半导体发光器件制造技术

半导体发光器件具有发光元件、密封树脂和导电部。所述发光元件具有在厚度方向上彼此离开的第一元件面和第二元件面、并且配置在所述第一元件面的第一元件电极，和配置在所述第二元件面的第二元件电极。所述密封树脂至少覆盖所述第二元件面。所述导电部构成向所述发光元件的导通路径，并且包括第一配线部、埋入部和第二配线部。在所述密封树脂形成有在所述厚度方向上延伸且通到所述第二元件电极的空隙部。所述第一配线部与所述第一元件电极导通、并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸。所述埋入部收纳在所述空隙部中，并且与所述第二元件电极相连。所述第二配线部与所述埋入部相连，并且沿着与所述厚度方向成直角的方向上延伸。并且沿着与所述厚度方向成直角的方向上延伸。并且沿着与所述厚度方向成直角的方向上延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体发光器件。

技术介绍

[0002]提案有在使用了半导体发光元件的汽车等中使用的3维距离测量中，使用LiDAR(Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging(光探测与测距、激光成像探测与测距))的系统(例如参照专利文献1)。作为LiDAR的光源来使用的半导体激光装置(半导体发光器件)射出脉冲宽度为数十nS以下的脉冲激光。因此，需要生成电流变化率快的脉冲波形，脉冲宽度越窄，需要将电流路径的电感成分设计得越小。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
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128432号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]鉴于上述的状况，本专利技术要解决的问题之一在于，提供能够实现电感成分的减少的半导体发光器件。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]依据本专利技术提供的半导体发光器件，包括：半导体发光元件，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一元件面和第二元件面、配置在所述第一元件面的第一元件电极以及配置在所述第二元件面的第二元件电极；密封树脂，其具有第一树脂面和第二树脂面，所述第一树脂面与所述第一元件面朝向相同方向即所述厚度方向一侧，所述第二树脂面与所述第二元件面朝向相同方向即所述厚度方向另一侧，所述密封树脂至少覆盖所述半导体发光元件的所述第二元件面；和导电部，其构成向所述半导体发光元件去的导通路径。所述密封树脂具有在所述厚度方向上贯通到所述第二元件电极的第二空隙部。所述导电部具有第一配线部、第二埋入部和第二配线部。所述第一配线部与所述第一元件电极导通，位于比所述第一元件面靠所述厚度方向一侧，并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸。所述第二埋入部被收纳在所述第二空隙部中，并且与所述第二元件电极相连。所述第二配线部与所述第二埋入部相连，位于比所述第二元件面靠所述厚度方向另一侧，并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸。
[0010]专利技术效果
[0011]依据上述结构，能够实现电感成分的减少。
[0012]本专利技术的其它的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细的说明能够更加明确。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件的主要部分平面图。
[0014]图2是表示图1的半导体发光器件的平面图，将电容器省略表示。
[0015]图3是表示图1的半导体发光器件的正面图。
[0016]图4是表示图1的半导体发光器件的底面图。
[0017]图5是沿着图1的V
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V线的截面图。
[0018]图6是沿着图1的VI
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VI线的截面图。
[0019]图7是图5的部分放大图。
[0020]图8是图5的部分放大图。
[0021]图9是表示图1的半导体发光器件的制造方法的一例的一个工序的截面图。
[0022]图10是表示接着图9的工序的截面图。
[0023]图11是图10的部分放大图。
[0024]图12是表示接着图10的工序的截面图。
[0025]图13是图12的部分放大图。
[0026]图14是表示接着图12的工序的截面图。
[0027]图15是表示接着图14的工序的截面图。
[0028]图16是图15的部分放大图。
[0029]图17是表示接着图15的工序的截面图。
[0030]图18是图17的部分放大图。
[0031]图19是表示接着图17的工序的截面图。
[0032]图20是表示接着图19的工序的截面图。
[0033]图21是表示包含本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件的半导体发光系统的电路图。
[0034]图22是表示本专利技术的第二实施方式的半导体发光器件的截面图。
[0035]图23是表示图22的半导体发光器件的制造方法的一例的一个工序的截面图。
[0036]图24是表示接着图23的工序的截面图。
[0037]图25是表示本专利技术的第三实施方式的半导体发光器件的主要部分平面图。
[0038]图26是表示图25的半导体发光器件的正面图。
[0039]图27是表示图25的半导体发光器件的底面图。
[0040]图28是沿着图25的XXVIII
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XXVIII线的截面图。
[0041]图29是沿着图25的XXIX
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XXIX线的截面图。
[0042]图30是沿着图25的XXX
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XXX线的部分截面图。
[0043]图31是表示本专利技术的第四实施方式的半导体发光器件的主要部分平面图。
[0044]图32是表示图31的半导体发光器件的正面图。
[0045]图33是表示图31的半导体发光器件的底面图。
[0046]图34是沿着图31的XXXIV
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XXXIV线的截面图。
[0047]图35是沿着图31的XXXV
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XXXV线的截面图。
[0048]图36是沿着图31的XXXVI
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XXXVI线的截面图。
[0049]图37是表示本专利技术的第五实施方式的半导体发光器件的主要部分平面图。
[0050]图38是表示图37的半导体发光器件的正面图。
[0051]图39是表示图37的半导体发光器件的底面图，将开关元件省略表示。
[0052]图40是沿着图37的XL
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XL线的截面图。
[0053]图41是沿着图37的XLI
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XLI线的截面图。
[0054]图42是沿着图37的XLII
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XLII线的截面图。
[0055]图43是表示本专利技术的第六实施方式的半导体发光器件的主要部分平面图。
[0056]图44是表示图43的半导体发光器件的平面图，将开关元件省略表示。
[0057]图45是表示图43的半导体发光器件的正面图。
[0058]图46是表示图43的半导体发光器件的底面图。
[0059]图47是沿着图43的XLVII
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XLVII线的截面图。
[0060]图48是沿着图43的XLVIII
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XLVIII线的截面图。
[0061]图49是沿着图43的XLIX
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XLIX线的截面图。
[0062]图50是沿着图43的L
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L线的截面图。
具体实施方式
[0063]以下，关于本专利技术的优选的实施方式参照附图进行具体的说明。
[0064]本专利技术中的“第一”、“第二”、“第三”等的用语只是作为标签使用的用语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：半导体发光元件，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一元件面和第二元件面、配置在所述第一元件面的第一元件电极以及配置在所述第二元件面的第二元件电极；密封树脂，其具有第一树脂面和第二树脂面，所述第一树脂面与所述第一元件面朝向相同方向即所述厚度方向一侧，所述第二树脂面与所述第二元件面朝向相同方向即所述厚度方向另一侧，所述密封树脂至少覆盖所述半导体发光元件的所述第二元件面；和导电部，其构成向所述半导体发光元件去的导通路径，所述密封树脂具有在所述厚度方向上贯通到所述第二元件电极的第二空隙部，所述导电部具有第一配线部、第二埋入部和第二配线部，所述第一配线部与所述第一元件电极导通，位于比所述第一元件面靠所述厚度方向一侧，并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸，所述第二埋入部被收纳在所述第二空隙部中，并且与所述第二元件电极相连，所述第二配线部与所述第二埋入部相连，位于比所述第二元件面靠所述厚度方向另一侧，并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸。2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述半导体发光元件为半导体激光元件，所述半导体发光器件包括开关元件，所述开关元件具有朝向所述厚度方向一侧的第一开关元件面和朝向所述厚度方向另一侧的第二开关元件面，以及栅极电极、源极电极和漏极电极，所述导电部构成向所述开关元件去的导通路径。3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：所述密封树脂覆盖所述开关元件的至少一部分，所述开关元件在所述厚度方向上配置在所述第一树脂面与所述第二树脂面之间。4.如权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：所述密封树脂具有第一层和第二层，所述第一层具有朝向所述厚度方向一侧的第一面，并且在与所述厚度方向成直角的方向看与所述半导体发光元件重叠，所述第二层配置在所述第一层的所述厚度方向另一侧，并且具有朝向所述厚度方向另一侧的第二面，所述开关元件跨所述第一层和所述第二层地配置，所述第二配线部沿着所述第二层的所述第二面配置。5.如权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于：所述漏极电极配置在所述第一开关元件面，所述栅极电极和所述源极电极配置在所述第二开关元件面，所述半导体发光器件包括电气地插设在所述漏极电极与所述第一元件电极之间的电容器。6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于：所述第二层覆盖所述第二开关元件面，并且具有在所述厚度方向上贯通到所述源极电极的第三空隙部，所述导电部具有被收纳在所述第三空隙部中并且与所述源极电极和所述第二配线部两者相连的第三埋入部。
7.如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：所述电容器相对于所述第一树脂面配置在所述厚度方向一侧，所述导电部具有与所述漏极电极导通并且沿着与所述厚度方向成直角的方向延伸的第三配线部，所述第一配线部和所述第三配线部在所述厚度方向上配置在相同位置。8.如权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于：所述密封树脂具有第三层，所述第三层配置在所述第一层的所述厚度方向一侧，具有朝向所述厚度方向一侧的第三面和朝向所述厚度方向另一侧的第四面，所述第三层覆盖所述第一元件面和所述第一开关元件面，并且具有在所述厚度方向上贯通到所述第一元件电极的第一空隙部和在所述厚度方向上贯通到所述漏极电极的第四空隙部，所述第一配线部和所述第三配线部沿着所述第三层的所述第三面配置，所述导电部具有第一埋入部和第四埋入部，所述第一埋入部被收纳在所述第一空隙部中，并且与所述第一元件电极和所述第一配线部两者相连，所述第四埋入部被收纳在所述第四空隙部中，并且与所述漏极电极和所述第三配线部两者相连。9.如权利要求7或8所述的半导体发光器件，其特征在于：所述密封树脂具有配置在所述第二层的所述厚度方向另一侧的第四层，所述第二配线部配置在所述第二层与所述第四层之间。10.如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：所述密封树脂覆盖所述电容器的至少一部分，所述密封树脂具有第三层，所述第三层配置在所述第一层的所述厚度方向一侧，并且具有朝向所述厚度方向一侧的第三面和朝向所述厚度方向另一侧的第四面，所述电容器在所述厚度方向上配置在所述第三面与所述第四面之间。11.如权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：所述第三层覆盖所述第一元件面，并且具有在所述厚度方向贯通到所述第一元件电极的第一空隙部和在所述厚度方向上贯通到所述电容器的第五空隙部，所述第一配线部沿着所述第三层的所述第三面配置，所述导电部具有第一埋入部和第五埋入部，所述第一埋入部被收纳在所述第一空隙部中，并且与所述第一元件电极和所述第一配线部两者相连，所述第五埋入部被收纳在所述第五空隙部中，并且与所述电容器和所述第一配线部两者相连。12.如权利要求11所述的半导体发光器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本晃辉，富士和则，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：