【技术实现步骤摘要】
半导体元件
[0001]本技术涉及一种半导体元件，特别涉及一种包括存储节点接触结构的半导体元件。
技术介绍
[0002]半导体元件应用非常广阔，其中动态随机存取存储器(dynamic random access memory， DRAM)属于一种挥发性存储器，包含由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(arrayarea)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电连接的字线(word line，WL)与位线(bit line，BL)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。
[0003]为了缩小存储单元的尺寸而制作出具备更高集密度的芯片，存储单元的结构已朝向三维(three
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dimensional)发展，例如采用埋入式字线连接(buried wordline)以及堆叠式电容(stacked capacitor)。堆叠式电容是将存储单元的电容垂直位在衬底上方，可节省电容所占据的衬底面积，还可方便地通过增加电容的电极板的高度来获得更大的电容量。目前，堆叠式电容是通过存储节点接触结构(storage node contact structure)来与制作在衬底内的晶体管电连接。本领域仍需一种可提供良好电连接品质的存储节点接触结构，以确...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一衬底，包括一第一有源区、一第一隔离区、一第二有源区以及一第二隔离区沿着一第一方向连续排列；一第一位线，位在所述第一有源区上，且与所述第一有源区直接接触；一第二位线，位在所述第二隔离区上；一绝缘层，位于所述第二位线与所述第二隔离区之间，以隔离开所述第二位线与所述第二隔离区；以及一存储节点接触结构，位在所述第一位线和所述第二位线之间，并且与所述第二有源区的一顶面、所述第一隔离区的一侧壁，以及所述第二隔离区的一侧壁直接接触。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的底部包括一阶梯状轮廓。3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：一第一间隙壁，位在所述第一位线的一侧壁上，并且电性隔离所述存储节点接触结构与所述第一位线；以及一第二间隙壁，位在所述第二位线的一侧壁上，并且电性隔离所述存储节点接触结构与所述第二位线。4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的一底角位于所述第一间隙壁上。5.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的一部分位于所述第二间隙壁的正下方。6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构与所述绝缘层的一底面直接接触。7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构和所述绝缘层以及所述第二隔离区之间包括所述第二有源区的一残留部分。8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一有源区的一顶面低于所述第二有源区的所述顶面。9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一隔离区的一顶面低于所述第二隔离区的一顶面。10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构包括：一半导体层，与所述第二有源区的所述顶面、所...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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