半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一基板；第一连接结构，包括位于第一基板上方的第一金属层和第二金属层，第二金属层内埋于第一金属层内，并且第二金属层的热膨胀系数高于第一金属层的热膨胀系数；第二连接结构，金属接合至第一连接结构的第一金属层。构的第一金属层。构的第一金属层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体来说，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]通常在混合接合(Hybrid bonding)之前，需使用化学机械磨平(ChemicalMechanical Polishing，CMP)对单一基板的绝缘层和通过绝缘层中的金属层表面进行一次性磨平作业。但是，因为材料选择比的关系，会导致金属层的表面产生凹陷(Dish)，因此在进行如铜
‑
铜接合(copper to copper bonding)的金属
‑
金属接合之后会在接合界面处有空洞(void)产生，这将不利于电性表现与后续信赖性测试。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体结构及其形成方法，以至少降低void的发生机率。
[0004]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一基板；第一连接结构，包括位于所述第一基板上方的第一金属层和第二金属层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基板；第一连接结构，包括位于所述第一基板上方的第一金属层和第二金属层，所述第二金属层内埋于所述第一金属层内，并且所述第二金属层的热膨胀系数高于所述第一金属层的热膨胀系数；第二连接结构，金属接合至所述第一连接结构的所述第一金属层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述第一基板相对设置的第二基板，其中，所述第二连接结构包括：第三金属层，位于所述第二基板的与所述第一基板相对的表面处；其中，所述第三金属层与所述第一金属层的材料相同，并且所述第一金属层与所述第三金属层之间具有接合界面。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接结构还包括：所述第四金属层，内埋于所述第三金属层内，并且所述第四金属层的热膨胀系数高于所述第三金属层的热膨胀系数。4.根据权利要求3所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王咏泓，张皇贤，吕文隆，张育勋，庄劭萱，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：