一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法技术

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。从而保证陶瓷薄膜硅的性能。从而保证陶瓷薄膜硅的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体加工
，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法。

技术介绍

[0002]电容薄膜真空计，又称为薄膜规，广泛用于真空测量行业中。具有量程宽，响应快，重复性好，性能稳定及结构紧凑灵活等特点，电容式薄膜真空计的原理是弹性检测膜片在其两侧不同真空环境的压差作用下产生变形，导致电容变化，转换电路将此电容变化信号转化为电压或电流信号输出，通过信号处理即可得到待测腔体当前气压值。
[0003]电容薄膜真空计传感器的关键技术在于传感器上的膜片的制作以及膜片与外壳之间的连接密封，现有技术中，普遍应用的连接密封工艺是通过上下壳体夹紧陶瓷膜片并通过涂抹玻璃浆料等密封材料对上下壳体以及陶瓷膜片进行焊接，而在焊接过程中需要施加压力来校正膜间距，因此，密封材料的焊接可能带来不应有的应力，影响陶瓷薄膜规的性能。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，通过将电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤:S100、制作芯轴组件（100），所述芯轴组件（100）包括由上到下依次连接的固定电极（110）、上支撑板（120）、感应电极（130）、膜片（140）和下支撑板（150），所述感应电极（130）与所述膜片（140）在周向上凸出于所述上支撑板（120）与所述下支撑板（150），所述上支撑板（120）的上表面安装有上支撑杆（160），所述下支撑板（150）的下表面安装有下支撑杆（170）；S200、利用气相沉积反应在所述芯轴组件（100）外生成外壳（180）；S300、冷却所述芯轴组件（100）以及所述外壳（180），并拆除所述上支撑杆（160）和所述下支撑杆（170）；S400、向所述外壳（180）内通入氧化气体并加热氧化以消除所述上支撑板（120）和所述下支撑板（150）；S500、对所述外壳（180）进行密封得到所述电容薄膜真空计传感器。2.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述感应电极（130）通过沉积或涂刷的方式生成在所述膜片（140）的上表面，所述固定电极（110）通过沉积或涂刷的方式生成在所述上支撑板（120）的上表面。3.根据权利要求1所述的一种电容薄膜真空计传感器的制作方法，其特征在于，所述上支撑板（120）顶部设置有第一螺纹孔（181），用于安装上支撑杆（160），所述下支撑板（150）底部设置有第二螺纹孔（182），用于安装下支撑杆（170）。4.根据权利要求3所述的一种电容薄膜真空计传感器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄星星，刘乔，侯少毅，王凤双，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：