存储结构及其制造方法技术

本公开是关于一种存储结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。该存储结构及制造方法可以减少字线之间的漏电流，增加数据的保持时间，改善行锤效应。改善行锤效应。改善行锤效应。

【技术实现步骤摘要】
存储结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，其结构简单，单位体积的容量较高，因此成本较低。DRAM的信息是存储在在电容当中，电容中的电荷会因为漏电流存在而逐渐漏掉，因此需要不断刷新，这也是DRAM称为动态的原因。
[0003]DRAM中相邻晶体管导通会导致漏电流现象的发生，从而造成DRAM的可靠性下降。因此，漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。
[0004]此外，目前的DRAM器件的设计使得DRAM容易受到行锤(Rowhammer)效应的影响。行锤效应例如是，利用临近内存单元之间电子的互相影响，在足够多的访问次数后让某个单元的值从1变成0。从而Rowhammer效应是影响DRAM可靠性和安全性的主要问题之一。

技术实现思路

[0005]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种存储结构及其制造方法。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。2.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，使得位于同一列的多个所述有源区相互平行；和/或，位于相邻两列的所述有源区相互平行或者相对倾斜设置；其中，以所述第一方向作为列延伸的方向。3.如权利要求2所述的存储结构的制造方法，其特征在于，位于相邻的两列的所述有源区相对倾斜设置时，位于相邻的两列的所述有源区的延伸方向的夹角为90
°
～130
°
。4.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：在所述衬底上形成图形掩膜，所述图形掩膜暴露部分所述衬底，所述图形掩膜在所述衬底上的投影图形为阵列排布的多个分立的柱状图形或波浪状图形；部分去除暴露的衬底，以形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内填充绝缘材料，以形成浅沟槽隔离结构；去除所述图形掩膜。5.如权利要求4所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述波浪状图形包含依次连接的第一曲折部、第二曲折部和第三曲折部；所述第一曲折部和所述第三曲折部沿所述第二方向延伸，所述第一方向倾斜于所述第二曲折部的延伸方向；各所述有源区包含对应于所述第一曲折部的第一端部、对应于所述第二曲折部的沟道部和对应于所述第三曲折部的第二端部，所述有源区的沟道部与一条所述字线相交。6.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，形成多个电容包括：在相邻位线之间形成多个间隔结构，各所述间隔结构沿所述第二方向排列，所述间隔结构与各所述位线围绕形成凹槽；在所述凹槽内形成电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：