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本公开是关于一种存储结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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