侧泵模块及半导体激光器制造技术

本发明专利技术提供一种侧泵模块及半导体激光器，涉及半导体技术领域，包括反射器和管体；反射器包括套筒；套筒包括至少三个第一侧壁，至少三个第一侧壁沿套筒的周向依次连接；每个第一侧壁上均设置透光结构，透光结构的延伸方向与套筒的轴向平行；管体能够透光，管体的侧壁上设有多个增透膜，多个增透膜沿管体的周向间隔设置，每个增透膜的延伸方向均与管体的轴向平行，相邻的两个增透膜之间的管体的侧壁上设有高反膜；套筒套设在管体外侧，多个透光结构与多个增透膜一一对应相对设置。本发明专利技术提供的侧泵模块能够提高泵浦光的利用率和改善热累积。泵模块能够提高泵浦光的利用率和改善热累积。泵模块能够提高泵浦光的利用率和改善热累积。

【技术实现步骤摘要】
侧泵模块及半导体激光器


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种侧泵模块及半导体激光器。

技术介绍

[0002]LD侧泵激光器具有总体效率高、频率稳定性好、使用寿命长且使用简便的优点，不仅在光通信、激光打标、测量和医疗等领域获得广泛应用,甚至已被广泛用于科研、军事、工业和医疗等重要领域。
[0003]现有的LD侧泵激光器包括芯片和晶体棒，芯片发出的泵浦光打到晶体棒上，激发晶体棒的两端发出1064nm激光。
[0004]然而，存在部分泵浦光发散角超过60
°
而未被射入晶体棒，射入晶体棒的泵浦光也会有部分未被晶体棒吸收而透过晶体棒，导致泵浦光的利用效率较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种侧泵模块，以解决现有技术中的LD侧泵激光器泵浦光的利用效率较低的技术问题。
[0006]本专利技术提供的侧泵模块，包括反射器和管体；所述反射器包括套筒；所述套筒包括至少三个第一侧壁，至少三个所述第一侧壁沿所述套筒的周向依次连接；每个所述第一侧壁上均设置透光结构，所述透光结构的延伸方向与所述套筒的轴向平行；所述管体能够透光，所述管体的侧壁上设有多个增透膜，多个所述增透膜沿所述管体的周向间隔设置，每个所述增透膜的延伸方向均与所述管体的轴向平行，相邻的两个增透膜之间的管体的侧壁上设有高反膜；所述套筒套设在所述管体外侧，多个所述透光结构与多个所述增透膜一一对应相对设置。
[0007]进一步地，所述侧泵模块还包括多个芯片阵列和多个流道；每个所述流道均包括第二侧壁，多个所述第二侧壁与多个所述第一侧壁一一对应相对设置；每个所述第二侧壁的外表面上均固设有芯片阵列；每个所述芯片阵列的延伸方向均与所述套筒的轴向平行，多个所述芯片阵列的出光口与多个所述透光结构一一对应相对设置。
[0008]进一步地，每个所述第二侧壁的外表面上均固设有多个热沉组件，多个热沉组件沿所述套筒的轴向间隔设置；每个所述热沉组件包括两个第一热沉片，两个所述第一热沉片间隔设置并形成缝隙结构，且所述缝隙结构的延伸方向与所述套筒的轴向平行；所述芯片阵列固定在所述缝隙结构内。
[0009]进一步地，所述第一热沉片包括第一片体和第二片体；沿所述套筒的轴向，所述第二片体设置在所述第一片体的两端；
沿第一方向，所述第一片体的厚度为A，所述第二片体的厚度为B，A＞B；所述第一方向与所述套筒的轴向垂直，且所述第一方向与所述第二侧壁的外表面平行。
[0010]进一步地，所述侧泵模块还包括第二热沉片和绝缘片；所述第二热沉片与所述第二侧壁的外表面固定，且所述第二热沉片伸入所述流道内部；所述绝缘片固定在所述第二热沉片远离所述第二侧壁的端面上，所述热沉组件固定在所述绝缘片上，所述绝缘片能够导热。
[0011]进一步地，所述第二热沉片伸入所述流道内部的端面上设有阻流结构。
[0012]进一步地，每个所述第二侧壁的外表面上设有多个芯片阵列，且多个所述芯片阵列沿所述套筒的轴向均匀间隔设置；两个相邻的第二侧壁上的芯片阵列沿所述套筒的轴向一一对应交错设置。
[0013]进一步地，所述侧泵模块还包括晶体棒，所述晶体棒伸入所述管体内，所述晶体棒与所述管体之间设有冷却介质。
[0014]进一步地，所述反射器的内表面为镜面，所述反射器由金属材料制成，且所述反射器的外表面镀有高反射率材料层。
[0015]本专利技术的目的还在于提供一种半导体激光器，包括本专利技术提供的侧泵模块。
[0016]本专利技术提供的侧泵模块，包括反射器和管体；所述反射器包括套筒；所述套筒包括至少三个第一侧壁，至少三个所述第一侧壁沿所述套筒的周向依次连接；每个所述第一侧壁上均设置透光结构，所述透光结构的延伸方向与所述套筒的轴向平行；所述管体能够透光，所述管体的侧壁上设有多个增透膜，多个所述增透膜沿所述管体的周向间隔设置，每个所述增透膜的延伸方向均与所述管体的轴向平行，相邻的两个增透膜之间的管体的侧壁上设有高反膜；所述套筒套设在所述管体外侧，多个所述透光结构与多个所述增透膜一一对应相对设置。芯片出射的泵浦光依次通过透光结构和增透膜后，大部分进入晶体棒，进入晶体棒的泵浦光大部分被晶体棒吸收，其余部分未被晶体棒吸收的泵浦光射出晶体棒，随后被高反膜反射回晶体棒，进行二次吸收利用；另一部分未进入晶体棒的泵浦光在高反膜和套筒内壁之间反射，随后通过套筒内壁再反射穿过增透膜并射入晶体棒被二次吸收利用，综上，本专利技术提供的侧泵模块能够提高泵浦光的利用率。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本专利技术实施例提供的侧泵模块的结构示意图;图2是本专利技术实施例提供的侧泵模块中反射器的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的侧泵模块中管体的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的侧泵模块中流道的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的侧泵模块中芯片阵列的结构示意图。
[0019]图标：1
‑
反射器；11
‑
第一侧壁；12
‑
透光结构；2
‑
管体；21
‑
增透膜；22
‑
高反膜；3
‑
晶
体棒；4
‑
流道；41
‑
第一热沉片；411
‑
第一片体；412
‑
第二片体；5
‑
芯片阵列；6
‑
绝缘片；7
‑
第二热沉片。
具体实施方式
[0020]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]本专利技术提供了一种侧泵模块及半导体激光器，下面给出多个实施例对本专利技术提供的侧泵模块及半导体激光器进行详细描述。
[0022]实施例1本实施例提供的侧泵模块，如图1至图5所示，包括反射器1和管体2；反射器1包括套筒；套筒包括至少三个第一侧壁11，至少三个第一侧壁11沿套筒的周向依次连接；每个第一侧壁11上均设置透光结构12，透光结构12的延伸方向与套筒的轴向平行；管体2能够透光，管体2的侧壁上设有多个增透膜21，多个增透膜21沿管体2的周向间隔设置，每个增透膜21的延伸方向均与管体2的轴向平行，相邻的两个增透膜21之间的管体2的侧壁上设有高反膜22；套筒套设在管体2外侧，多个透光结构12与多个增透膜21一一对应相对设置。
[0023]芯片出射的泵浦光依次通过透光结构12和增透膜21后，大部分进入晶体棒3，进入晶体棒3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种侧泵模块，其特征在于，包括反射器和管体；所述反射器包括套筒；所述套筒包括至少三个第一侧壁，至少三个所述第一侧壁沿所述套筒的周向依次连接；每个所述第一侧壁上均设置透光结构，所述透光结构的延伸方向与所述套筒的轴向平行；所述管体能够透光，所述管体的侧壁上设有多个增透膜，多个所述增透膜沿所述管体的周向间隔设置，每个所述增透膜的延伸方向均与所述管体的轴向平行，相邻的两个增透膜之间的管体的侧壁上设有高反膜；所述套筒套设在所述管体外侧，多个所述透光结构与多个所述增透膜一一对应相对设置。2.根据权利要求1所述的侧泵模块，其特征在于，所述侧泵模块还包括多个芯片阵列和多个流道；每个所述流道均包括第二侧壁，多个所述第二侧壁与多个所述第一侧壁一一对应相对设置；每个所述第二侧壁的外表面上均固设有芯片阵列；每个所述芯片阵列的延伸方向均与所述套筒的轴向平行，多个所述芯片阵列的出光口与多个所述透光结构一一对应相对设置。3.根据权利要求2所述的侧泵模块，其特征在于，每个所述第二侧壁的外表面上均固设有多个热沉组件，多个热沉组件沿所述套筒的轴向间隔设置；每个所述热沉组件包括两个第一热沉片，两个所述第一热沉片间隔设置并形成缝隙结构，且所述缝隙结构的延伸方向与所述套筒的轴向平行；所述芯片阵列固定在所述缝隙结构内。4.根据权利要求3所述的侧泵模块，其特征在于，所述第一热沉片包括第一片体和第二片体；沿所述套筒的轴向，所述第二片体设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：於静静，张艳春，雷谢福，刘杰，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：