阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法技术

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，阵列基板包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的一侧，第一绝缘层背离衬底的表面凹陷形成有限位槽；第一金属层，位于第一绝缘层背离衬底的一侧，第一金属层包括信号线，信号线包括第一分部和环绕至少部分第一分部的第二分部，第一分部位于限位槽，至少部分第二分部位于第一绝缘层背离衬底的表面；第二绝缘层，位于第一金属层背离衬底的一侧，第二绝缘层包括开口朝向第一金属层的容纳槽，第二分部位于容纳槽。通过合理设置限位槽的尺寸和位置能够控制器件特性，提高器件特性稳定性，因此本申请实施例提供的阵列基板具有器件特性稳定的优势。性稳定的优势。性稳定的优势。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备的快速发展，用户对显示面板的要求越来越高。显示面板包括发光器件和驱动器件，驱动器件包括薄膜晶体管和电容极板等需要两层导线在特定位置交叠的零部件，在这些零部件中如果双层导线的交叠位置不准确会导致器件特性不稳定，影响显示面板的良率。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，旨在提供一种器件特性稳定的阵列基板。
[0004]本申请第一方面的实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的一侧，第一绝缘层背离衬底的表面凹陷形成有限位槽；第一金属层，位于第一绝缘层背离衬底的一侧，第一金属层包括信号线，信号线包括第一分部和环绕至少部分第一分部的第二分部，第一分部位于限位槽，至少部分第二分部位于第一绝缘层背离衬底的表面；第二绝缘层，位于第一金属层背离衬底的一侧，第二绝缘层包括开口朝向第一金属层的容纳槽，第二分部位于容纳槽。
[0005]根据本申请第一方面的实施方式，还包括有源层，所述有源层位于所述衬底和所述第一绝缘层之间，所述有源层包括半导体部，所述限位槽在所述衬底上的正投影和所述半导体部在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述信号线为栅极线。
[0006]根据本申请第一方面前述任一实施方式，半导体部包括沿第一方向依次设置的的源区、沟道区和漏区，限位槽在衬底上的正投影和沟道区在衬底上的正投影至少部分重合；
[0007]阵列基板还包括第二金属层，第二金属层位于第一金属层背离绝缘层的一侧，第二金属层包括源极和漏极，源极和源区过孔连接，漏极和漏区过孔连接。
[0008]根据本申请第一方面前述任一实施方式，沟道区在衬底上的正投影位于限位槽在衬底上的正投影之内。
[0009]根据本申请第一方面前述任一实施方式，沟道区在第二方向上的延伸尺寸小于限位槽在第二方向上的延伸尺寸，第二方向与第一方向、阵列基板的厚度方向均相交。
[0010]根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘层包括：
[0011]第一子绝缘层，位于有源层背离衬底的一侧；
[0012]第二子绝缘层，位于第一子绝缘层背离有源层的一侧，限位槽设置于第二子绝缘层。
[0013]根据本申请第一方面前述任一实施方式，限位槽贯穿第二子绝缘层设置。
[0014]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一子绝缘层整面设置。
[0015]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二子绝缘层整面设置，或者第二子绝
缘层包括绝缘定义部，绝缘定义部位于源极和漏极之间，且信号线在衬底上的正投影位于绝缘定义部在衬底上的正投影之内。
[0016]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二子绝缘层的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一者。
[0017]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二子绝缘层的厚度为
[0018]根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘层还包括绝缘止挡层，绝缘止挡层位于第一子绝缘层和第二子绝缘层之间。
[0019]根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘止挡层整面设置，或者绝缘止挡层包括刻蚀止挡部，刻蚀止挡部位于源极和漏极之间，且限位槽在衬底上的正投影位于刻蚀止挡部在衬底上的正投影之内。
[0020]根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘止挡层的材料包括非晶硅和氧化硅中的至少一者。
[0021]根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘止挡层的厚度为根据本申请第一方面前述任一实施方式，绝缘止挡层的厚度为
[0022]根据本申请第一方面前述任一实施方式，源极和漏极中的至少一者包括：
[0023]第一子段，位于第一金属层，第一子段与源区和/或漏区过孔连接，且第一子段和信号线的材料相同；
[0024]第二子段，位于第二金属层，第二子段和第一子段过孔连接。
[0025]根据本申请第一方面前述任一实施方式，至少部分第二分部位于第一分部在第二方向上的至少一侧，第二方向与第一方向相交。
[0026]根据本申请第一方面前述任一实施方式，至少部分第二分部位于第一分部在第一方向上的至少一侧，且第二分部与源极、漏极相互绝缘。
[0027]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二分部包括避让槽或避让孔，第二分部通过避让槽或避让孔与源极、漏极相互绝缘。
[0028]根据本申请第一方面前述任一实施方式，信号线包括：
[0029]第一子层，位于绝缘层背离有源层的一侧；
[0030]第二子层，位于第一子层背离绝缘层的一侧，第二子层的材料包括铜。
[0031]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一子层的材料包括钼、钛中的至少一者。
[0032]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一子层的厚度为根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一子层的厚度为
[0033]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二子层的厚度大于或等于
[0034]本申请第二方面的实施例提供一种显示面板，其包括上述任一实施方式的阵列基板。
[0035]本申请第三方面的实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0036]在衬底上设置第一绝缘材料层，对第一绝缘材料层进行图案化处理形成包括限位槽的第一绝缘层，限位槽由第一绝缘层背离衬底的表面凹陷形成；
[0037]在第一绝缘层背离衬底的一侧设置第一金属材料层，利用湿刻蚀工艺对第一金属材料层进行图案化处理形成包括信号线的第一金属层，信号线包括第一分部和环绕至少部
分第一分部的第二分部，第一分部位于限位槽，至少部分第二分部位于第一绝缘层背离衬底的表面；
[0038]在第一金属层背离第一绝缘层的一侧设置绝缘材料形成第二绝缘层，至少部分绝缘材料沉积于第二分部上形成开口朝向第一金属层、并容纳第二分部的容纳槽。
[0039]根据本申请第三方面的实施方式，在衬底上设置第一绝缘材料层，对第一绝缘材料层进行图案化处理形成包括限位槽的第一绝缘层的步骤中：
[0040]在衬底上设置第一子绝缘层；
[0041]在第一子绝缘层背离衬底的一侧设置第二子绝缘材料层，对第二子绝缘材料层进行图案化处理形成包括限位槽的第二子绝缘层。
[0042]根据本申请第三方面前述任一实施方式，在第一子绝缘层背离衬底的一侧设置第二子绝缘材料层，对第二子绝缘材料层进行图案化处理形成包括限位槽的第二子绝缘层得步骤之前还包括：
[0043]在第一子绝缘层背离衬底的一侧设置绝缘止挡层；
[0044]在第一子绝缘层背离衬底的一侧设置第二子绝缘材料层，对第二子绝缘材料层进行图案化处理形成包括限位槽的第二子绝缘层的步骤中：在绝缘止挡层背离衬底的一侧设置第二子绝缘材料层。
[0045]根据本申请第三方面前述任一实施方式，信号线包括第一子层和第二子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一绝缘层，位于所述衬底的一侧，所述第一绝缘层背离所述衬底的表面凹陷形成有限位槽；第一金属层，位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括信号线，所述信号线包括第一分部和环绕至少部分所述第一分部的第二分部，所述第一分部位于所述限位槽，至少部分所述第二分部位于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面；第二绝缘层，位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述第二绝缘层包括开口朝向所述第一金属层的容纳槽，所述第二分部位于所述容纳槽。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括有源层，所述有源层位于所述衬底和所述第一绝缘层之间，所述有源层包括半导体部，所述限位槽在所述衬底上的正投影和所述半导体部在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述信号线为栅极线。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体部包括沿第一方向依次设置的源区、沟道区和漏区，所述限位槽在所述衬底上的正投影和所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分重合；所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层背离所述绝缘层的一侧，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述源区过孔连接，所述漏极和所述漏区过孔连接；优选的，所述沟道区在所述衬底上的正投影位于所述限位槽在所述衬底上的正投影之内；优选的，所述沟道区在第二方向上的延伸尺寸小于所述限位槽在所述第二方向上的延伸尺寸，所述第二方向与所述第一方向、所述阵列基板的厚度方向均相交；优选的，所述第一绝缘层包括：第一子绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底的一侧；第二子绝缘层，位于所述第一子绝缘层背离所述有源层的一侧，所述限位槽设置于所述第二子绝缘层；优选的，所述限位槽贯穿所述第二子绝缘层设置；优选的，所述第一子绝缘层整面设置；优选的，所述第二子绝缘层整面设置，或者所述第二子绝缘层包括绝缘定义部，所述绝缘定义部位于所述源极和所述漏极之间，且所述信号线在所述衬底上的正投影位于所述绝缘定义部在所述衬底上的正投影之内；优选的，所述第二子绝缘层的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一者；优选的，所述第二子绝缘层的厚度为优选的，所述第一绝缘层还包括绝缘止挡层，所述绝缘止挡层位于所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层之间；优选的，所述绝缘止挡层整面设置，或者所述绝缘止挡层包括刻蚀止挡部，所述刻蚀止挡部位于所述源极和所述漏极之间，且所述限位槽在所述衬底上的正投影位于所述刻蚀止挡部在所述衬底上的正投影之内；
优选的，所述绝缘止挡层的材料包括非晶硅和氧化硅中的至少一者；优选的，所述绝缘止挡层的厚度为4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极中的至少一者包括：第一子段，位于所述第一金属层，所述第一子段与所述源区和/或漏区过孔连接，且所述第一子段和所述信号线的材料相同；第二子段，位于所述第二金属层，所述第二子段和所述第一子段过孔连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述第二分部位于所述第一分部在第二方向上的至少一侧，所述第二方向与所述第一方向相交；优选的，至少部分所述第二分部位...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹皇泰，李阳，彭兆基，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：