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本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制...
该专利属于材料科学姑苏实验室所有，仅供学习研究参考，未经过材料科学姑苏实验室授权不得商用。

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