一种低温多晶硅显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。该低温多晶硅显示面板可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。示面板可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。示面板可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅显示面板


[0001]本技术涉及显示技术，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板。

技术介绍

[0002]低温多晶硅(Low Temperature Poly
‑
silicon；简称LTPS)显示面板在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的有源层上，非晶硅结构的有源层在吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。
[0003]低温多晶硅具有高迁移率，及制作的晶体管尺寸比非晶硅小等优势，而得到了非常广泛的应用。但是，常见的低温多晶硅显示面板，膜层数量较多，制程所需的光罩掩模板的数量也多，不仅增加了企业的研发成本，同时也增加工厂的投入生产时间，所以，减少低温多晶硅显示面板的光罩掩模板数量对提升企业竞争力有积极促进作用。
[0004]如图1所示，现有的低温多晶硅显示面板包括：玻璃基板1
’
、遮光层2
’
、缓冲层3
’
、多晶硅层4
’
、层间绝缘层5
’
、栅电极层6
’
、栅绝缘层7
’
、源漏电极82
’
层8
’
、平坦层9
’
、公共电极层10
’
、钝化层11
’
和像素电极层12
’
，其中，所述多晶硅层4
’
包括沟道区41
’
、第一轻掺杂区42
’<br/>和第二轻掺杂区43
’
，所述源漏电极82
’
层8
’
包括源电极81
’
和漏电极82
’
，所述平坦层9
’
和钝化层11
’
上开设有第一过孔13
’
，所述像素电极层12
’
通过所述第一过孔13
’
与所述漏电极82
’
相连接，所述层间绝缘层5
’
和栅绝缘层7
’
开设有与所述源电极81
’
和漏电极82
’
分别对应的两个第二过孔14
’
，所述源电极81
’
和漏电极82
’
通过对应的第二过孔14
’
与所述多晶硅层4
’
的第二轻掺杂区43
’
相连接。在制备该低温多晶硅显示面板时，各膜层的图案化需要使用对应的光罩掩模板来进行，所述第一过孔13
’
和第二过孔14
’
的制作也各需要使用对应的光罩掩模板来进行，整个制程需要的光罩掩模板数量过多。
[0005]在专利号为CN202010514729.6、CN201410853697.7和CN201510936669.6等中国专利中均公开了通过对低温多晶硅显示面板的结构或工艺进行优化，以减少光罩掩模板的数量，但是上述结构或工艺优化会使得低温多晶硅显示面板的结构或工艺变得更加复杂，实际上增加了低温多晶硅显示面板的制作难度。

技术实现思路

[0006]为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种低温多晶硅显示面板，可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。
[0007]本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
[0008]一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。
[0009]进一步地，还包括设置于所述多晶硅TFT器件和像素电极层之间的平坦层，所述平
坦层上开设有与所述多晶硅TFT器件的漏电极相对应的第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。
[0010]进一步地，还包括设置于所述像素电极层和钝化层之间的平坦层。
[0011]进一步地，所述多晶硅TFT器件包括多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层上的栅电极层、设置于所述栅电极层上的栅绝缘层及设置于所述栅绝缘层上的源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述层间绝缘层和栅绝缘层开设有与所述源电极和漏电极分别对应的两个第二过孔，所述源电极和漏电极通过对应的第二过孔与所述多晶硅层相连接。
[0012]进一步地，所述多晶硅层包括沟道区、第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述源电极和漏电极与所述多晶硅层的第二轻掺杂区相连接。
[0013]进一步地，所述层间绝缘层、栅绝缘层和钝化层为氮氧化合物。
[0014]进一步地，所述栅电极层和源漏电极层为金属。
[0015]进一步地，还包括设置于所述衬底和多晶硅TFT器件之间的遮光层和缓冲层。
[0016]进一步地，所述缓冲层为二氧化硅或氮氧化硅。
[0017]进一步地，所述衬底为玻璃基板。
[0018]本技术具有如下有益效果：该低温多晶硅显示面板将所述像素电极层和公共电极层的上下位置互换，将所述像素电极层设置于所述钝化层的下方，将所述公共电极层设置于所述钝化层的上方，这样所述像素电极层仅需穿过所述平坦层与所述多晶硅TFT器件的漏电极连接，而无需穿过所述钝化层，制作时仅需在所述平坦层上开设所述第一过孔以供所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极连接，而无需在所述钝化层上开设任何过孔，节省了在所述钝化层上开孔所需的光罩掩模板，相比于现有技术，制程所需的光罩掩模板的数量少了一道，成本得到了降低，结构和工艺也与现有的结构和工艺接近。
附图说明
[0019]图1为现有的低温多晶硅显示面板的示意图；
[0020]图2为本技术提供的低温多晶硅显示面板的示意图；
[0021]图3为本技术提供的另一低温多晶硅显示面板的示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，其特征在于，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，还包括设置于所述多晶硅TFT器件和像素电极层之间的平坦层，所述平坦层上开设有与所述多晶硅TFT器件的漏电极相对应的第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。3.根据权利要求1所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，还包括设置于所述像素电极层和钝化层之间的平坦层。4.根据权利要求1
‑
3中任一所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述多晶硅TFT器件包括多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层上的栅电极层、设置于所述栅电极层上的栅绝缘层及设置于所述栅绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东琪，付浩，张松岩，马鑫兰，伍小丰，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：