成分浓度局部变浓等,清漆中的成分浓度产生不均。
[0012]本专利技术人为了应对上述厚膜化的问题,尝试使用沸点比较高的溶剂制备清漆来形成粘晶膜。但是,该情况下,可知:在涂布清漆后,难以充分地将溶剂干燥除去,在粘晶工序中的热压接时残留的溶剂喷出,容易产生空隙。空隙的产生不仅会降低加热固化后的粘接力,而且还会引起封装裂纹。
[0013]本专利技术的课题在于提供一种切晶粘晶膜,其为具有切晶膜和层积于该切晶膜上的粘晶膜的切晶粘晶膜,在其制造时能够充分确保粘晶膜形成时的厚度精度,在其使用时能够稳定地抑制粘晶工序中的渗出,并且还能充分抑制粘晶工序中的空隙产生。另外,本专利技术的课题在于提供上述切晶粘晶膜的制造方法、使用了上述切晶粘晶膜的半导体封装及其制造方法。
[0014]用于解决课题的手段
[0015]本专利技术人鉴于上述课题进行了反复深入的研究,结果发现,作为用于形成粘晶膜的清漆中使用的有机溶剂,不使用甲基乙基酮之类的作为所谓低沸点溶剂用于清漆的物质,而采用在100℃以上的特定的限定范围内具有沸点且蒸气压也在特定范围内的有机溶剂,进而将所得到的粘晶膜中的有机溶剂量降低至特定水平,由此能够解决上述所有技术课题。本专利技术是基于这些技术思想进一步反复研究而完成的。
[0016]本专利技术的上述课题通过以下手段得以解决。
[0017][1][0018]一种切晶粘晶膜,其为具有切晶膜和层积于该切晶膜上的粘晶膜的切晶粘晶膜,其中,
[0019]上述粘晶膜包含沸点为100℃以上且小于150℃并且蒸气压为50mmHg以下的有机溶剂,上述粘晶膜中的有机溶剂量满足下述(a)。
[0020](a)将1.0g粘晶膜在4℃下浸渍于丙酮10.0mL中24小时,此时被提取到该丙酮中的有机溶剂量为800μg以下。
[0021][2][0022]如[1]所述的切晶粘晶膜,其中,上述有机溶剂的沸点为103℃~135℃,蒸气压为3.0mmHg~35.0mmHg。
[0023][3][0024]如[2]所述的切晶粘晶膜,其中,在上述(a)中,被提取到上述丙酮中的有机溶剂量为400μg以下。
[0025][4][0026]如[1]~[3]中任一项所述的切晶粘晶膜,其中,上述粘晶膜含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、高分子成分(C)和无机填充材料(D),将该粘晶膜以5℃/分钟的升温速度从25℃升温时,120℃的熔融粘度达到500Pa
·
s~10000Pa
·
s的范围。
[0027][5][0028]如[1]~[4]中任一项所述的切晶粘晶膜,其中,上述切晶膜为能量射线固化性。
[0029][6][0030][1]~[5]中任一项所述的切晶粘晶膜的制造方法,其包括:使用将上述粘晶膜的构成成分溶解或分散于沸点为100℃以上且小于150℃并且蒸气压为50mmHg以下的有机溶剂中而成的清漆进行成膜,对所得到的膜进行干燥处理,形成上述粘晶膜。
[0031][7][0032]如[6]所述的切晶粘晶膜的制造方法,其中,上述清漆中使用的有机溶剂的沸点为103℃~135℃,蒸气压为5.0mmHg~35.0mmHg。
[0033][8][0034]一种半导体封装,其为半导体芯片与配线基板和/或半导体芯片间通过粘接剂的热固化体粘接而成,该粘接剂来自[1]~[5]中任一项所述的切晶粘晶膜的粘晶膜。
[0035][9][0036]一种半导体封装的制造方法,其包括:
[0037]第1工序,按照粘晶膜与半导体晶片的背面相接的方式,将[1]~[5]中任一项所述的切晶粘晶膜热压接设置在表面形成有至少1个半导体电路的半导体晶片的背面;
[0038]第2工序,一体地切割上述半导体晶片和上述粘晶膜,由此在切晶膜上得到具备粘晶膜片和半导体芯片的带粘接剂层的半导体芯片;
[0039]第3工序,将上述带粘接剂层的半导体芯片从上述切晶膜剥离,借由上述粘接剂层将上述带粘接剂层的半导体芯片与配线基本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切晶粘晶膜,其为具有切晶膜和层积于该切晶膜上的粘晶膜的切晶粘晶膜,其中,所述粘晶膜包含沸点为100℃以上且小于150℃并且蒸气压为50mmHg以下的有机溶剂,所述粘晶膜中的有机溶剂量满足下述(a),(a)将1.0g粘晶膜在4℃下浸渍于丙酮10.0mL中24小时,此时被提取到该丙酮中的有机溶剂量为800μg以下。2.如权利要求1所述的切晶粘晶膜,其中,所述有机溶剂的沸点为103℃~135℃,蒸气压为3.0mmHg~35.0mmHg。3.如权利要求2所述的切晶粘晶膜,其中,在所述(a)中,被提取到所述丙酮中的有机溶剂量为400μg以下。4.如权利要求1~3中任一项所述的切晶粘晶膜,其中,所述粘晶膜含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、高分子成分(C)和无机填充材料(D),将该粘晶膜以5℃/分钟的升温速度从25℃升温时,120℃的熔融粘度达到500Pa
·
s~10000Pa
·
s的范围。5.如权利要求1~4中任一项所述的切晶粘晶膜,其中,所述切晶膜为能量射线固化性。6.一种切晶粘晶膜的制造方法,其是权利要求1~...

【专利技术属性】
技术研发人员:森田稔大谷洋多丸山弘光
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1