压力传感器制造技术

本发明专利技术提供一种压力传感器，其降低由成膜工艺引起的堆积所造成的零点偏移。本发明专利技术具有：传感器元件；壳体(管壳)；支撑膜片，具有导压用的开口部；以及台座构件，与传感器元件协同夹持支撑膜片。传感器元件以堵塞支撑膜片的开口部的状态与支撑膜片接合。台座构件具有导压部，且以导压部与支撑膜片的开口部重合的方式与支撑膜片接合。台座构件的导压部由多个具有相同形状的开口的导压孔构成。多个导压孔配置于与支撑膜片的中心同轴的多个同心圆上，并且配置成在支撑膜片的开口部平面的每单位面积中均等地分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有与被测定流体接触的膜片的压力传感器。

技术介绍

1、使用静电电容式的压力传感器的真空计例如用于半导体制造装置中。这种真空计除了用于由半导体制造装置进行的各种工序中的成膜工序之外，也用于对si等的晶片进行蚀刻的工序中。作为在成膜工序中实施的成膜方法，有溅镀、化学气相沉积(chemicalvapor deposition，cvd)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)等。

2、在由半导体制造装置进行的成膜/蚀刻工序中，所形成的膜或工艺中所生成的副产物或多或少地堆积于腔室或配管、泵内部，而引起各种故障。其中，已知在对工艺的气体压力进行测量/控制的真空计的压力传感器的膜片(diaphragm)受压面上堆积所述物质会导致其零点的偏移或压力灵敏度的变化，对成膜或蚀刻的品质带来大的影响。

3、作为欲通过在隔膜真空计的膜片的受压面上进行结构化来抑制堆积膜的影响的尝试，提出了如专利文献1及专利文献2所示的膜片的结构。在这些专利文献1、专利文献2中，记述了如下方法：通过在膜片的受压面上设置梁结构以形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压力传感器，包括：传感器元件，对压力进行检测；

2.一种压力传感器，包括：传感器元件，对压力进行检测；

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种压力传感器，包括：传感器元件，对压力进行检测；

2.一种压力传感器，包括：传感器元件，对压力进行检测；

3.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：関根正志，石原卓也，松仪泰明，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：