具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法，其中该具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，包含：一基底；一通道层，设于所述基板上；一阻障层，设于所述通道层上；一二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；一凹槽，设于一接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及一欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的一垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的一倾斜侧面直接接触。侧面直接接触。侧面直接接触。

【技术实现步骤摘要】
具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构。

技术介绍

[0002]属于氮化物半导体的氮化镓、氮化铝、氮化铟等制成的材料有宽带隙，可以用来作为高输出电子装置，例如，高电子迁移率晶体管(HEMT)。HEMT能够实现高电流、高电压及低导通电阻(on resistance，Ron)操作，因而适合应用于高输出/高效率放大器及高功率开关装置(high
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power switching device)。
[0003]在基于氮化镓的HEMT(GaN
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HEMT)中，使用氮化镓作为电子运输层及使用氮化铝镓作为电子供应层的AlGaN/GaN
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HEMT已受到重视。在AlGaN/GaN
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HEMT中，在AlGaN中发生失真(distortion)，其起源于氮化镓及氮化铝镓之间的晶格常数的差异。由氮化铝镓的失真及自发极化(spontaneous polarization)产生压电极化(piez本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其特征在于，包含：基底；通道层，设于所述基板上；阻障层，设于所述通道层上；二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；凹槽，设于接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的倾斜侧面直接接触。2.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述倾斜侧面与水平面以60度至80度的角度倾斜。3.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述通道层包含氮化镓层。4.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层包含氮化铝镓层。5.根据权利要求4所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层还包含氮化铝层。6.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，另包含：钝化层，设于所述阻障层上。7.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述凹槽的深度在所述阻障层的底表面下方10nm。8.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述欧姆接触金属包含钛和铝。9.一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其特征在于，包含：基底；通道层，设于所述基板上；阻障层，设于所述通道层上；二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；凹槽，设于接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层和所述二维电子气层的垂直侧面直接接触，并与所述凹槽中的所述通道层的一倾斜侧面直接...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶治东，侯俊良，廖文荣，李瑞池，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：