半导体器件及其制备方法技术

本申请公开一种半导体器件及其制备方法，能够保护有源层不受后续制程影响且制备成本较低。本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上表面形成栅极功能层，且所述栅极功能层沿第一方向分布的第一端和第二端均呈第一台阶状；在所述栅极功能层上表面形成绝缘层，所述绝缘层沿第一方向分布的第一端和第二端呈第二台阶状；在所述绝缘层上表面形成源漏极功能层，所述源漏极功能层暴露所述绝缘层的顶面，且所述源漏极功能层与所述绝缘层的顶面平滑相接；在暴露的所述绝缘层的顶面以及所述源漏极功能层表面形成有源层，所述有源层的第一区域位于所述源漏极功能层上方。极功能层上方。极功能层上方。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体器件领域，具体涉及半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有薄膜晶体管中，主要有两大类，一种是TG（Top Gate，顶栅）结构的TFT（Thin film transistor，薄膜晶体管），主要是将有源层（Active，有源层，即半导体层）做在Gate（栅）层的底部（图1），另一种是BCE（Back Channel Etch，背沟道刻蚀）结构的TFT，主要是将有源层做在Gate层顶部（图2）。
[0003]TG TFT的优势在有源层能很好的被栅极保护起来，以免后面制程的影响，但是TG TFT的缺点也比较明显，即TG TFT结构需要的光照（Litho）次数较多，成本较高。
[0004]BCE TFT具有尺寸小，沟道长度小，成本较低、制备过程中所需光照次数较少的优势。但是BCE TFT的缺点也比较明显，即有源层没有得到栅层的保护，因此有源层容易受后面制程，特别是刻蚀制程的影响，从而影响BCE TFT器件性质。
[0005]如何兼顾TG TFT和BCE TFT结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上表面形成栅极功能层，且所述栅极功能层沿第一方向分布的第一端和第二端均呈第一台阶状；在所述栅极功能层上表面形成绝缘层，所述绝缘层沿所述第一方向分布的第一端和第二端呈第二台阶状；在所述绝缘层上表面形成源漏极功能层，所述源漏极功能层暴露所述绝缘层的顶面，且所述源漏极功能层与所述绝缘层的顶面平滑相接；在暴露的所述绝缘层的顶面以及所述源漏极功能层表面形成有源层，所述有源层的第一区域位于所述源漏极功能层上方。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上表面形成源漏极功能层包括以下步骤：在所述绝缘层上表面形成源漏极材料层；对所述源漏极材料层进行平坦化处理，以部分去除所述源漏极材料层，暴露所述绝缘层的顶面，并以剩余的源漏极材料层作为所述源漏极功能层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上表面形成源漏极功能层后，还包括以下步骤：对所述绝缘层的顶面以及源漏极功能层的相接处进行平坦化处理。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述源漏极功能层的顶面与所述绝缘层的顶面齐平，以使得所述源漏极功能层与所述绝缘层的顶面平滑相接。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在暴露的所述绝缘层的顶面以及所述源漏极功能层表面形成有源层包括以下步骤：在所述绝缘层的顶面以及所述源漏极功能层表面形成有源材料层；在所述有源材料层的上表面形成第一掩膜层；图形化所述第一掩膜层，且图形化后的所述第一掩膜层至少覆盖所述有源材料层的第一区域，所述第一区域位于所述有源材料层沿所述第一方向分布的第一端和第二端；从所述第一掩膜层暴露的有源材料层向下，沿垂直所述衬底上表面向下的方向刻蚀所述有源材料层至暴露所述源漏极功能层表面，并以剩余的所述有源材料层作为所述有源层；去除所述第一掩膜层。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一区域在所述栅极功能层上表面的投影位于所述栅极功能层的上表面内。7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄琼阳，陈献龙，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：