一种集成器件，包括衬底以及位于该衬底之上的第一晶体管，其中该第一晶体管包括栅极。该集成器件包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到该集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到该栅极的第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到该栅极。触件仅直接电耦合到该栅极。触件仅直接电耦合到该栅极。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件
[0001]其他申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2020年3月24日提交的专利技术名称为“INTEGRATED DEVICE COMPRISING TRANSISTOR COUPLED TO A DUMMY GATE CONTACT”并且转让给其受让人的非临时申请No.16/828,487的优先权，并且据此通过引用将其明确并入本文。
[0003]各种特征涉及晶体管，但是更具体而言，涉及一种包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件。
技术介绍
[0004]图1示出了平面场效应晶体管(FET)100。FET 100形成在衬底102和氧化物104之上(over)。FET 100包括源极106、漏极108和栅极110。源极106和漏极108位于衬底102之上。在最小电压被施加在栅极110和衬底102之间时，电流可以在源极106和漏极108之间流动。一直存在提高晶体管性能的需求，例如，当电流在晶体管的源极和漏极之间流动时能够更好地进行控制。
技术实现思路
[0005]各种特征涉及晶体管，但是更具体而言，涉及一种包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件。
[0006]一个示例提供了一种集成器件，该集成器件包括衬底以及位于衬底之上的第一晶体管，其中第一晶体管包括栅极。该集成器件包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到栅极的第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到栅极。
[0007]另一个示例提供了一种装置，该装置包括衬底以及位于衬底之上的第一晶体管，其中第一晶体管包括栅极。该装置包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到集成器件的互连件。该装置包括用于调节在第一晶体管中引发(induce)第一电流所需的电压的机构(means)，其中用于调节的机构仅直接电耦合到栅极。
[0008]又一个示例提供了一种集成器件，该集成器件包括衬底以及位于衬底之上的第一晶体管，其中第一晶体管包括栅极。该集成器件包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到栅极的第二栅极接触件以及耦合到第二栅极接触件的接触互连件，其中接触互连件仅直接电耦合到栅极接触件。
[0009]再一个示例提供了一种用于制作集成器件的方法。该方法提供衬底。该方法在衬底之上形成第一晶体管，其中第一晶体管包括栅极。该方法在第一晶体管的栅极之上形成第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到集成器件的互连件。该方法在栅
极之上形成第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到栅极。
附图说明
[0010]在结合附图考虑时，通过下文阐述的详细描述，各种特征、性质和优点可以变得显而易见，在附图中，始终以类似的附图标记对应地进行标识。
[0011]图1示出了平面场效应晶体管(FET)。
[0012]图2示出了耦合到栅极接触件的鳍式场效应晶体管(FET)(fin field effect transistor，finFET)的示例。
[0013]图3示出了耦合到至少一个虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0014]图4示出了栅极接触件相对于晶体管的各种位置的示例。
[0015]图5示出了耦合到栅极接触件的finFET的示例。
[0016]图6示出了耦合到栅极接触件的finFET的示例。
[0017]图7示出了耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0018]图8示出了耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0019]图9示出了耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0020]图10示出了耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0021]图11示出了耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的finFET的示例。
[0022]图12示出了用于将栅极接触件和虚设栅极接触件耦合到晶体管的序列。
[0023]图13(包括图13A
‑
13D)示出了用于制作耦合到虚设栅极接触件的finFET的示例性序列。
[0024]图14示出了用于制作耦合到虚设栅极接触件的finFET的方法的示例性流程图。
[0025]图15示出了耦合到虚设栅极接触件的栅极全环绕(GAA)FET。
[0026]图16示出了包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件的视图。
[0027]图17(包括图17A
‑
17B)示出了用于制作包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件的示例性序列。
[0028]图18示出了用于制作包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件的方法的示例性流程图。
[0029]图19示出了可以集成如本文描述的管芯、集成器件、集成无源器件(IPD)、器件封装件、封装件、集成电路和/或PCB的各种电子设备。
具体实施方式
[0030]在下文的描述中将给出提供对本公开的各个方面的透彻理解的具体细节。然而，本领域技术人员将理解的是，可以在无需这些具体细节的情况下实践这些方面。例如，电路可以是以框图示出的，以避免因不必要的细节使这些方面混淆。在其他情况下，可能未详细示出公知的电路、结构和技术，从而避免使本公开的这些方面混淆。
[0031]本公开描述了一种集成器件，该集成器件包括衬底以及位于衬底之上的第一晶体管，其中第一晶体管包括栅极。该集成器件包括第一栅极接触件，该第一栅极接触件耦合到第一晶体管的栅极，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到栅极的第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到栅极。该集成
器件可以包括位于衬底之上的第二晶体管，其中第二晶体管包括该栅极。第二栅极接触件被配置为调节(例如，降低)在第一晶体管中引发第一电流且在第二晶体管中引发第二电流所需的阈值电压。第一晶体管可以是p沟道场效应晶体管(PFET)，并且第二晶体管可以是n沟道场效应晶体管(NFET)。设备中的集成器件可以在不同工作条件下操作，并且因而调节在一个或多个晶体管中引发电流所需的阈值电压的能力可以有助于优化该设备的集成器件的性能。
[0032]耦合到栅极接触件和虚设栅极接触件的示例性晶体管
[0033]图2示出了形成在集成器件中的晶体管200的示例。晶体管200可以包括鳍式场效应晶体管(FET)。晶体管200包括衬底202、氧化物204、鳍状物205、源极206、漏极208、栅极氧化物209、和栅极210。氧化物204位于衬底202之上。源极206可以是鳍状物205的被配置作为晶体管200的源极的部分。漏极208可以是鳍状物205的被配置作为晶体管200的漏极的部分。鳍状物205位于衬底202之上。鳍状物205可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成器件，包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底之上，其中所述第一晶体管包括栅极；第一栅极接触件，耦合到所述第一晶体管的所述栅极，其中所述第一栅极接触件被配置为电耦合到所述集成器件的互连件；以及第二栅极接触件，耦合到所述栅极，其中所述第二栅极接触件仅直接电耦合到所述栅极。2.根据权利要求1所述的集成器件，还包括位于所述衬底之上的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括所述栅极。3.根据权利要求2所述的集成器件，其中所述第二栅极接触件被配置为调节在所述第一晶体管中引发第一电流并且在所述第二晶体管中引发第二电流所需的阈值电压。4.根据权利要求3所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)，并且所述第二晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)。5.根据权利要求3所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)，并且所述第二晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)。6.根据权利要求3所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括第一鳍状物和第二鳍状物。7.根据权利要求6所述的集成器件，其中所述第一栅极接触件位于包括所述第一鳍状物和所述第二鳍状物的区域之上。8.根据权利要求7所述的集成器件，其中所述第二栅极接触件位于包括所述第一鳍状物和所述第二鳍状物的所述区域之上。9.根据权利要求7所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(PFET)。10.根据权利要求7所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括n沟道场效应晶体管(NFET)。11.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第二栅极接触件是虚设栅极接触件。12.根据权利要求1所述的集成器件，还包括位于所述衬底之上的第二晶体管，其中所述第二晶体管也包括所述栅极，其中所述第一晶体管是p沟道场效应晶体管(PFET)，其中所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管(NFET)，并且其中所述第二栅极接触件位于所述第一晶体管之上。13.根据权利要求1所述的集成器件，还包括位于所述衬底之上的第二晶体管，其中所述第二晶体管也包括所述栅极，其中所述第一晶体管是p沟道场效应晶体管(PFET)，其中所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管(NFET)，并且其中所述第二栅极接触件位于所述第二晶体管之上。14.根据权利要求1所述的集成器件，还包括位于所述衬底之上的第二晶体管，其中所述第二晶体管也包括所述栅极，其中所述第一晶体管是n沟道场效应晶体管(NFET)，并且
其中所述第二晶体管是p沟道场效应晶体管(PFET)。15.根据权利要求14所述的集成器件，其中所述第二栅极接触件位于所述第一晶体管或所述第二晶体管之上。16.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述第一晶体管包括平面晶体管、场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET。17.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述集成器件被并入到设备中，所述设备选自包括以下各项的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、和机动车辆中的设备。18.一种装置，包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底之上，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海宁，李夏，杨斌，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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