【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护带以及使用该保护带的半导体芯片的制造方法。
技术介绍
1、在一般的半导体芯片的制造方法中，在利用光刻以及蚀刻技术在半导体晶圆上形成多个半导体芯片之后，沿着设置于各半导体芯片之间的切断线在半导体晶圆形成切缝，将半导体晶圆切断为多个半导体芯片。
2、该切断工序是在将半导体晶圆嵌入到环形框架（配置于半导体晶圆的外侧并支承半导体晶圆的框架）并将保护带粘接于半导体晶圆的元件形成面和环形框架的状态下进行的。此外，在切断工序之后，进行从与保护带相反侧按压半导体晶圆并取出多个半导体芯片的工序（拾取工序）。
3、作为该用途的保护带，例如可以举出专利文献1所记载的粘合性膜。该粘合性膜依次具备基材层、中间层以及粘合性树脂层，基材层的厚度x1小于中间层的厚度x2，基材层的在85℃下的储能模量e’为50mpa以上且10gpa以下，中间层的在85℃下的储能模量e’为1mpa以上且小于50mpa。具体而言，记载了基材层特别优选为聚萘二甲酸乙二醇酯，中间层特别优选为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。
4、现有技术文献
...【技术保护点】
1.一种保护带，具有基材和粘合剂层，粘贴于半导体晶圆而使用，
2.根据权利要求1所述的保护带，其中，
3.根据权利要求1所述的保护带，其中，
4.根据权利要求1所述的保护带，其中，
5.根据权利要求4所述的保护带，其中，
6.根据权利要求1所述的保护带，其中，
7.一种半导体芯片的制造方法，具有：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种保护带，具有基材和粘合剂层，粘贴于半导体晶圆而使用，
2.根据权利要求1所述的保护带，其中，
3.根据权利要求1所述的保护带，其中，
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：西川拓弥，河内山拓哉，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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