发光装置制造方法及图纸

技术编号:35632534 阅读:14 留言:0更新日期:2022-11-16 16:25
本实用新型专利技术提供一种发光装置。发光装置包括一基板、一控制元件、一光反射层以及一发光元件。控制元件设置于基板上,且具有一上表面、一下表面以及四个侧表面,其中下表面面向基板,上表面相反于下表面,且侧表面连接上表面和下表面。光反射层包覆控制元件,且接触上表面和侧表面。发光元件设置于基板上。发光元件设置于基板上。发光元件设置于基板上。

【技术实现步骤摘要】
发光装置


[0001]本技术涉及一种发光装置。更具体地来说,本技术尤其涉及一种具有控制元件的发光装置。

技术介绍

[0002]随着科技的进步,人们对于发光装置的要求日益提高,不仅要求高发光效能,更要求低耗电量,因此发光二极管(LED)技术备受重视。发光二极管的优点在于发光效率高、反应时间快、使用寿命长以及不含汞等。除此之外,发光二极管还具有耐机械冲击、体积小、色域广泛等优点。因此,发光二极管便渐渐取代传统的发光装置。随着近年来发光二极管的快速发展,使发光二极管的应用领域大幅扩张,俨然成为二十一世纪的新型光源。就光源的应用而言,发光效率便是关键性的产品规格,因此许多研究者致力于提高发光二极管光效率。
[0003]然而,根据发光装置的小型化需求,发光二极管和控制发光二极管的芯片往往会相邻,从而会使得发光装置产生暗区,且发光二极管提供的光线也可能被芯片吸收造成发光效率下降。因此,如何解决前述各项问题始成一重要的课题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提出一种发光装置,以解决上述至少一个问题。
[0005]为了解决上述公知的问题点,本技术提供一种发光装置,包括一基板、一控制元件、一光反射层以及一发光元件。控制元件设置于基板上,且具有一上表面、一下表面以及四个侧表面,其中下表面面向基板,上表面相反于下表面,且侧表面连接上表面和下表面。光反射层包覆控制元件,且接触上表面和侧表面。发光元件设置于基板上。
[0006]本技术一些实施例中,前述发光装置还包括一光穿透层,设置于基板上且包覆光反射层和发光元件。光反射层和光穿透层的一顶面之间形成一间隙。
[0007]本技术一些实施例中,前述侧表面包括一第一侧表面和一第二侧表面,且光反射层包括一第一侧边边缘、一第二侧边边缘以及一顶侧边缘。第一侧表面、第二侧表面和上表面分别面向第一侧边边缘、第二侧边边缘和顶侧边缘。第一侧表面和第一侧边边缘之间的距离大致相同于第二侧表面和第二侧边边缘之间的距离。上表面和顶侧边缘之间的距离大于或等于第一侧表面和第一侧边边缘之间的距离。于一些实施例中,上表面和顶侧边缘之间的距离小于第一侧表面和第一侧边边缘之间的距离。
[0008]本技术一些实施例中,前述光反射层包括一包覆部,且包覆部大致具有一长方体结构。
[0009]本技术一些实施例中,前述光反射层还包括一延伸部,连接且围绕包覆部,其中延伸部的厚度小于包覆部的厚度。
[0010]本技术一些实施例中,前述光反射层大致具有一球缺结构,且球缺结构的直径大致介于1毫米至3毫米。
[0011]本技术一些实施例中,前述光反射层的厚度大致介于150微米至200微米。
[0012]本技术一些实施例中,前述光反射层更接触控制元件的该下表面。
[0013]本技术一些实施例中,前述光反射层包括半硬化阶段(B

stage)胶体、硅、树脂或压克力。
[0014]本技术一些实施例中,前述控制元件包括一芯片和一包覆层,包覆层包覆芯片,且光反射层包覆包覆层,其中包覆层可包括二氧化钛、氧化硼或二氧化硅。于一些实施例中,控制元件包括一芯片,且该反射层直接接触芯片。又于一些实施例中,控制元件包括一芯片和一玻璃基板,芯片设置于玻璃基板上,且光反射层包覆芯片和玻璃基板。
[0015]本技术亦提供一种发光装置,包括一基板、一控制元件、一光反射层以及多个发光元件。控制元件设置于基板上。光反射层包覆控制元件。发光元件设置于基板上。其中,发光元件的至少部分设置于一范围内,控制元件与此范围相邻,且控制元件与此范围内的发光元件电性连接。
[0016]本技术一些实施例中,前述发光元件还包括一另一控制元件和一另一光反射层。另一控制元件设置于基板上,另一光反射层包覆另一控制元件。发光元件的至少部分设置于一另一范围内,另一控制元件与另一范围相邻,且另一控制元件与另一范围内的发光元件电性连接。其中,光反射层大致具有一长方体结构,且另一光反射层大致具有一球缺结构。
附图说明
[0017]根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本技术实施例。应注意的是,根据本产业的标准惯例,附图中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上,可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸,以做清楚的说明。
[0018]图1为本技术一实施例的发光装置的示意图。
[0019]图2为图1中沿A

A方向的剖视图。
[0020]图3为本技术一实施例中的控制元件和光反射层的示意图。
[0021]图4为图1中沿B

B方向的剖视图。
[0022]图5为本技术另一实施例中的发光装置的示意图。
[0023]图6为本技术另一实施例中的发光装置的示意图。
[0024]图7为本技术另一实施例中的发光装置的示意图。
[0025]图8A为本技术一些实施例中的控制元件和光反射层的示意图。
[0026]图8B为本技术一些实施例中的控制元件和光反射层的示意图。
[0027]图8C为本技术一些实施例中的控制元件和光反射层的示意图。
[0028]附图标记如下:
[0029]100:基板
[0030]200:控制元件
[0031]201:上表面
[0032]202:下表面
[0033]203:侧表面
[0034]203A:第一侧表面
[0035]203B:第二侧表面
[0036]203C:第三侧表面
[0037]203D:第四侧表面
[0038]210:芯片
[0039]220:包覆层
[0040]230:玻璃基板
[0041]300:发光元件
[0042]400:光反射层
[0043]401:第一侧边边缘
[0044]402:第二侧边边缘
[0045]403:第三侧边边缘
[0046]404:第四侧边边缘
[0047]405:顶侧边缘
[0048]410:包覆部
[0049]420:延伸部
[0050]500:光穿透层
[0051]501:顶面
[0052]600:光学薄膜
[0053]700:荧光胶
[0054]A1,A2,A3,A4,B1,B2:范围
[0055]D1,D2,D3,D4,D5:距离
[0056]E:发光装置
[0057]G:间隙
[0058]T1,T2:厚度
具体实施方式
[0059]以下说明本技术的固定机构。然而,可轻易了解本技术提供许多合适的技术概念而可实施于广泛的各种特定背景。所公开的特定实施例仅仅用于说明以特定方法使用本技术,并非用以局限本技术的范围。
[0060]除非另外定义,在此使用的全本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置,其特征在于,包括:一基板;一控制元件,设置于该基板上,且具有一上表面、一下表面以及四个侧表面,其中该下表面面向该基板,该上表面相反于该下表面,且多个所述侧表面连接该上表面和该下表面;一光反射层,包覆该控制元件,且接触该上表面和多个所述侧表面;以及一发光元件,设置于该基板上。2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该发光装置还包括一光穿透层,设置于该基板上且包覆该光反射层和该发光元件。3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该光反射层和该光穿透层的一顶面之间形成一间隙。4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,多个所述侧表面包括一第一侧表面和一第二侧表面,且该光反射层包括一第一侧边边缘和一第二侧边边缘,其中该第一侧表面和该第二侧表面分别面向该第一侧边边缘和该第二侧边边缘,且该第一侧表面和该第一侧边边缘之间的距离相同于该第二侧表面和该第二侧边边缘之间的距离。5.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,多个所述侧表面包括一第一侧表面,且该光反射层包括一第一侧边边缘和一顶侧边缘,其中该第一侧表面和该上表面分别面向该第一侧边边缘和该顶侧边缘,且该上表面和该顶侧边缘之间的距离大于或等于该第一侧表面和该第一侧边边缘之间的距离。6.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,多个所述侧表面包括一第一侧表面,且该光反射层包括一第一侧边边缘和一顶侧边缘,其中该第一侧表面和该上表面分别面向该第一侧边边缘和该顶侧边缘,且该上表面和该顶侧边缘之间的距离小于该第一侧表面和该第一侧边边缘之间的距离。7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该光反射层包括一包覆部,且该包覆部具有一长方体结构。8.如权利要求7所述的发光装置,其特征在于,该光反射层还包括一延伸部,连接且围绕该包覆部,其中该延伸部的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈富鑫林峻弘施理健林俊民
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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