System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种稳定性高的mono显示屏及像素充电方法技术_技高网

一种稳定性高的mono显示屏及像素充电方法技术

技术编号:40105801 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-23 18:24
本发明专利技术公开了一种稳定性高的mono显示屏及像素充电方法,显示屏包括:像素充电电路;每一像素充电电路包括第一子像素充电电路、公共连接电路、第二子像素充电电路;第一子像素充电电路通过公共连接电路与第二子像素充电电路串联连接;公共连接电路用于在对第一子像素电容充电电路中的第一子像素进行充电时对第二子像素充电电路中的第二子像素电容进行预充电。通过采用三个晶体管对两个子像素电容进行充电相当于将晶体管沟道的长扩大一倍,在对第一个子像素电容充电时就可以对第二个子像素电容进行预充电,延长了像素电容的充电时间,从而保持电压波动维持在一个灰阶内,提高了显示的稳定性及显示质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示屏,特别涉及一种稳定性高的mono显示屏及像素充电方法


技术介绍

1、随着现代工业发展,人机对话的关键--显示屏也一日千里,各种用途的显示技术也应运而生。手持仪器,远程遥控,户外工业机器人、部分医疗仪器等对电能要求较高,需要较低耗损电能的显示屏。

2、目前通用的液晶显示装置由源驱动器、门驱动器、lcd面板以及vcom电压产生电路组成。由于每个像素由r、g、b组成,则每一个像素应该包含3个像素单元,每个像素单元包含一个tft(薄膜晶体管)和像素电容器。像素电容器包含显示电极和公共电极,显示电极与tft的源极相连,而所有公共电极连接在一起,并与vcom电压相连。tft的漏极与源驱动器输出的信号相连,栅极与门驱动器输出的信号相连。

3、像素电容器储存电压后使液晶面板中的液晶分子发生偏转,有光透过液晶分子从而显示灰阶。对于一般的工业屏驱动频率在8hz,要求像素电压保持时间长,但是现有的液晶显示屏驱动电路无法满足该项性能要求,稳定性差。


技术实现思路

1、现有的工业显示屏,稳定性差,无法满足显示质量的要求。

2、针对上述问题,提出一种稳定性高的mono显示屏及像素充电方法,通过将两个相同的子像素设计在一个像素内,共用中间的晶体管,节省了大量空间。通过采用三个晶体管对两个子像素电容进行充电相当于将晶体管沟道的长扩大一倍,在对第一个子像素电容充电时就可以对第二个子像素电容进行预充电,延长了像素电容的充电时间,从而保持电压波动维持在一个灰阶内,提高了显示的稳定性及显示质量。

3、一种稳定性高的mono显示屏,包括:

4、像素充电电路;

5、每一所述像素充电电路包括:

6、第一子像素充电电路;

7、公共连接电路;

8、第二子像素充电电路;

9、所述第一子像素充电电路通过所述公共连接电路与所述第二子像素充电电路串联连接;

10、所述公共连接电路用于在对第一子像素电容充电电路中的第一子像素进行充电时对所述第二子像素充电电路中的第二子像素电容进行预充电。

11、结合本专利技术所述的稳定性高的mono显示屏,第一种可能的实施方式中,所述第一子像素充电电路包括:

12、第一晶体管;

13、第一存储电容;

14、第一子像素电容;

15、所述第一存储电容、第一子像素电容并联,其并联连接端一端接地,另一端与所述第一晶体管的漏极端电连接。

16、结合本专利技术第一种可能的实施方式,第二种可能的实施方式中,所述第二子像素充电电路包括:

17、第二晶体管;

18、第二存储电容;

19、第二子像素电容;

20、所述第二存储电容、第二子像素电容并联,其并联连接端一端接地,另一端与所述第二晶体管的源极端电连接。

21、结合本专利技术第二种可能的实施方式,第三种可能的实施方式中,所述像素充电电路还包括:

22、电源线;

23、所述公共连接电路包括第三晶体管;

24、所述第一晶体管的源极端、所述第三晶体管的漏极端、所述第二晶体管的漏极端电连接;

25、所述第三晶体管的源极端与所述电源线电连接。

26、第二方面,一种mono显示屏像素充电方法,采用第一方面所述的驱动电路,其中,包括:

27、步骤100、通过公共连接电路将第一子像素充电电路与第二子像素充电电路进行串联连接;

28、步骤200、在对所述第一子像素电容进行充电时,对所述第二子像素电容进行预充电。

29、结合本专利技术所述的mono显示屏像素充电方法,第一种可能的实施方式中,所述步骤100包括:

30、步骤110、将第一子像素充电电路、第二子像素充电电路与公共连接电路中的第三晶体管的漏极端电连接;

31、步骤120、将所述第三晶体管的源极端与公共的电源线电连接。

32、结合本专利技术第二方面所述的第一种可能的实施方式,第二种可能的实施方式中,所述步骤110包括:

33、步骤111、将所述第一子像素充电电路的第一存储电容、第一子像素电容并联;

34、步骤112、将并联电路的一端接地,另一端与第一晶体管的漏极端电连接。

35、结合本专利技术第二方面所述的第二种可能的实施方式,第三种可能的实施方式中,所述步骤110还包括:

36、步骤113、将所述第一晶体管的源极端与所述第三晶体管的漏极端电连接。

37、结合本专利技术第二方面所述的第一种可能的实施方式,第四种可能的实施方式中,所述步骤110还包括:

38、步骤114、将所述第二子像素充电电路的第二存储电容、第二子像素电容并联;

39、步骤115、将并联电路的一端接地,另一端与第二晶体管的漏极端电连接。

40、结合本专利技术第二方面所述的第二种可能的实施方式,第三种可能的实施方式中,所述步骤110还包括:

41、步骤116、将所述第二晶体管的漏极端与所述第三晶体管的漏极端电连接。

42、实施本专利技术所述的稳定性高的mono显示屏及其像素充电方法,通过将两个相同的子像素设计在一个像素内,共用中间的晶体管,节省了大量空间。通过采用三个晶体管对两个子像素电容进行充电相当于将晶体管沟道的长扩大一倍,在对第一个子像素电容充电时就可以对第二个子像素电容进行预充电,延长了像素电容的充电时间,从而保持电压波动维持在一个灰阶内,提高了显示的稳定性及显示质量。

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【技术保护点】

1.一种稳定性高的mono显示屏,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述第一子像素充电电路包括:

3.根据权利要求2所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述第二子像素充电电路包括:

4.根据权利要求3所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述像素充电电路还包括:

5.一种mono显示屏像素充电方法,采用权利要求1-4任一项所述的驱动电路,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的稳定性高的mono显示屏像素充电方法,其特征在于,所述步骤100包括:

7.根据权利要求6所述的稳定性高的mono显示屏像素充电方法,其特征在于,所述步骤110包括:

8.根据权利要求7所述的稳定性高的mono显示屏像素充电方法,其特征在于,所述步骤110还包括:

9.根据权利要求6所述的稳定性高的mono显示屏像素充电方法,其特征在于,所述步骤110还包括:

10.根据权利要求9所述的稳定性高的mono显示屏像素充电方法,其特征在于,所述步骤110还包括:

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【技术特征摘要】

1.一种稳定性高的mono显示屏,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述第一子像素充电电路包括:

3.根据权利要求2所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述第二子像素充电电路包括:

4.根据权利要求3所述的稳定性高的mono显示屏,其特征在于,所述像素充电电路还包括:

5.一种mono显示屏像素充电方法,采用权利要求1-4任一项所述的驱动电路,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的稳...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭绍辉刘福知谢雄才
申请(专利权)人:信利仁寿高端显示科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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