动态随机存取存储器及其形成方法技术

一种动态随机存取存储器及其形成方法，包括：衬底，衬底具有第一面和第二面，衬底包括若干有源区，各有源区均包括若干沟道区和若干字线区；位于字线区内的字线栅结构；位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于第一面上的若干电容结构，且每个电容结构具有第一投影图形，每个第一源漏掺杂区具有第二投影图形，第一投影图形和对应的第二投影图形至少部分重叠；位于每个沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于第二面上的若干平行于第一方向的位线层。通过将电容结构和位线层分别排布在衬底的第一面和第二面上，能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度。将电容结构排布在衬底的第一面，使得电容结构具有更大的结构空间，增加电容结构的存储容量。容结构的存储容量。容结构的存储容量。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。
[0003]通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。
[0004]然而，现有的动态随机存取存储器仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，能够有效降低工艺难度，提升存储器电容结构的存储容量、以及存储器的存储密度。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种动态随机存取存储器，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，各所述有源区均包括若干沟道区和若干字线区，每个所述有源区中的所述沟道区和所述字线区沿所述第一方向间隔排列；位于所述字线区内的字线栅结构，所述字线栅结构自第一面向第二面延伸，且所述字线栅结构沿所述第二方向贯穿所述有源区；位于所述沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于所述第一面上的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接，且每个所述电容结构在所述第二面上具有第一投影图形，每个所述第一源漏掺杂区在所述第二面上具有第二投影图形，所述第一投影图形和对应的所述第二投影图形至少部分重叠；位于每个所述沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于所述第二面上的若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与一个所述有源区中的若干第二源漏掺杂区电连接。
[0007]可选的，每个所述位线层在所述第二面上具有第三投影图形，所述第一投影图形和所述第三投影图形至少部分重叠。
[0008]可选的，所述第一投影图形包括圆形。
[0009]可选的，所述第一投影图形包括椭圆形，且所述椭圆形的对称轴方向与所述第一方向之间的夹角为锐角。
[0010]可选的，所述第一投影图形中心与对应的所述第二投影图形中心重合。
[0011]可选的，若干所述电容结构包括若干第一电容组和若干第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组沿所述第二方向间隔排列，所述第一电容组中的若干所述电容结构
沿所述第一方向排列，且所述第一电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第一偏移向量，所述第一偏移向量平行于所述第一方向；所述第二电容组中的若干所述电容结构沿所述第一方向排列，所述第二电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第二偏移向量，所述第二偏移向量平行于所述第一方向，且所述第一偏移向量与所述第二偏移向量不相等。
[0012]可选的，所述第一偏移向量与所述第二偏移向量不相等包括：所述第一偏移向量的模与所述第二偏移向量的模不相等，所述第一偏移向量的方向与所述第二偏移向量的方向相同或不相同；或者所述第一偏移向量的方向与所述第二偏移向量的方向不相等，所述第一偏移向量的模与所述第二偏移向量的模相等或不相等。
[0013]可选的，若干所述电容结构包括若干第三电容组和若干第四电容组，所述第三电容组和所述第四电容组沿所述第一方向间隔排列，所述第三电容组中的若干所述电容结构沿所述第二方向排列，且所述第三电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第三偏移向量，所述第三偏移向量平行于所述第二方向；所述第四电容组中的若干所述电容结构沿所述第二方向排列，且所述第四电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第四偏移向量，所述第四偏移向量平行于所述第一方向，且所述第三偏移向量与所述第四偏移向量不相等。
[0014]可选的，所述第三偏移向量与所述第四偏移向量不相等包括：所述第三偏移向量的模与所述第四偏移向量的模不相等，所述第三偏移向量的方向与所述第四偏移向量的方向相同或不相同；或者所述第三偏移向量的方向与所述第四偏移向量的方向不相等，所述第三偏移向量的模与所述第四偏移向量的模相等或不相等。
[0015]可选的，还包括：位于相邻的所述有源区之间的隔离结构，所述隔离结构自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述衬底。
[0016]可选的，还包括：位于所述字线区和所述沟道区内的隔离层，且所述隔离层与一侧的所述字线栅结构相接触。
[0017]可选的，所述字线区具有字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述二方向贯穿所述有源区；所述字线栅结构包括位于字线栅沟槽侧壁和底部表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。
[0018]可选的，所述字线栅层包括单层结构或复合结构。
[0019]可选的，当所述字线栅层为单层结构时，所述字线栅层的材料包括金属或多晶硅。
[0020]可选的，所述隔离层自所述第一面向所述第二面方向上具有第一高度，所述字线栅层自所述第一面向所述第二面方向上具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度的一半。
[0021]可选的，当所述字线栅层为复合结构时，所述字线栅层包括第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层和所述第二栅极层的材料不同。
[0022]可选的，所述第一栅极层的材料包括金属或多晶硅；所述第二栅极层的材料包括多晶硅或金属。
[0023]可选的，当所述第一栅极层的材料为多晶硅时，所述隔离层自所述第一面向所述
第二面方向上具有第一高度，所述第一栅极层自所述第一面向所述第二面方向上具有第三高度，所述第一高度大于所述第三高度；当所述第二栅极层的材料为多晶硅时，所述隔离层自所述第一面向所述第二面方向具有第一高度，所述第二栅极层自所述第一面向所述第二面方向具有第四高度，所述第一高度大于所述第四高度。
[0024]可选的，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第一导电插塞电连接。
[0025]可选的，还包括：位于每个所述第二源漏掺杂区上的第二导电插塞，每个所述位线层与一个所述有源区上的若干所述第二导电插塞电连接。
[0026]可选的，所述电容结构包括：第一电极层、第二电极层和位于第一电极层与第二电极层之间的介电层。
[0027]相应的，本专利技术的技术方案中还提供了一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，各所述有源区均包括若干沟道区和若干字线区，每个所述有源区中的所述沟道区和所述字线区沿所述第一方向间隔排列；位于所述字线区内的字线栅结构，所述字线栅结构自第一面向第二面延伸，且所述字线栅结构沿所述第二方向贯穿所述有源区；位于所述沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于所述第一面上的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接，且每个所述电容结构在所述第二面上具有第一投影图形，每个所述第一源漏掺杂区在所述第二面上具有第二投影图形，所述第一投影图形和对应的所述第二投影图形至少部分重叠；位于每个所述沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于所述第二面上的若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与一个所述有源区中的若干第二源漏掺杂区电连接。2.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，每个所述位线层在所述第二面上具有第三投影图形，所述第一投影图形和所述第三投影图形至少部分重叠。3.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一投影图形包括圆形。4.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一投影图形包括椭圆形，且所述椭圆形的对称轴方向与所述第一方向之间的夹角为锐角。5.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一投影图形中心与对应的所述第二投影图形中心重合。6.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，若干所述电容结构包括若干第一电容组和若干第二电容组，所述第一电容组和所述第二电容组沿所述第二方向间隔排列，所述第一电容组中的若干所述电容结构沿所述第一方向排列，且所述第一电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第一偏移向量，所述第一偏移向量平行于所述第一方向；所述第二电容组中的若干所述电容结构沿所述第一方向排列，所述第二电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第二偏移向量，所述第二偏移向量平行于所述第一方向，且所述第一偏移向量与所述第二偏移向量不相等。7.如权利要求6所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一偏移向量与所述第二偏移向量不相等包括：所述第一偏移向量的模与所述第二偏移向量的模不相等，所述第一偏移向量的方向与所述第二偏移向量的方向相同或不相同；或者所述第一偏移向量的方向与所述第二偏移向量的方向不相等，所述第一偏移向量的模与所述第二偏移向量的模相等或不相等。8.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，若干所述电容结构包括若干第三电容组和若干第四电容组，所述第三电容组和所述第四电容组沿所述第一方向间隔排列，所述第三电容组中的若干所述电容结构沿所述第二方向排列，且所述第三电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之
间具有第三偏移向量，所述第三偏移向量平行于所述第二方向；所述第四电容组中的若干所述电容结构沿所述第二方向排列，且所述第四电容组中的每个电容结构的第一投影图形中心与对应的所述第一源漏掺杂区的第二投影图形中心之间具有第四偏移向量，所述第四偏移向量平行于所述第一方向，且所述第三偏移向量与所述第四偏移向量不相等。9.如权利要求8所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第三偏移向量与所述第四偏移向量不相等包括：所述第三偏移向量的模与所述第四偏移向量的模不相等，所述第三偏移向量的方向与所述第四偏移向量的方向相同或不相同；或者所述第三偏移向量的方向与所述第四偏移向量的方向不相等，所述第三偏移向量的模与所述第四偏移向量的模相等或不相等。10.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于相邻的所述有源区之间的隔离结构，所述隔离结构自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述衬底。11.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述字线区和所述沟道区内的隔离层，且所述隔离层与一侧的所述字线栅结构相接触。12.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线区具有字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述二方向贯穿所述有源区；所述字线栅结构包括位于字线栅沟槽侧壁和底部表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。13.如权利要求12所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线栅层包括单层结构或复合结构。14.如权利要求13所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述字线栅层为单层结构时，所述字线栅层的材料包括金属或多晶硅。15.如权利要求14所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述隔离层自所述第一面向所述第二面方向上具有第一高度，所述字线栅层自所述第一面向所述第二面方向上具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度的一半。16.如权利要求12所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述字线栅层为复合结构时，所述字线栅层包括第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层和所述第二栅极层的材料不同。17.如权利要求16所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一栅极层的材料包括金属或多晶硅；所述第二栅极层的材料包括多晶硅或金属。18.如权利要求16所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述第一栅极层的材料为多晶硅时，所述隔离层自所述第一面向所述第二面方向上具有第一高度，所述第一栅极层自所述第一面向所述第二面方向上具有第三高度，所述第一高度大于所述第三高度；当所述第二栅极层的材料为多晶硅时，所述隔离层自所述第一面向所述第二面方向具有第一高度，所述第二栅极层自所述第一面向所述第二面方向具有第四高度，所述第一高度大于所述第四高度。19.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第一导电插塞电连接。20.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第二源漏掺杂区上的第二导电插塞，每个所述位线层与一个所述有源区上的若干所述第二导电插
塞电连接。21.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述电容结构包括：第一电极层、第二电极层和位于第一电极层与第二电极层之间的介电层。22.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，各所述有源区均包括若干沟道区和若干字线区，每个所述有源区中的所述沟道区和所述字线区沿所述第一方向间隔排列；在所述字线区内形成若干字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，何波涌，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：