【技术实现步骤摘要】
一种温度压力传感器
[0001]本技术涉及传感器
,具体涉及一种温度压力传感器。
技术介绍
[0002]本部分中的陈述仅提供与本技术相关的背景信息并且可以不构成现有技术。
[0003]压力敏感元件按原理不同分为应变式、压阻式、电容式、电阻应变片式等类型。其中,压阻式压力传感器通常利用单晶硅的压阻效应而构成,其采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻,并将电阻接成桥路,单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时,单晶硅产生应变,使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化,再由桥式电路获相应的电压输出信号。
[0004]压阻式压力传感器,通常采用金属基板,其与用于导电的金属插针之间一般采用密封胶进行密封连接,由于热膨胀系数的差异,这种压力传感器不能直接在金属基板上直接贴装MEMS(Micro
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Electro
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Mechanical System,微机电系统)芯片,因此芯片需要贴接于额外设置的中间过渡层上,另外由于粘接胶水的特性影响,也容易导致测量信号输出不稳定;或者采用金属
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玻璃封接方式,此时则要求玻璃要和金属基板的热膨胀系数相匹配,玻璃和金属基板必须经过清洁处理以避免漏气或爆裂,而且还需要退火处理以减轻应力。
[0005]也有少数一些压阻式压力传感器以陶瓷材料作为基板。例如,公开号为 CN112611504A的中国专利申请,公开了一种组合式的温度压力传感器,包括陶瓷件、电路 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温度压力传感器,其特征在于,包括:壳体,所述壳体上设置有一流体导入口(30);设置于壳体内的压力敏感组件(1),包括:一横向延伸的陶瓷板(101),其将所述壳体的内腔隔断为纵向相对的上腔(02a)和下腔(01a),所述陶瓷板(101)上设有连通所述上腔(02a)和所述下腔(01a)的孔道(10d);设置于所述上腔(02a)中的一压力芯体(103),其固定于所述陶瓷板(101)上且其感压面封堵于所述孔道(10d)的对应一端;及设置于所述上腔(02a)中且固定于所述陶瓷板(101)上的一电路板(104);及设置于所述下腔(01a)内的温度敏感组件(2),包括一温度传感器(23),所述温度传感器(23)的两个连接端(22)各依次通过一个弹性连接体(21)、一导电针(110)及一导电体(106)电连接至所述电路板(104);所述导电针(110)各自对应地穿设所述陶瓷板(101)上开设的两个过孔(10e),所述导电针(110)与对应过孔(10e)之间的间隙被由玻璃材料制成的密封体(111)所密封;所述流体导入口(30)连通至所述下腔(01a)。2.根据权利要求1所述的温度压力传感器,其特征在于,所述温度敏感组件(2)还包括一安装座(20),所述安装座(20)由绝缘材料制成,所述弹性连接体(21)的中部嵌埋于所述安装座(20)内;所述弹性连接体(21)的远离所述流体导入口(30)的一端大致沿横向延伸而形成抵接部(212),抵接部(212)抵接于所述导电针(110)上;所述弹性连接体(21)的朝向所述流体导入口(30)的一端形成竖直部(211),竖直部(211)与对应的连接端(22)固定并电连接。3.根据权利要求2所述的温度压力传感器,其特征在于,所述安装座(20)包括横向延伸的盘体(201)及一端朝远离所述流体导入口(30)的一侧连接于所述盘体(201)上的板体(202);两个所述弹性连接体(21)的竖直部(211)沿所述盘体(201)的宽度方向间隔设置,所述板体(202)的靠近所述流体导入口(30)的一端固定有纵向延伸的延伸部(203),两个所述竖直部(211)分别位于所述延伸部(203)的相对两侧并横向抵近或抵接所述延伸部(203)。4.根据权利要求3所述的温度压力传感器,其特征在于,所述延伸部(203)朝所述流体导入口(30)一侧抵近或抵接所述温度传感器(23),两个所述连接端(22)分别位于所述延伸部(203)的相对两侧并横向抵近或抵接所述延伸部(203)。5.根据权利要求3所述的温度压力传感器,其特征在于,所述流体导入口(30)内固定有保护套管(7),所述安装座(20)的靠近所述流体导入口(30)的一端伸入所述保护套管(7)内,所述流体导入口(30)的内壁、所述保护套管(7)及所述安装座(20)之间留有与所述下腔(01a)连通的压力导入间隙;所述压力导入间隙包括:所述保护套管(7)与所述流体导入口(30)之间的第一压力导入间隙(03a),和/或所述保护套管(7)与所述安装座(20)之间的第二压力导入间隙(04a)。6.根据权利要求5所述的温度压力传感器,其特征在于,所述板体(202)的厚度方向两侧朝内凹陷形成横向延伸的定位凹槽(20c),所述保护套管(7)的内壁的横向相对两侧表面朝外凸伸形成定位凸楞(70c)并对应抵入两个所述定位凹槽(20c)内。7.根据权利要求5所述的温度压力传感器,其特征在于,所述壳体包括纵向对接的第一壳体(3)和位于所述第一壳体(3)的远离所述流体导入口(30)一侧的第二壳体(4);所述第二壳体(4)的远离所述流体导入口(30)的一侧设有第二定位台阶(402);所述第一壳体(3)的远离所述流体导入口(30)的一端横向朝内延伸形成抱压部(302);所述抱压部(302)朝所
述流体导入口(30)一侧抱压于所述第二定位台阶(402)的台...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小平,曹万,吴林,梁世豪,吴培宝,王浩,赵秀平,
申请(专利权)人:武汉飞恩微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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