本申请公开了一种基于钙铁石与钙钛矿异质结的混合阻变机理忆阻器及其制备方式。在本发明中，首次将钙铁石/钙钛矿/钙铁石的异质结结构应用于忆阻器器件的阻变层中。该忆阻器采用了钙铁石晶体结构中的本身存在的氧空位通道和钙铁石与钙钛矿界面产生的垂直...

本发明提供一种传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述传输层的材料包括含有羰基和重氮基团的添加剂，所述传输层包括空穴传输层和/或电子传输层；所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的金属电极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和透明导电衬底...

本发明涉及电数字数据处理技术领域，尤其涉及一种文档关键词确定方法、装置、设备及介质。其中，方法包括：在接收到待处理文档之后，根据文档向量，检索主题相似的目标文档；根据目标文档的关键词，确定第一类候选关键词；将关键词提取提示指令输入至预先...

本发明公开了一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法。所述3D集成忆阻器包括沿选定方向依次层叠设置的p型衬底、氮化物功能层和顶部电极。其中，所述p型衬底与所述氮化物功能层构成pn异质结构，所述顶部电极层的功函数与所述氮化物功能层的费米...

本发明提供了一种液滴发射装置以及液滴发射方法，所述液滴发射装置包括液滴发射控制系统，液滴发射单元，第一液体源，第二液体源；所述液滴发射单元包括第一液体驱动单元，第二液体驱动单元，液滴发射驱动器，液体连通腔室，液体喷孔；所述液滴发射控制系...

本发明提供了一种氮化镓紫外光突触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，所述氮化镓紫外光突触器件包括从下到上依次设置的衬底层、氮化镓掺杂吸光层和图形化电极；氮化镓掺杂吸光层用于在紫外光信号的激励下产生光生载流子，图形化电极用于收集所述光生...

本发明提供一种二维纳米材料的金属原子催化生长方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将待生长的二维纳米材料转移至微栅；(2)采用热处理方法将所述金属原子掺杂于所述二维纳米材料；(3)使用电子束辐照掺杂后的所述二维纳米材料进行生长。所述生长...

本发明提供了一种基于黑粉回收的动力电池电芯减碳量的核算方法，所述方法包括：获取黑粉回收率、回收电芯的能量密度、黑粉在电芯中的质量占比和电芯减碳量的分配系数，将上述数值输入预设的电芯减碳量模型，得到每千瓦时电芯的减碳量；解决了现有技术中仅...

本发明实施例公开了一种半导体器件及激光器，该半导体器件包括衬底；下限制层，位于衬底一侧；下波导层，位于下限制层远离衬底的一侧；量子阱，位于下波导层远离下限制层的一侧；上波导层，位于量子阱远离下波导层的一侧；上限制层，位于上波导层远离量子...

本实用新型属于石英管技术领域，公开了一种石英管组件，包括第一管体

本发明公开了一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器，包括：提供衬底；在衬底一侧依次生长

本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限...

本发明提供一种新型二维材料与有机薄膜混合忆阻器的制备方法，所述制备方法所加工的器件结构从下到上依次为衬底、底电极、阻变层、有机材料薄膜和顶电极。该忆阻器能够在较小的电压刺激下实现开启状态，表现出良好的循环性能和保持特性，同时具有制备简单...

本发明涉及一种方舱板材及其制备方法、方舱。方舱板材包括依次层叠设置的第一蒙皮层、第一蜂窝夹芯层、第二蒙皮层、第二蜂窝夹芯层和第三蒙皮层；第一蒙皮层包括至少一层第一子层和至少一层第二子层；第二蒙皮层包括至少一层第三子层和至少一层第四子层；...

本发明公开了一种仪器真空泵系统的级联控制系统和方法，该系统包括多个真空泵、离子规、前级规、串口数据采集器、工业一体机等。工业一体机具备数据监测和数据追溯功能。操作者通过工业一体机执行真空泵的启停只需要模式激活、系统自检、级联启停操作。本...

本发明属于通道式物品消毒装置技术领域，公开辊筒、通道式输送装置及控制方法，辊筒包括筒体、光源件以及开关控制件，光源件安装于筒体的周部，光源件包括灯，灯为UV灯或者UVLED；开关控制件至少设置一个，开关控制件与光源件电性连接，开关控制件...

本发明提供了一种悬膜式微型加热器、制备方法及气体传感器，涉及电子器件制造技术领域。本发明先在COMSOL软件模型向导中选择多个材料层的各项参数，然后根据选择出的材料层仿真搭建悬膜式微型加热器模型，之后在COMSOL软件模型中设定加热温度...

本发明提供了一种红外二氧化碳气体传感器的标定系统及标定方法，属于红外气体传感器标定技术领域。该标定系统包括：密封箱，其内部设有二氧化碳浓度检测仪、温度传感器和红外二氧化碳气体传感器；高低温箱，用于控制密封箱处于不同的温度；供气装置，用于...

本发明提供一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片，所述保护层用于防止超导芯片的氧化，所述保护层作为势阱，用于捕获超导芯片中的准粒子。所述保护层具有优异的抗氧化性以及耐腐蚀性能，有效地防止超导金属层的表面自然氧化及减小超导量子芯片的表...

本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池...