隔膜真空计制造技术

本发明专利技术提供一种隔膜真空计，不受电缆的寄生电容和杂散电容的影响地测量传感器芯片的电极间的静电电容。隔膜真空计具备：传感器芯片(1)，其具有形成在基座上的第一电极、和在与基座隔开间隙配置的隔膜上以与第一电极相对的方式形成的第二电极，第一、第二电极的间隔根据由被测定介质的压力引起的膜片的位移而变化；运算放大器(A1)，其将从第一电极输出的电流转换为电压并放大；以及同轴电缆(21)，其连接第一电极和运算放大器(A1)。第一电极通过同轴电缆(21)的芯线(22)与运算放大器(A1)的虚拟接地连接。虚拟接地连接。虚拟接地连接。

【技术实现步骤摘要】
隔膜真空计


[0001]本专利技术涉及隔膜真空计。

技术介绍

[0002]电容检测型隔膜真空计通过电容的变化来检测膜片的位移，从而测量压力。隔膜真空计需要检测微小的电容变化，因此测量值受到寄生电容或杂散电容(浮遊容量)的影响。特别是受到从传感器部到电路部的布线的寄生电容或杂散电容的影响。因此，通常为了极力缩短布线，需要在传感器部附近配置电路部。
[0003]隔膜真空计大多用于半导体制造装置。半导体的制程气体如果温度不适当，则会液化或固化，附着在隔膜真空计的传感器部，影响测量。因此，为了防止液化或固化的制程气体的附着，隔膜真空计需要在隔膜真空计的内部或外部设置加热装置进行加热(参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。在这样的隔膜真空计中，当在传感器部附近设置耐热性低的电路时，存在以下问题。
[0004](I)为了使热量不从传感器部传递到电路部，需要隔热结构。(II)需要电路部的散热。(III)在即使进行隔热和散热，电路部的温度还是会上升的情况下，需要降低电路部的周围温度。
[0005]如上所述，如果在传感器部的附近设置电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔膜真空计，其特征在于，具备：传感器芯片，其具有形成在基座上的第一电极、和在与所述基座隔着间隙配置的膜片上以与所述第一电极相对的方式形成的第二电极，所述第一电极、所述第二电极的间隔根据由被测定介质的压力引起的所述膜片的位移而改变；第一运算放大器，其将从所述第一电极输出的电流转换为电压并进行放大；以及同轴电缆，其连接所述第一电极和所述第一运算放大器，所述第一电极通过所述同轴电缆的芯线与所述第一运算放大器的虚拟接地连接。2.根据权利要求1所述的隔膜真空计，其特征在于，所述同轴电缆的屏蔽线与包含所述第一运算放大器的电路部的接地连接。3.根据权利要求1或2所述的隔膜真空计，其特征在于，还具备：第一同轴连接器，其设置在包含所述第一运算放大器的电路部侧，中心触头与所述第一运算放大器的虚拟接地连接，第二同轴连接器，其一端安装在与所述第一电极连接的所述同轴电缆的另一端，中心触头与所述同轴电缆的芯线的另一端连接，所述第一同轴连接器和所述第二同轴连接器嵌合，由此连接所述第一电极和所述第一运算放大器的虚拟接地。4.根据权利要求1或2所述的隔膜真空计，其特征在于，还具备：第二运算放大器，其将传感器驱动信号施加到所述第二电极；以及电缆，其连接所述第二运算放大器的输出端子和所述第二电极。5.根据权利要求1或2所述的隔膜真空计，其特征在于，还具备：电容计算部，其根据所述第一运算放大器的输出信号计算所述第一电极、所述第二电极间的静电电容的值；以及压力测量部，其将所述静电电容转换为压力测量值。6.一种隔膜真空计，其特征在于，具备：传感器芯片，其具有形成在基座上的第一电极、在与所述基座隔开间隙配置的膜片上以与所述第一电极相对的方式形成的第二电极、形成在所述第一电极的外侧的所述基座上的第三电极、以及在所述第二电极的外侧的所述膜片上以与所述第三电极相对的方式形成的第四电极，所述第一电极、所述第二电极的间隔根据由被测定介质的压力引起的所述膜片的位移而改变；第一运算放大器，其将从所述第一电极输出的电流转换为电压并进行放大；第二运算放大器，其将从所述第三电极输出的电流转换为电压并进行放大；第一同轴电缆，其连接所述第一电极和所述第一运算放大器；以及第二同轴电缆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川康秀，小原圭辅，市原純，佐藤公洋，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：