晶圆转移设备及方法、晶圆加工装置及方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开一种晶圆转移设备、晶圆转移方法、晶圆加工装置以及晶圆加工方法。晶圆转移设备包括承载部件、输运部件及驱动部件，承载部件具有用于放置晶圆的承载区域；输运部件用于将所述承载部件移动至预设区域；驱动部件用于驱动所述输运部件移动；所述承载部件设置有出气孔，所述出气孔朝向所述晶圆的表面或上方。由此，在晶圆的传输过程中，晶圆可以在其表面或上方的气幕的保护下，防止环境中的颗粒物附着在晶圆表面，尤其当晶圆在传输过程中路过尾气排放端上方时，晶圆表面或上方的气幕可以保护晶圆免受尾气排放端附近的颗粒物所附着，避免在晶圆表面形成缺陷，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆转移设备及方法、晶圆加工装置及方法


[0001]本申请涉及半导体加工
，特别是涉及一种晶圆转移设备及方法、晶圆加工装置及方法。

技术介绍

[0002]在晶圆的生产过程中，常常需要通过机械手臂等传送设备实现晶圆在空间上的转移，例如，待加工的晶圆可以预先放置在承载台上，当需要对其进行加工，则可通过机械手臂将晶圆移动至反应腔室内进行加工，当晶圆加工完毕，可以通过机械手臂将晶圆从反应腔室取出。
[0003]在晶圆的上述传输过程中，往往会因为环境中反应气体的残余，导致晶圆表面附着有颗粒物，进而使晶圆表面形成缺陷，影响产品良率。尤其是，反应腔室内一般会设置尾气排放端，靠近尾气排放端的位置处往往存在大量的颗粒物，当在传输晶圆的过程中路过尾气排放端上方时，容易导致尾气排放端处的颗粒物容易附着在晶圆表面，进而使晶圆表面形成缺陷，影响产品良率。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种晶圆转移设备、晶圆转移方法、晶圆加工装置以及晶圆加工方法。
[0005]根据本申请实施例的第一方面，提供一种晶圆转移设备，包括：
[0006]承载部件，具有用于放置晶圆的承载区域；
[0007]输运部件，用于将所述承载部件移动至预设区域；
[0008]驱动部件，用于驱动所述输运部件移动；
[0009]其特征在于：所述承载部件设置有出气孔，所述出气孔朝向所述晶圆的表面或上方。
[0010]在其中一个实施例中，所述出气孔的开孔方向与所述晶圆表面的夹角位于r/>‑
60
°
至60
°
之间。
[0011]在其中一个实施例中，相邻两个所述出气孔之间的间隔位于2mm至50mm之间。
[0012]在其中一个实施例中，所述出气孔高于所述晶圆的表面。
[0013]在其中一个实施例中，所述承载部件具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧设置有第一出气孔，所述第二侧设置有第二出气孔，所述第一出气孔和所述第二出气孔相对设置。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一出气孔在所述第二侧所在垂直面上的正投影点与所述第二出气孔的位置点交错排列。
[0015]在其中一个实施例中，所述第一出气孔与所述第二出气孔的高度相同或不同。
[0016]在其中一个实施例中，所述吹扫气体包括氩气、氮气、氦气、氢气中的任意一种。
[0017]根据本申请实施例的第二方面，提供一种如上所述的晶圆转移设备的晶圆转移方
法，包括：
[0018]当所述驱动部件驱动所述输运部件带动放置有晶圆的所述承载部件朝向工艺腔室内部或外部移动时，控制所述出气孔排出吹扫气体，以在所述晶圆表面或上方形成气幕。
[0019]根据本申请实施例的第三方面，提供一种晶圆加工装置，包括处理炉以及如上所述的晶圆转移设备，所述处理炉包括工艺腔室以及连通所述工艺腔室的进气端和尾气排放端，所述晶圆转移设备用于转移所述晶圆至所述工艺腔室或将所述晶圆从所述工艺腔室中转移出去。
[0020]根据本申请实施例的第四方面，提供一种晶圆加工方法，应用于如上述的晶圆加工装置，包括：
[0021]将所述晶圆放置于所述承载部件的承载区域；
[0022]所述晶圆转移设备带动所述晶圆朝向所述工艺腔室移动，并在所述晶圆经过所述尾气排放端前，控制所述出气孔排出吹扫气体，以在所述晶圆表面或上方形成气幕；
[0023]当所述晶圆到达所述工艺腔室，控制所述出气孔停止排出所述吹扫气体，所述晶圆转移设备复位；
[0024]经所述进气端向所述反应腔室通入反应气体，并在预设工艺条件下对所述晶圆进行加工；
[0025]所述晶圆转移设备带动加工完毕的晶圆朝向所述工艺腔室外移动，并在所述晶圆经过所述尾气排放端前，控制所述出气孔排出所述吹扫气体直至所述晶圆到达所述工艺腔室外。
[0026]在其中一个实施例中，所述在预设工艺条件下对所述晶圆进行加工的步骤包括：
[0027]在所述预设工艺条件下生长SiC外延层。
[0028]本申请实施例提供的晶圆转移设备及方法、晶圆加工装置及方法，在承载部件设置有出气孔，出气孔朝向晶圆的表面或上方设置，当通入吹扫气体时，吹扫气体经出气孔排出，能够在晶圆表面或上方形成气幕。由此，在晶圆的传输过程中，晶圆可以在其表面或上方的气幕的保护下，防止环境中的颗粒物附着在晶圆表面，尤其当晶圆在传输过程中路过尾气排放端上方时，晶圆表面或上方的气幕可以保护晶圆免受尾气排放端附近的颗粒物所附着，避免在晶圆表面形成缺陷，提高产品良率。
附图说明
[0029]图1为本申请一实施例提供的晶圆转移设备的结构示意图；
[0030]图2为图1中Y区域的局部放大图；
[0031]图3为本申请一实施例提供的晶圆转移设备中承载部件的结构示意图；
[0032]图4为本申请一实施例提供的晶圆加工装置的结构示意图；
[0033]图5为晶圆转移设备在转移晶圆时经过尾气排放端上方的侧视图；
[0034]图6为图5对应的俯视图。
[0035]附图标记说明：
[0036]110、承载部件；111、承载区域；112、晶圆；113、第一侧；114、第二侧；121、出气孔；122、第一管路；A、第一出气孔；123、第二管路；B、第二出气孔；210、驱动部件；220、输运部件；300、工艺腔室；310、进气端；320、尾气排放端；400、输送腔室；500、仓门。
具体实施方式
[0037]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的优选实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本专利技术的公开内容理解得更加透彻全面。
[0038]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0039]术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0040]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆转移设备，包括：承载部件，具有用于放置晶圆的承载区域；输运部件，用于将所述承载部件移动至预设区域；驱动部件，用于驱动所述输运部件移动；其特征在于：所述承载部件设置有出气孔，所述出气孔朝向所述晶圆的表面或上方。2.根据权利要求1所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述出气孔的开孔方向与所述晶圆表面的夹角位于
‑
60
°
至60
°
之间。3.根据权利要求1所述的晶圆转移设备，其特征在于，相邻两个所述出气孔之间的间隔位于2mm至50mm之间。4.根据权利要求1所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述出气孔高于所述晶圆的表面。5.根据权利要求1所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述承载部件具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧设置有第一出气孔，所述第二侧设置有第二出气孔，所述第一出气孔和所述第二出气孔相对设置。6.根据权利要求5所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述第一出气孔在所述第二侧所在垂直面上的正投影点与所述第二出气孔的位置点交错排列。7.根据权利要求6所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述第一出气孔与所述第二出气孔的高度相同或不同。8.根据权利要求1所述的晶圆转移设备，其特征在于，所述吹扫气体包括氩气、氮气、氦气、氢气中的任意一种。9.一种如权利要求1
‑
8任一项所述的晶圆转移设备的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：