一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板的制备方法，包括以下步骤：a)将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处理，得到对位芳纶纳米纤维

【技术实现步骤摘要】
一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及覆铜板制造
，更具体地说，是涉及一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板及其制备方法。

技术介绍

[0002]覆铜板是电子工业的基础材料，是加工制造印制电路板的主要材料。在国家加快发展电子元器件和5G产业的背景下，高频成为覆铜板技术发展的主流方向。高频覆铜板应用于5G以上的高频下，要求具有低损耗特性。介电损耗越小，信号传输损失越低。覆铜板由增强材料、树脂、铜箔、填充材料等组成，通过不同类型的增强材料、树脂，实现低损耗的特性。
[0003]公开号为CN108570877A的中国专利公开了一种高频高速电路板用的对位芳纶基半固化片的制造方法，采用酸或碱预处理对位芳纶纤维，然后与对位芳纶浆粕、玻璃纤维抄纸，然后与胶液浸胶预固化成半固化片；该技术方案虽然通过酸碱预处理，使得对位芳纶纤维表面润湿性得到了改善，提高了与胶液的结合性，但酸碱预处理会损伤芳纶纤维的性能，造成芳纶芳纶纤维性能的不稳定，量产工业化难度大。而公开号为CN109082944A的中国专利公开了一种新型芳纶纸基覆铜板及其制备方法，通过使用高导热的氮化硅纤维部分取代芳纶纤维的方式，提高了芳纶的导热能力，提高了芳纶纸的导热性能和耐热性能，改善了覆铜板的导热性能；该技术方案虽然改进了对位芳纶纸的性能，但当采用高粘度树脂作为基体时，树脂与芳纶纸浸润受限于芳纶纸的孔隙，难以在浸胶及压制过程中完全填补、贯穿芳纶纸的孔隙，造成覆铜板孔隙率高，性能下降。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板及其制备方法，本专利技术提供的制备方法得到的对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板界面强度高且孔隙率低。
[0005]本专利技术提供了一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0006]a)将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处理，得到对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料；
[0007]b)将步骤a)得到的对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料与芳纶短纤浆料、芳纶浆粕浆料、水、分散剂混合得到混合浆料，再依次经抄造和干燥，得到片材；
[0008]c)在步骤b)得到的片材上叠放聚四氟乙烯薄膜，热压后得到复合片材；
[0009]d)将若干片步骤c)得到的复合片材叠加后，在聚四氟乙烯薄膜一侧叠放铜箔，经热压后冷却，得到对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板。
[0010]优选的，步骤a)中所述聚四氟乙烯短纤维的单丝纤度为1D～10D，长度为1mm～30mm；所述对位芳纶纳米纤维的直径＜100nm，长径比≯2500；所述对位芳纶纳米纤维水性悬浮液的质量分数为1％～5％。
[0011]优选的，步骤a)中所述聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液的质量比为1：(1～4)。
[0012]优选的，步骤a)中所述均质化处理采用高剪切均质机，转速为5000rpm～8000rpm。
[0013]优选的，步骤b)中所述芳纶短纤浆料采用对位芳纶短纤维与水打浆得到，叩解度为15
°
SR～30
°
SR，质量分数为1％～3％；
[0014]所述芳纶浆粕浆料采用对位芳纶纸切割后与水打浆得到，叩解度为30
°
SR～50
°
SR，质量分数为1％～3％。
[0015]优选的，步骤b)中所述对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料与芳纶短纤浆料、芳纶浆粕浆料的质量比为10：(5～12)：(3～4)；所述混合浆料的质量浓度为1％～10％；所述分散剂的含量为0.1wt％～1wt％。
[0016]优选的，步骤b)中所述干燥的温度为80℃～100℃，时间为4h～8h。
[0017]优选的，步骤c)中所述热压的过程具体为：
[0018]1)230℃～250℃，5min～15min，2)320℃～340℃，10min～20min，压力为20MPa～80MPa。
[0019]优选的，步骤d)中所述热压的温度为350℃～400℃，时间为10min～30min，压力为60MPa～100MPa。
[0020]本专利技术还提供了一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板，采用上述技术方案所述的制备方法制备而成。
[0021]本专利技术提供了一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处理，得到对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料；b)将步骤a)得到的对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料与芳纶短纤浆料、芳纶浆粕浆料、水、分散剂混合得到混合浆料，再依次经抄造和干燥，得到片材；c)在步骤b)得到的片材上叠放聚四氟乙烯薄膜，热压后得到复合片材；d)将若干片步骤c)得到的复合片材叠加后，在聚四氟乙烯薄膜一侧叠放铜箔，经热压后冷却，得到对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板。与现有技术相比，本专利技术提供的制备方法采用对位芳纶纳米纤维为增强材料，配合特定工艺步骤实现整体较好的相互作用，解决了传统芳纶纸基覆铜板界面强度不高、孔隙率高的问题。实验结果表明，本专利技术提供的制备方法制备得到的覆铜板的1GHz介电常数不高于2.55，介电损耗≯0.0015，孔隙率不大于0.3％。
[0022]同时，本专利技术提供的制备方法工艺简单、原材料成本低、操作易实现，产品稳定性好，具有广阔的应用前景。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]本专利技术提供了一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
[0025]a)将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处
理，得到对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料；
[0026]b)将步骤a)得到的对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料与芳纶短纤浆料、芳纶浆粕浆料、水、分散剂混合得到混合浆料，再依次经抄造和干燥，得到片材；
[0027]c)在步骤b)得到的片材上叠放聚四氟乙烯薄膜，热压后得到复合片材；
[0028]d)将若干片步骤c)得到的复合片材叠加后，在聚四氟乙烯薄膜一侧叠放铜箔，经热压后冷却，得到对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板。
[0029]本专利技术首先将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处理，得到对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料。
[0030]在本专利技术中，所述聚四氟乙烯短纤维的单丝纤度优选为1D～1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板的制备方法，包括以下步骤：a)将聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液混合后，进行均质化处理，得到对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料；b)将步骤a)得到的对位芳纶纳米纤维
‑
聚四氟乙烯短纤维浆料与芳纶短纤浆料、芳纶浆粕浆料、水、分散剂混合得到混合浆料，再依次经抄造和干燥，得到片材；c)在步骤b)得到的片材上叠放聚四氟乙烯薄膜，热压后得到复合片材；d)将若干片步骤c)得到的复合片材叠加后，在聚四氟乙烯薄膜一侧叠放铜箔，经热压后冷却，得到对位芳纶纳米纤维增强的覆铜板。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述聚四氟乙烯短纤维的单丝纤度为1D～10D，长度为1mm～30mm；所述对位芳纶纳米纤维的直径＜100nm，长径比≯2500；所述对位芳纶纳米纤维水性悬浮液的质量分数为1％～5％。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述聚四氟乙烯短纤维与对位芳纶纳米纤维水性悬浮液的质量比为1：(1～4)。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述均质化处理采用高剪切均质机，转速为5000rpm～8000rpm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述芳纶短纤浆料采用对位芳...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏楠，李双昌，庄锐，王先利，高晓佳，范翠玲，
申请(专利权)人：黄河三角洲京博化工研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：