【技术实现步骤摘要】
气浴发生器及光刻设备
[0001]本专利技术涉及光刻
，尤其涉及一种气浴发生器及光刻设备。
技术介绍
[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]光刻技术是极大规模集成电路制造的关键技术之一，无论是投影式光刻、接近式光刻还是接触式光刻等等，光刻设备对工作环境的要求特别苛刻，主要表现在防止硅片微环境的颗粒污染和气体污染，光刻设备内的颗粒污染物和气体污染物都会降低光刻良率，缩短光学元件寿命。
[0004]现有技术中的气浴发生器，一方面颗粒污染物和气体污染物会从气浴发生器与曝光装置的下壳面之间进入；另一方面，由于气浴发生器环绕光学元件、掩模和硅片等关键部件设置，且其内的光学元件、掩模和硅片等关键部件需要水管、气管或者电导线连通，因此，气浴发生器需要开设豁口以方便水管、气管或者电导线通过，进而导致颗粒污染物和气体污染物会从气浴发生器的豁口处进入。
[0005]因此，需要对光刻设备内硅片微环境的气体污染物和颗粒污染物进行严格的控制。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气浴发生器，其特征在于，包括环体结构和出风口加强结构，所述环体结构设有豁口，所述环体结构在所述豁口处形成相对设置的两端；所述出风口加强结构设于所述两端，所述出风口加强结构包括第二出气口；所述环体结构用于围绕工作区域设置，且所述环体结构内形成有气体流道，所述环体结构上设置有与所述气体流道连通的沿周向分布的多个第一出气口，所述第二出气口与所述气体流道连通，流经所述第一出气口的气体能够形成围绕所述工作区域分布的封闭气流层，流经所述第二出气口的气体能够形成所述封闭气流层和封堵所述豁口的封堵气流层。2.根据权利要求1所述的气浴发生器，其特征在于，所述第一出气口设置于所述环体结构的顶部，所述气浴发生器的侧壁设置有与气源连通的至少一个进气口，且所述至少一个进气口与所述气体流道连通。3.根据权利要求1所述的气浴发生器，其特征在于，所述第二出气口设置于所述出风口加强结构的顶部。4.根据权利要求3所述的气浴发生器，其特征在于，所述出风口加强结构包括底板，所述底板设于所述环体结构的顶面，且所述底板上设有与所述气体流道连通的所述第二出气口。5.根据权利要求4所述的气浴发生器，其特征在于，所述出风口加强结构还包括侧板，所述侧板设于所述底板的顶面，所述侧板设有缺口，且所述缺口朝向所述豁口。6.根据权利要求4所述的气浴发生器，其特征在于，所述底板包括第一出气底板和第二出气底板，所述第一出气底板和所述第二出气...
【专利技术属性】
技术研发人员：王魁波，吴晓斌，罗艳，沙鹏飞，韩晓泉，李慧，谢婉露，高梓翔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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