半导体制造设备及方法技术

本发明专利技术涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制喷淋组件调控反应气体在真空反应腔体内的分布；喷淋组件中，若干调气孔分散设于喷淋壳体面向反应台的一侧；调节组件包括安装板、阵列驱动电路和若干气体微控器件；安装板设有若干安装孔，气体微控器件设于安装孔处，气体微控器件能够被阵列驱动电路分别控制，调控安装孔的出气面积；安装孔连通喷淋腔与调气孔。上述设置有利于提高外延晶片厚度的均匀性。于提高外延晶片厚度的均匀性。于提高外延晶片厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备及方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产
，尤其涉及一种半导体制造设备及方法。

技术介绍

[0002]半导体制造设备用于制造半导体薄片单晶，通过将承载于载气中的气态金属有机化合物通入反应器中，在被加热的基片衬底上进行分解、氧化、还原等反应，最后生成物沉积到衬底上进而形成薄膜。
[0003]有机金属化学气相沉积加热系统通过加热衬底载物台，来为晶体外延的生长提供均匀、稳定的温度边界，并为外延晶片的生长所需的物理化学反应提供相应的能量。其中，温度的均匀性直接影响外延晶片的厚度，但是，在大尺寸的外延晶片生长时，衬底的温差对外沿晶片的厚度产生较大的影响，存在膜厚不均匀的现象。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体制造设备及方法，以解决温差对大尺寸的外延晶片产生较大影响，导致外延晶片膜厚不均匀的情况。
[0005]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一方面，本专利技术提供一种半导体制造设备，该半导体制造设备包括：真空反应腔体和控制器，所述真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体制造设备，其特征在于，包括：真空反应腔体和控制器，所述真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台（100）和膜厚监测组件（43）；所述控制器能获取所述膜厚监测组件（43）测得所述反应台（100）上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制所述喷淋组件调控所述反应气体在所述真空反应腔体内的分布；所述喷淋组件包括：喷淋壳体（1），内部设有喷淋腔（11）；进气管（2），所述进气管（2）设于所述喷淋壳体（1），所述进气管（2）的出口与所述喷淋腔（11）连通；调气孔（3），所述调气孔（3）设有若干个，分散设于所述喷淋壳体（1）面向所述反应台（100）的一侧；调节组件（4），所述调节组件（4）包括安装板（41）、阵列驱动电路（44）和若干气体微控器件；所述安装板（41）设有若干安装孔（411），所述气体微控器件设于所述安装孔（411）处，所述气体微控器件能够被所述阵列驱动电路（44）分别控制，调控所述安装孔（411）的出气面积；所述安装孔（411）的一端与所述喷淋腔（11）连通，另一端与所述调气孔（3）的入口连通。2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述安装板（41）设有限位台阶（412），所述限位台阶（412）设于所述安装孔（411）外周，所述气体微控器件嵌入设置在所述限位台阶（412）内。3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气体微控器件包括压电陶瓷（42），且设于所述限位台阶（412），所述压电陶瓷（42）能够根据驱动电压伸缩，在初始状态下能遮挡所述安装孔（411）第一面积，所述压电陶瓷（42）膨胀到最大状态时能遮挡所述安装孔（411）第二面积，所述第二面积小于等于所述安装孔（411）的面积且大于所述第一面积。4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁舰，张正杰，王智伟，
申请(专利权)人：材料科学姑苏实验室，
类型：发明
国别省市：